华为为何在美国遭打压受气？因为中国40年扔了这个小零件
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这篇文章很长，披露了中国40年GDP高速增长和印钞机轰鸣掩盖下高科技和制造业衰落的真相。
当华为手机在美国的广告已经挂起，由于美国国会18位议员的反对，美国最大的电讯运营商AT&T撕毁协议，华为手机进军美国市场再次受阻。
华为高管余承东哭了，中国人气了！
可是，生气有什么用呢？
美国人从来就是这么霸道，他们没有丝毫的信用。
他们将中国看作美国商品高价销售的市场，却不准中国产品进入美国市场。
多少美国产品在中国畅通无阻，市场已经完全开放，美国人还说你不开放。可是美国市场却对中国企业严密封锁。打压华为和中国企业这不是第一次，而是一直打压封锁。
面对这种不公平，华为只能忍受，中国人只能气愤，也只能接受。你几乎没有反抗的能力。
为什么？
因为，包括华为，中国的电子产品的命门都捏在美国的手里。
这个命门，就是芯片。
手机就是一部微型化集成化的电脑，它集成了原来的电脑、手机、娱乐等一系列功能，小型化功能强大，需要的芯片就越精密，韩日德台有芯片制造，但最核心的还是美国生产。如果美国不卖给你芯片，包括华为在内，中国的电子信息产业工厂就瘫痪。
目前中国进口芯片一年需要2000亿美元，1万多亿人民币，比进口石油的钱还多。大部分是从美国进口。
因此，美国就举着这块芯片对中国企业挥舞制裁大棒。
有人说，中国改革开放才40年，技术上的差距是必然的，追赶需要一个过程和时间。
可事实是，40年前，中国已经追赶上发展百年的美国的步伐，手里已经握着这块芯片，是我们把这块芯片扔掉了。
才有了今天的痛心疾首！
中国发明原理
电子计算机是个啥东西？
电子计算机的工作原理启蒙自中国的易经八卦。
1695年，德国哲学家莱布尼茨向奥古斯特公爵说;“从虚无创造万有，用一就够了”。一切数都是从0和1创造出来的，这是基督教上帝从“无”到有创造世界的证据。1703年4月,莱布尼茨的论文《二进位算术的阐述——关于只用0和1兼论其用处及伏羲氏所用数字的意义》。 在莱布尼茨的二进制中，通过0与1引申，就可以表示一切数字，如000，001，010，011，100分别代表0-4这几个数字。而在易经八卦中，通过阴阳引申，就可以表示宇宙万有的原理。如果把阴爻看作0，把阳爻看作1，所有的卦象于是也就可以看成0和1的组合。比如坤卦就是000000，乾卦就是111111，大有卦就是111101等等。伏羲图的六十四个卦象，也正好可以看作二进制算术从0到63的数字。
1938年，美国科学家香农在其硕士论文《继电器与开关电路的符号分析》中，比较了开关电路与二进制数码之间的相似性，提出了把二进制符号中的“和”与电路系统的“开”和“关”对应起来的设计方向。这奠定了数字电路的理论基础，哈佛大学的豪沃德教授说：“这可能是20世纪最重要、最著名的一篇硕士论文。”
1945年，美籍匈牙利科学家冯·诺依曼在其主持的EDVAC计算机方案中首次将二进制作为计算机的设计思想，比采用十进制的第一台计算机ENIAC，大大简化了机器的逻辑线路，奠定了计算机的重要基础，一直沿用至今。
华人王安发明磁芯存储器
请先让我们了解一下美国电脑和集成电路产业的发展历程和状况，它是中国产业发展对比的一个坐标。
1932年，美国IBM公司的奥地利裔工程师古斯塔夫·陶斯切克发明了第一种被广泛使用的计算机存储器，称为“磁鼓存储器”，采用电磁感应原理进行数据记录。
到第二次世界大战期间，美国陆军为了提高火炮弹道计算速度，出资研制电子计算机。1946年2月，世界第一台大型电子计算机ENIAC，在宾夕法尼亚大学诞生。这台重达30吨的计算机，最初采用埃克特设计的水银延迟线存储器，容量约17K。1951年4月问世的旋风计算机，也因此成为世界第一台具备程序存储功能的并行计算机。旋风采用新发明的阴极射线管磁芯存储器作为内存，速度提高2倍。
