“我一辈子主要做了两件事，一是攻克了‘甲种分离膜’制造工艺，为原子弹装上‘心脏’，二是研制‘中国芯’。第二件事情还没有做完，我要一直做下去。”
中国科学院上海微系统与信息技术研究所原所长、中国科学院院士邹世昌说。
尽管已90岁高龄，他依然每周去所里一次，了解集成电路研制的最新进展。虽年事已高，壮心不已。他曾经说过，铀分离膜的研制是工作的一个亮点，但绝不是终点。这位刚被授予“全国优秀共产党员”的科学家，一直在路上。时光回溯到1960年8月，一封电报把正在长春出差的邹世昌召到了北京。时任二机部副部长的钱三强约见了中国科学院原上海冶金所党委书记兼副所长万钧、粉末冶金学家金大康和邹世昌，亲自下达了原子弹研制项目中“甲种分离膜”的任务。天然铀中，铀-235只占0.7％。而用于制造核武器的浓缩铀中，铀-235的丰度要达到90%以上。分离铀同位素，是一项十分关键但又十分困难的技术，因为铀的两个同位素铀-238和铀-235，其物理和化学性质极为相似。
当时只有美国、英国、苏联和法国掌握制造分离膜的技术。由于中苏关系恶化，苏联撤走了专家，他们离开时留下的话是，中国绝对做不出分离膜。“我负责工艺，就是要把粉末涂到膜上，试验中碰壁无数。为了让粉有粘度，我动足脑筋，用各种偏方、土方。那可不是一般的调制搅拌，一次调制起码一整天。我带领组员经过一年多‘昏天黑地’的攻关方才告捷。调制成功后，整个实验室一片欢腾……”邹世昌后来回忆。1963年，他们制成了合乎要求的分离膜元件，但焊接成型还是一大难题，当时我国能生产供应的焊头材料达不到焊接工艺要求。邹世昌在苏联留学时曾研究出一种铜合金新材料，他们将这一材料加工成焊接电极，效果很好。1965年，分离膜制造技术通过了国家鉴定，并于同年建厂批量生产。中国成为世界上第五个独立掌握浓缩铀生产技术的国家。
1999年党和国家领导人接见研制“两弹一星”做出突出贡献的科技专家代表。此为合影截图，后排中间为邹世昌“甲种分离膜”制造技术的研制成功，相当于给原子弹装上了“心脏”。1984年，该项技术被授予国家发明一等奖，邹世昌是第二发明人。
奋斗者，不会停歇自己的脚步。20世纪70年代，邹世昌开始转向国际科技前沿的离子束技术研究。离子注入机是芯片制造中至关重要的核心关键装备，攻克离子注入机技术，是中国集成电路产业发展必须跨越的天险。当时，能使用的设备只有国内制造的第一台二十万电子伏特的离子注入机，性能很不稳定。邹世昌参加了CMOS集成电路（电子手表分频器）阈值电压控制的后期部分工作，这是我国首次将离子注入应用于半导体集成电路。1975年9月，在一次国际学术会议上，邹世昌发表了我国第一篇利用离子背散射能谱分析开展半导体研究的论文。令国际同行惊讶的是，一般要用百万以上电子伏特的加速器及精密仪器进行的实验，中国人竟用自己制造的设备做出来了。背后，正是邹世昌带领的团队与上海原子核研究所合作，建立了背散射能谱测量及沟道效应分析系统。老骥伏枥，志在千里。1997年7月，67岁的邹世昌刚刚卸任原上海冶金所所长，转身又受命于创业之际。为建设我国第一条8英寸集成电路生产线，他参加了上海华虹NEC电子有限公司的筹建工作。“我是怀着振兴微电子产业的愿望来的。”一提到我国的半导体产业，邹世昌就不无感慨。早在1965年，原上海冶金所和上海元件五厂就共同研究试制出上海第一块集成电路，几乎与日本同步。但由于种种原因，历经30余年，当时我国仍未建立起规模经营的半导体产业。1995年，邹世昌出国考察时看到，一些起步晚得多的国家的半导体产业后来居上，心里久久不能平静，晚上睡不着觉。
邹世昌参加(前排左三）参加华虹NEC开工仪式（1997年）从谈判到签约，从打桩到建厂房，年近古稀的邹世昌参与了华虹NEC建设的全过程。
1999年2月，公司比计划提前七个月投片生产，标志着我国从此有了自己的深亚微米超大规模集成电路生产线。华虹NEC拥有了独立的知识产权和技术队伍，推出了交通一卡通、社保卡、身份证卡等芯片。这也引发了上海集成电路产业的集群效应，使上海在短短几年形成了一条由电路设计、晶圆制造、封装测试、设备材料、智能卡等不同领域300余家企业构建的集成电路产业链，产能约占全国的三分之一。2009年，上海加快了12英寸集成电路生产线的建设，邹世昌又“转场”成为华力微电子公司董事会的董事，一直做到88岁。“世界是你们的，也是我们的，但是归根结底是你们的……”64年前，邹世昌在苏留学期间亲耳聆听了毛泽东主席这一著名的讲话。当时还是一名年轻人的他受到鼓舞，从此勇敢向前。科研的道路没有终点，因为还有后来人。“有生之年，我还要继续培养年轻人，希望寄托在他们身上。”邹世昌说。
邹世昌（中）与青年科技人员在上海微系统所净化室（2011年）
作者：黄海华
微信编辑：车车
校对：SYL
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