小米 10 Pro 充电器背后的 65W 氮化镓（GaN）技术

预计 2025 年全球 GaN 快充市场规模有望达 600 多亿元。

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在 2 月 13 日举办的小米 10 线上发布会上，小米推出了体积小巧、性能强大的 GaN 充电器 Type-C 65W，充满配备 4500 mAh 电池的小米 10 Pro 仅需 45 分钟。

据悉，小米 65W GaN 充电器的核心器件采用的是纳微半导体的 NV6115 和 NV6117 GaNFast 充电芯片，它们针对高频、软开关拓扑进行了优化，通过 FET、驱动器和逻辑的单片集成，创建了非常小并且非常快的易于使用的「数字输入、电源输出」高性能电源转化模块。

两款芯片均采用了氮化镓（GaN）这一新型半导体材料，其运行速度比以前的硅（Si）电源芯片快 100 倍。

同时，使用了 GaNFast 技术的小米 65W GaN 充电器，体积只有 56.3 x 30.8 x 30.8mm（53 cc），是标准适配器尺寸的一半。

另据悉，小米早前就已投资了纳微（Navitas）半导体公司，这也为这次合作埋下了伏笔。小米的投资策略是通过资金注入，确立产业链上下游合作，同时兼顾投资和业务的双重收益。而通过此次合作，纳微也得以拓宽销售渠道。

GaN 材料具备高功率、高频率、高导热等优势，所做充电芯片实现了输出大功率的同时保持充电器体积可控。目前市面上已有包括纳微（Navitas）半导体在内的多家厂商布局。

随着用户对便携性和效率的需求提高，预计 2025 年全球 GaN 快充市场规模有望达 600 多亿元，同时也将加速 GaN 芯片在 5G 基站、自动驾驶等其他新兴领域对硅（Si）电源芯片的替代。

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主笔、编辑：森林木 / 深圳湾

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