1949年，麻省理工学院主持研制旋风计算机的福里斯特教授提出磁芯存储器设想。但是，磁芯存储器的专利拥有者，却是个中国人。当时，在哈佛大学计算机实验室，工作的王安博士（上海人，公派留学生），研制出了磁芯存储器，并于1949年10月申请专利。1951年，王安离开哈佛大学，以仅有的600美元，创办了名为王安实验室的电脑公司，开始出售磁芯存储器，单价4美元一个。王安的生意并不好，但嗅觉敏锐的IBM公司闻风而来，邀请他担任技术顾问，并购买磁芯器件。到1956年，王安将磁芯存储器的专利权，以50万美元卖给IBM公司。王安电脑公司由此扩张为美国电脑巨头之一，直至1992年破产。
磁芯存储器是继磁鼓之后，现代计算机存储器发展的第二个里程碑。直至1970年代初，世界90%以上的电脑，还在采用磁芯存储器，其后被英特尔批量生产的半导体晶体管DRAM内存取代。DRAM内存能够问世，主要是基于半导体晶体管和集成电路技术。
集成电路的硅谷
1947年12月，美国新泽西州贝尔实验室，研制出世界第一个锗晶体管。到1955年，高纯硅的工业提炼技术已成熟，可以用来替代昂贵的锗材料。1956年，为了实现晶体管商用化，威廉·肖克利博士离开贝尔实验室，回到家乡——加州圣克拉拉，创建半导体实验室。半个世纪后，他那个儿时的家乡，会成为名震世界的“加州硅谷”，并从他的实验室里，走出了仙童、英特尔、AMD、国家半导体（NS），等一大批美国电子巨头，烧起了硅谷战火。而在当时，硅谷只有一家名叫惠普的小公司。
1959年2月，美国老牌电子巨头德州仪器，开发出集成电路。工程师杰克·基尔比，为了解决将大量孤立的电子器件，整合成电路的困难，于是构思出集成电路。他在一块半个回形针大小的，银色半导体锗衬底上，用几根零乱的黄金膜导线，将1只晶体管、4只电阻、3只电容等分立元件焊接在一起，制成世界上第一片集成电路。但是，这种焊接方法难以投入工业批量生产。仙童公司闻讯后，创始人诺依斯提出：可以用蒸发沉积金属的方法，取代焊接导线，用于批量制造集成电路。1959年7月仙童申请了集成电路专利。
现代芯片制造，主要采用光刻法和蚀刻法工艺。光刻法最早的构想，源自印刷行业的照相曝光制版工艺，美国贝尔实验室在1954年开始采用光刻法工艺。1970年代后，光刻法发展为重复步进曝光，电子束掩模等新工艺，制造精度大为提高。仙童公司在光刻法应用初期，进行了大量技术改进。
1966年，美国IBM公司托马斯·沃森研究中心的罗伯特·登纳德博士，发明DRAM原理。老头在IBM公司工作了半个世纪，现在八十多岁了。2009年获得IEEE荣誉勋章。这是电子电气领域的最高荣誉。
1972年前后，英特尔公司为美国Prime电脑公司，生产的微型电脑主板上，焊接了128颗1K存储容量的C1103 DRAM内存，组成128K容量的内存，以便运行类似DOS的操作系统。1GB=1048576KB，如今一根最普通的4G内存，容量等于这块老古董的3.2万倍。最大的单根内存容量达到128G，是这家伙的100万倍。
1972年，凭借1K DRAM取得的巨大成功，英特尔已经成为一家拥有1000名员工，年收入超过2300万美元的产业新贵。C1103也被业界称为磁芯存储器杀手，成为全球最畅销的半导体芯片。同年IBM在新推出的S370/158大型计算机上，也开始使用DRAM内存。到1974年，英特尔占据了全球82.9%的DRAM市场份额。
英特尔介入微处理器（CPU）领域则很偶然。1969年，日本最大的电子计算器公司Busicom，找到美国英特尔，希望能帮他们研制计算器用的ROM、RAM和运算处理器（CPU）等12枚芯片组成的系统。针对日本方面的要求，Intel研究团队的特德·霍夫（Ted Hoff），创新性地提出一个设想——用1颗移位寄存器、1颗ROM芯片、1颗RAM芯片、1颗CPU处理器芯片，由四颗芯片完成原来需要12颗芯片组成的系统。这样可以简化结构，降低生产成本。到年底，英特尔相继拿出了4001（动态内存DRAM）、4002（只读存储器ROM）、4003（寄存器）、4004（微处理器CPU）等四颗芯片。但是由于量产过程中出现延期，让日本公司颇为恼怒，要求在价格上打折扣。英特尔同意了，但是附带要求，可在除计算器之外的其它市场，自由出售4004芯片——至此，世界首款商用计算机微处理器4004正式诞生了。4004需要与另外三颗芯片协同工作，只要改变4002中保存的用户指令，就可以实现不同的功能。4004采用10微米的生产工艺，内含2250个晶体管，时钟频率为74KHz，每秒可执行6万次运算，售价200美元。
