长模组上的采样回路阻抗

在特斯拉模组的设计上，我们看到了之前集中式BMS经常遇到的问题，这个采样线的长度和结合方式对于采样精度的影响。这个模组很长，FPC总体为了考虑成本，线也比较细，这个阻抗差异还是客观存在的。

从等效电路的来看，在不同的工作状态下，采样环路内各个环节都可能造成采样精度偏差，在长模组里面，两个比较重要的差异点就是回路阻抗和AFE的漏电流。

在电池模组的回路阻抗里面，主要分为模组部分、BMU电路部分所组成

• R模组部分：主要包括电芯的内阻+母排电阻（现在大容量的以DCR来看）、采样回路保险丝、Bonding线+FPC阻抗之和（单根是毫欧） 

• R BMS部分：采样通道串联电阻和AFE 芯片内部的等效电阻，这个滤波电阻往往考虑从百欧到千欧，主要和滤波电容匹配使用。 

由于这个压降是和电阻和电流有关系的，考虑mV的压差，在不同的电流表征下的差异，我们可以根据以下的计算来看：

• 如果电源共线，在10-15mA级别，在50-100毫欧的模组内阻抗下造成0.5-1.5mV的差异，正常这个我们都是分离的

• 采样漏电流和采样电阻只有在板内造成差异，实际上在1kOhm的条件下*1uA下造成1mV的压降，由于均一性很强，其实还好
  

其实在较大电流均衡条件下，本身计算就是把校准做下去的，如果出现同电流压差变化大了，也可以做一些回路阻抗的判别

 读取初始电压，这个电压等于V1'=V1-Inom*Rpathway

 闭合均衡电路，读取V1''=V1-Ibalance*Rpahtway

 通过记录这个数值来评估阻抗的合理性，实际上定值是Rbalance，根据电压来换算更为合理，V1''=V1-V''/Rbalance*Rpahtway

在这里的失效模式有几种：

采样回路开路、采样回路连接不良造成阻抗偏大、采样回路熔丝失效造成意外的电阻增大等，这个基本是靠诊断的方法来做的，通过对比采样数据的变化，防止整个ASIC芯片在处理过程中出现异常，我们也成为卡住为原有值。这种诊断意义，防止BMS某个电芯的电压读取异常。其步骤分为

• 读取每个电芯的电压

• 在纵向比较电芯的电压数据变化

• 在多数电芯由于电流波动产生变化时候，诊断电压采集卡住的那一路

在昨天双层模组设计的时候，这个线的差异倒是还好

小结：我们设计整合模式，一个是在长度扩展一个叠层扩展，采样线集中处理把CMU和模组分离还是一个趋势，我们希望尽可能把电池模组和电子部件分开，这样好处理一些，紧凑的长采样线设计还是需要我们尽快导入的