佳能推出新型MicroOLED制造设备

佳能公司近期宣布，公司将发布用于前端工艺的 FPA-5550iX i-line stepper 半导体光刻系统，该系统可实现 50 x 50 mm 的大曝光范围和0.5 微米的高分辨率。

FPA-5550iX

生产各种设备

新系统具有 50 x 50 毫米的大曝光区域和 0.5 微米的高分辨率，使得大区域的单次曝光成为可能，并具有生产全画幅 CMOS 传感器和其他精度不断提高的设备所需的高分辨率。新系统还能够为头戴式显示器等设备制造小型显示器。它还可以实现制造具有宽视角的高对比度MicroOLED 面板所需的高分辨率单次曝光，这些面板有望作为尖端 XR 设备的显示器而增长。除了半导体设备，新的 FPA-5550iX 还可以制造用于尖端 XR 设备的显示器，从而支持广泛的设备制造。

FPA-5550iX 使用与其前身型号 FPA-5510iX（2015 年 9 月发布）相同的投影镜头，可实现 0.5µm 的高分辨率。得益于 50 x 50 mm 的宽曝光场，该系统可以为全画幅 CMOS 传感器、XR 设备的下一代显示器等执行高分辨率单次曝光。更重要的是，制造工艺已经细化，以确保投影镜头的高质量、稳定生产，其中许多用于系统，以满足对半导体光刻系统的强劲需求。

此外，新的对准范围可以读取更多种类的对准标记扩大了可以使用 FPA-5550iX 的工艺范围。除了测量直射光的“明场检测”功能外，瞄准镜还新增了“暗场检测”功能，可以测量散射光和衍射光，使用户选择范围更广的测量方法。通过扩大可用波长的范围，同时还采用区域传感器进行多像素测量，使低噪声测量成为可能。由于这些进步，该系统可以检测和测量低对比度对准标记。更重要的是，该系统可以选择性地选择可以穿过硅的红外波长，使用户能够测量晶圆背面的对准，这是制造背照式传感器的要求。因此，对准标记测量的灵活性允许该系统用于各种过程。

当与佳能的 Lithography Plus 解决方案平台（2022 年 9 月发布）结合使用时，FPA-5550iX 使操作员能够监控光刻系统的状况并进行分析，从而帮助他们保持适当的质量控制和更高的利用率.

注解：

1. 1纳米（纳米）是十亿分之一米。
2. 1 微米=1/1,000,000 米

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