300亿半导体芯片项目进入收尾阶段

据《重庆新闻联播》近日报道，总投资约300亿元的三安意法半导体项目已进入收尾阶段，衬底厂预计本月投产，比原计划提前2个月。

据悉，重庆三安意法半导体项目由重庆三安半导体和安意法半导体共同开展建设，项目分为芯片厂和衬底厂两部分，包括一家专业从事碳化硅外延、芯片、研发、制造、销售的车规级功率芯片制造企业，以及为其提供碳化硅衬底的材料供应商。

其中，“衬底厂”重庆三安半导体由三安光电全资子公司湖南三安半导体于2023年7月全资成立，注册资本18亿元，项目预计投资70亿元，专业从事碳化硅晶圆生长、衬底制造，规划达产年生产能力为8英寸碳化硅衬底48万片。

“芯片厂”安意法由湖南三安半导体（51%）和意法半导体（中国）投资有限公司（49%）于2023年8月共同出资设立，注册资本6.12亿美元。项目总投资32亿美元（约合人民币228亿元），规划达产年生产能力为8英寸碳化硅车规级MOSFET功率芯片48万片，预计营收将达139亿元。

衬底厂则由三安光电利用自有碳化硅衬底工艺，通过全资子公司湖南三安半导体在重庆设立全资子公司重庆三安半导体配套建设，项目总投资约70亿元规划生产8英寸碳化硅衬底48万片/年。

据“三安光电”披露，目前重庆三安意法项目正处于设备进场安装调试的关键阶段，衬底厂预计8月底将实现点亮通线，安意法预计11月底将整体通线。

事实上，当前在新能源汽车、5G通讯、可再生能源等市场的强劲需求带动下，尤其是随着新能源汽车产业的迅速发展，碳化硅市场规模也迎来爆发式增长。2023年整体SiC功率元件市场产值达22.8亿美元，年成长41.4%，而主流应用则是倚重电动汽车及可再生能源。

全球市场研究机构TrendForce集邦咨询表示，作为未来电力电子技术的重要发展方向，SiC在汽车、可再生能源等功率密度和效率极其重要的应用市场中仍然呈现加速渗透之势，未来几年整体市场需求将维持增长态势。集邦咨询预测，2028年全球SiC功率器件市场规模有望达到91.7亿美元。

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