1979年，美国苹果公司生产的Apple II Plus电脑主板，采用莫斯泰克MK4116内存芯片。CPU是莫斯泰克6502，最大支持64K内存。整机售价1200美元。1978年，苹果公司的Apple II卖了2万台，使苹果迅速成为年销售额，突破3000万美元的产业新贵。
1972年，美国英特尔研制的Intellec 8微型电脑，采用8008处理器。这款电脑的操作系统，由加里·基尔代尔（Gary Kildall）博士负责开发。加里·基尔代尔，是电脑人机操作系统的真正发明人，1973年加里·基尔代尔开发了CP/M操作系统（类似DOS操作界面），成为70年代电脑行业标准，2000多家电脑公司使用这一操作系统。其后比尔·盖茨的微软公司，抄袭基尔代尔的模式，推出了微软MS-DOS操作系统。1980年，IBM公司开始采用微软的产品，帮助微软一跃成为美国软件巨头。
此后，伴随着电脑的普及和推广，集成电路产业蓬勃发展。日本、韩国、台湾都有所进取，但都不能替代美国产业主导地位。
毛泽东的追赶奇迹
1949年新中国成立的时候，美国已经在世界第一工业大国的宝座上，稳坐了50年。而中国，是个连汽油铁皮桶都无法生产的落后农业国。全国五亿多人口中，80%以上是文盲，农村文盲率超过95%。就是在这样的巨大差距下，中国亿万人民由毛主席领导，开始了艰苦卓绝的工业追赶进程，创造了世界历史上的经济奇迹。
“超级工程一览”回顾了中国集成电路发展的历程。
中国电子工业发展，起步于毛泽东时代。1950年抗美援朝战争爆发后，为解决军队电子通信问题，国家成立电信工业管理局，在北京酒仙桥筹建北京电子管厂（即现在的北京京东方），由民主德国（东德）提供技术援助。该厂总投资1亿元，年产1220万只，是亚洲最大的电子管厂。除此之外，酒仙桥还建起了规模庞大的北京电机总厂、华北无线电器材联合厂（下辖706、707、718、751、797、798厂）、北京有线电厂（738厂）、华北光电技术研究所等单位。
1956年国家提出“向科学进军”，国务院制定科技发展12年规划，将电子工业列为重点发展目标。中国科学院成立了计算技术研究所（中科院计算所）。为了培养电子工业人才，教育部集中全国五所大学的科研资源，在北京大学设立半导体专业。1957年毕业的第一批学生中，出现了大批人才。如中芯国际董事长王阳元、华晶集团总工程师许居衍、电子工业部总工程师俞忠钰。1958年，上海组建华东计算技术研究所，及上海元件五厂、上海电子管厂、上海无线电十四厂等企业。使上海和北京，成为中国电子工业的南北两大基地。1960年中国科学院成立半导体研究所，同年组建河北半导体研究所（现为中电集团第13所），进行工业技术攻关。1962年由中科院半导体所，组建全国半导体测试中心。1963年中央政府组建第四机械工业部，主管全国电子工业。
1966年文革爆发后，中国电子工业得到快速发展，北京酒仙桥电子工业区基本成型。电子工业开始与纺织、印染、钢铁等行业结合，实现自动化生产。1968年，北京组建国营东光电工厂（878厂），上海组建无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国集成电路产业中的“南北两霸”。其中北京878厂主要生产TTU电路、CMOS 52 39124 52 20462 0 0 3392 0 0:00:11 0:00:06 0:00:05 4263表电路及A/D转换电路。上海无线电19厂，主要生产TTL、HTL数字集成电路，是中国最早生产双极型数字集成电路的专业工厂。1977年四机部投资300万元，建设6000平方米集成电路洁净车间。到1990年该厂累计生产509种集成电路，产量4120万块，产值3.25亿元。该厂后来合资为上海飞利浦半导体。
