三安光电拟333亿投建半导体相关产业项目
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【创想光电·聚焦】三安大手笔投资，聚灿添置新设备 LED芯片产业又掀“一层浪”！
根据高工产研LED研究所(GGII)数据显示，2016年，全球LED芯片市场规模同比增长7.88%，达到448亿元。GGII预计，2017年全球LED芯片市场规模达510亿元，同比增长13.8%。
自2016年以来，中国LED芯片市场开始回暖，芯片的市场规模增速达到11.54%，考虑到芯片价格在2017年基本上保持稳定，国内芯片生产企业的稼动率大都维持在100%，且芯片大厂纷纷扩产，GGII预计2017年中国LED芯片产值增速将达到30%左右。
基于对芯片产业前景的良好判断，国内几大芯片大厂争相大规模扩产，抢占高地。12月6日，国内芯片行业再传来重大消息。
国内LED芯片大厂三安光电对外公告称，拟投资333亿元在在福建省泉州芯谷南安园区投资注册成立一个或若干项目公司，这一大笔投资着实让业内人士惊叹三安的“壕气”。同日，另一国内芯片上市企业聚灿光电公告称与Veeco签署重大采购合同，公司拟4.61亿元添置MOCVD设备。
12月6日，三安光电发布公告称，公司于 2017 年 12 月 5 日召开第九届董事会第五次会议审议通过了关于公司与福建省泉州市人民政府和福建省南安市人民政府签署《投资合作协议》的议案。
根据协议约定：三安拟在福建省泉州芯谷南安园区投资注册成立一个或若干项目公司，投资总额 333 亿元，全部项目五年内实现投产，七年内全部项目实现达产，经营期限不少于 25 年。
据了解，此次投资的产业化项目为：1、高端氮化镓 LED 衬底、外延、芯片的研发与制造产业化项目；2、高端砷化镓 LED 外延、芯片的研发与制造产业化项目； 3、大功率氮化镓激光器的研发与制造产业化项目； 4、光通讯器件的研发与制造产业化项目； 5、射频、滤波器的研发与制造产业化项目； 6、功率型半导体（电力电子）的研发与制造产业化项目； 7、特种衬底材料研发与制造、特种封装产品应用研发与制造产业化项目。
据悉，项目用地总面积 2500 亩，性质为工业用地，土地使用权期限为 50 年，选址位于园区内。甲方、乙方承诺，按照国有土地使用权相关法律规定办理出让，由项目公司依法参与招拍挂，并于 2017 年 12 月 31 日前依法取得首批 1000 亩，并于 2018 年 3 月 15 日前依法取得余下项目用地 1500 亩。
公告表示，福建泉州市与南安市为推动泉州芯谷南安园区尽快形成规模化生产的III-V族化合物半导体、集成电路的研发及产业基地，提升III-V族化合物半导体、集成电路产业核心竞争力，欢迎并鼓励本公司在园区投资建设化合物半导体、集成电路及相关产业项目，并对项目在园区的发展给予积极支持。
三安光电表示，公司主要从事Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的研发与应用，着重于砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及到外延、芯片核心主业，努力打造具有国际竞争力的半导体厂商。
本次投资项目属于国家着力打造的新兴战略性产业，具有节能环保等特点；符合公司产业发展方向和发展战略，目的是把主业做大做强做精，可充分发挥公司产业协同效应，丰富公司产品类别，大力提升公司产品附加值，延伸公司产业链，有利于进一步扩大公司产能，巩固公司行业地位，继续提升市场占有率，开拓新的应用领域，打造具有全球影响力的化合物半导体企业。
聚灿光电拟4.6亿添置MOCVD设备
12月6日，聚灿光电发布公告，公司与维易科精密仪器国际贸易（上海）有限公司（Veeco Instruments (Shanghai) Co.， Ltd.，以下简称“上海维易科”）签署了两份重大采购合同。公司向上海维易科购置一批金属有机物化学气相标准沉积设备（MOCVD设备，型号：EPIK868 C4），两份合同总额：69，720，000美元（折合人民币约4.61亿元），均采用分批交货、分期付款的方式。
聚灿光电表示，上述合同的实施对公司2017年度经营业绩不产生影响，但随着此批金属有机物化学气相标准沉积设备的投入生产使用，公司新增产能会逐渐释放，预计将对公司以后年度的经营业绩产生积极作用。
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