SEMI中国功率及化合物半导体委员会在上海成立

SEMI中国宣布成立SEMI中国功率及化合物半导体委员会，并于2015年7月28日在上海举行了启动会议。

SEMI全球副总裁、中国总裁陆郝安博士为会议致欢迎词并介绍了SEMI中国围绕促进产业发展所构建的产业合作交流平台。本次会议通过了“SEMI中国功率与化合物半导体委员会章程”，并推选苏州能讯高能半导体有限公司总裁张乃千博士为联合主席。

该委员会由来自全球功率及化合物半导体企业包括英飞凌、恩智浦、三安光电、中科院、能讯高能半导体、PlayNitride、晶湛半导体、矽力杰、南车电气、银茂微电子、华虹宏力、Tower Jazz、北车永电等企业组成，其中既有全球功率半导体巨头，亦有从事第二代半导体（如GaAs）、第三代宽禁带半导体（如GaN、SiC）电力电子器件开发及制造的新兴企业。

张乃千博士分享了GaN射频器件与电力电子器件特点与优势，作为重要的核“芯”器件，GaN电力电子器件未来在计算机、移动通讯、物联网、汽车电子、电力输送、现代交通等行业将发挥越来越重要的作用，发展潜力巨大。南京银茂微电子制造有限公司总经理庄伟东博士做了”中国IGBT的技术与市场的发展“主题报告，分享了IGBT行业的最新进展和对未来市场预测。

会上，委员们就SEMI中国功率及化合物半导体委员会未来工作方向、如何共同搭建产业的Community各抒己见，展开了热烈讨论。经过讨论，委员们认为制定产业标准、开展专题性的技术与市场会议、产业政策倡导、搭建国内外企业的沟通桥梁是未来需要重点努力的方向。