1968年，国防科委在四川永川县，成立固体电路研究所（即永川半导体研究所，解放军1424研究所，现中电集团24所）。这是中国唯一的模拟集成电路研究所。同年上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物半导体）电路。拉开了中国发展MOS集成电路的序幕。1970年代永川半导体研究所、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后又研制成CMOS电路。至1990年底，上无十四厂累计产量为3340万块（后来合资成为上海贝岭半导体）。
1972年美国总统尼克松访华后，中国从欧美大量引进技术。由于集成电路产品利润丰厚，全国有四十多家集成电路厂建成投产。包括四机部下属的749厂（甘肃天水永红器材厂）、871厂（甘肃天水天光集成电路厂）、878厂（北京东光电工厂）、4433厂（贵州都匀风光电工厂）和4435厂（湖南长沙韶光电工厂）等。各省市另外投资建设了大批电子企业。
1973年8月26日，中国第一台每秒运算100万次的集成电路电子计算机-105机，由北京大学、北京有线电厂、燃料化学工业部，等单位协助研制成功。
1975年，北京大学物理系半导体研究小组，由王阳元等人，设计出我国第一批三种类型的（硅栅NMOS、硅栅PMOS、铝栅NMOS）1K DRAM动态随机存储器，它比美国英特尔公司研制的C1103要晚五年，但是比韩国、台湾要早四五年。那时韩国、台湾根本就没有电子工业科研基础。
也就是说，如果延续毛泽东发展路线和势头，中国在电脑和集成电路产业应该在不长的时间内就能与美国齐头并进，甚至赶超美国。
80年代起被日韩台赶超
1973年，借着中美关系缓和及欧美石油危机的机会，中国希望从欧美国家，引进七条3英寸晶圆生产线，是当时世界最先进技术。这要比台湾早2年，比韩国早4年，那时候台湾与韩国还没有电子工业科研基础。1975年美国英特尔才开始建设世界第一座4英寸（100mm）晶圆厂。但是由于欧美技术封锁，中国国内政治变故，最终拖了七年，中国才得以引进三条已经落后的3英寸晶圆生产线，分别投资在北京国营东光电工厂（878厂），航天部陕西骊山771研究所（西安微电子研究所），和贵州都匀风光电工厂（4433厂）。其中北京878厂的3寸晶圆生产线，直至1980年才建成，已经比台湾晚了3年，比韩国晚2年。
1975年，就在台湾刚刚向美国购买3英寸晶圆厂时，中国大陆已经完成了DRAM核心技术的研发工作。北京大学物理系半导体教研室（成立于1956年，现北大微电子研究院），由王阳元领导的课题组，完成硅栅P沟道、铝栅N沟道和硅栅N沟道三种技术方案。在中科院北京109厂（现为中科院微电子研究所），采用硅栅N沟道技术，生产出中国第一块1K DRAM。这一成果尽管比美国、日本晚了四五年，但是比韩国、台湾要早四五年。直至1980年前后，韩国、台湾才在美国技术转移下，获得了DRAM技术突破，瞬间反超中国大陆。韩国直接从16K起步，台湾从64K起步。
1978年10月，中国科学院成立半导体研究所，由王守武领导，研制4K DRAM，次年在中科院109厂投入批量生产（比美国晚六年）。1981年中科院半导体所又研制成功16K DRAM（比韩国晚两年）。1982年，江苏无锡江南无线电器材厂（742厂），耗资6600万美元，从日本东芝引进3英寸晶圆生产线（5微米制程，月产能1万片），生产电视机集成电路。1985年，该厂制造出中国第一块64K DRAM（比韩国晚一年）。1993年，已经改组的无锡华晶电子公司（原无锡742厂），制造出中国第一块256K DRAM（比韩国晚七年）。
从上述历史，我们可以明显看出，在欧美技术封锁，以及1980年后，中国大陆减少电子产业投资的情况下，中国DRAM产业从领先韩国、台湾，然后迅速被韩国、台湾反超。尤其是韩国在美国刻意扶植下，依靠20亿美元左右的巨额疯狂投资，在DRAM产业取得了显著成果。
洋跃进——800亿美元疯狂计划
拨改贷——抽干中国电子企业血液
1984年，为扭转财政亏空局面，盲目实行“拨改贷”政策。以往国有企业从政府财政获得拨款，作为工厂流动资金或技术改造经费。企业盈利后将利润上缴国家财政。这样形成良性循环。拨改贷将政府财政拨款，改为企业向银行贷款，还要支付高额利息。而另一头，企业的利润照样要上交财政。这样政府不仅不投一分钱，反而像从前一样，抽走企业的大部分收入，导致国有企业迅速陷入亏损困境。
正是由于“拨改贷”，使得中国电子工业遭到致命打击。企业只顾引进外国设备，以尽快投产盈利，缺少科研资金对外国技术进行消化吸收。在文革时期，中国科研投入占GDP的2.32%，与英法德等发达国家相当（2003年世界平均值也仅有2.2%）。到1980年代，正是电子产业兴起的关键时期，欧美国家和日本、韩国、台湾纷纷加大对电子产业的科研投入。而中国却在大规模压缩科研经费投入。1984年以后，由于“拨改贷”造成的困境，使中国企业基本无力进行研发，科研经费占GDP比值骤然降到0.6%以下。中国电子工业彻底垮了。
比如像中国最大的半导体企业——上海元件五厂。1980年利润高达2070万元，职工人均利润1.5万元。即使是1985年，上海元件五厂的产值仍然高达6713.1万元，利润达1261.4万元。然而到了1990年，上海元件五厂产值下降至1496万元，利润竟然仅有2.47万元，全厂1439人，人均利润仅有区区17.16元。熬了没几年，这家风光了三十年的中国半导体器件龙头企业，就在改革开放的“春风”里破产倒闭了。
中央停止投资——全国疯狂引进落后淘汰技术
1982年，组建电子工业部，主管全国电子工业。该部门继承了毛时代组建的2500多家科研院所和电子工厂，下属职工总数达100多万人，主要研制通信、雷达、电视、计算机、无线电、元器件等设备。产业结构完备程度，仅有美国、苏联可以相比。光是电子工业部下辖的专业电子研究所就有上百家。然而在80年代初，由于中央政府全面停止对电子工业投资，各电子企业要自己去市场找资源。于是中国电子工业的技术升级全面停止，与美国、日本的技术差距迅速拉大。甚至被80年代加大电子投资的韩国、台湾彻底甩开。
1982年，中国国务圆成立了“电子计算机和大型集成电路领导小组办公室。1984年至1990年，中国各地方政府、国有企业和大学，纷纷从国外引进淘汰的落后晶圆生产线，前后总计达到33条，按照每座300-600万美元估算，总计花费1.5亿美元左右。这33条晶圆生产线，多数根本没有商业价值。造成这一乱象的根本原因，是电子工业部，将绝大多数国有电子企业的管理权，甩给省市地方政府，又缺乏制定执行产业规划的政策权力。出现了全国疯狂引进落后技术的奇怪现象。还有一个原因是80年代开始，国有企业贪污腐败加剧，借着进口项目的名义，领导干部可以名正言顺地获得出国考察机会。
为了治理散乱差问题，1986年电子工业部在厦门，举办集成电路战略研讨会，提出“531战略”。即“普及5微米技术、研发3微米技术，攻关1微米技术”，并落实南北两个微电子基地。南方集中在江浙沪，北方集中在北京。1988年至1995年，在政策扶持下，中国诞生了五家具有规模的国有半导体企业：江苏无锡华晶电子（原无锡742厂与永川半导体研究所合并）、浙江绍兴华越微电子（1988年设立中国第一座4英寸晶圆厂）、上海贝岭微电子、上海飞利浦半导体（1991年设中国第一座5英寸晶圆厂）、和北京首钢NEC（1995年设中国第一座6英寸晶圆厂）。
1990年8月，国务院决定在八五计划（1990-1995），半导体技术达到1微米制程，决定启动“九0八工程”，总投资20亿元。其中15亿元用在无锡华晶电子，建设月产能1.2万片的6英寸晶圆厂。由于官僚体系拖延，九0八工程光是经费审批就花了两年时间。然后从美国AT&T（朗讯）引进0.9微米制程，又花了三年时间。前后拖延五年时间，建厂再花三年，导致1998年无锡华晶电子投产即落后（月产能仅6000片），华晶还要为此承担沉重的利息支出压力，后来不得不甩给了台湾人经营。与无锡华晶形成鲜明对比的是，1990年新加坡政府投资特许半导体，只用2年建成，第三年投产，到1998年收回全部投资。
三十年来市场换丢技术
国家科技人才自生自灭
（本文使用超级工程一览文章《DRAM芯片战争——1970-2017输赢千亿美元的生死搏杀》大量内容资料，特此感谢并说明）
来源：手抄报
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