氮化镓外延领军企业「晶湛半导体」完成数亿元战略融资 | 创新事

近日，苏州晶湛半导体有限公司（“晶湛半导体”）宣布完成 B+ 轮数亿元战略融资。本轮融资由歌尔微电子（歌尔股份 002241.SZ 控股子公司）领投，高瓴创投、惠友资本、创新工场、禾创致远、共青城军合、无限基金、三七互娱、中信证券等跟投，老股东元禾控股、湖杉资本等继续加码。

创新工场执行董事熊昊表示，氮化镓（GaN）在功率、射频、光电领域有广泛的落地场景，尤其在高频和高功率领域应用效果特别出色，更可广泛渗透和推动通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等产业迭代升级，是智能制造不可或缺的关键核心器件。未来氮化镓在各领域的渗透率将快速提升，市场前景广阔。

晶湛半导体由业界公认的硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延技术的开拓者程凯博士于 2012 年 3 月回国创办，坐落于苏州市工业园区，拥有国际先进的氮化镓外延材料研发和产业化基地，致力于为电力电子、射频电子以及微显示等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案，也是目前国际上唯一可供应300mm硅基氮化镓外延产品的厂商，技术实力处于国际领先地位。

在公司发展过程中，晶湛在业内创造过多项第一。

2014 年底，晶湛半导体就率先在全球首次发布商用8英寸硅基氮化镓外延片产品，经有关下游客户验证，该材料具备全球领先的技术指标和卓越的性能，填补了国内氮化镓产业的空白。

2021 年 9 月，晶湛半导体又成功全球首发12英寸硅基电力电子氮化镓外延片，赢得了业内广泛关注。

经过多年的专注发展，晶湛半导体已经成为国内 GaN 材料研发和产业化的领军企业，通过与全球数百家知名半导体科技企业、高校科研院所客户建立广泛深入的合作，多次在行业顶级期刊 Nature Electronics，IEEE Electron DeviceLetters，及国际顶级会议 IEDM 等发布相关创新成果，引起国际半导体界的广泛关注和一致好评。

晶湛半导体高度重视自主研发和核心知识产权工作，在氮化镓外延领域已掌握多项核心技术, 拥有完全独立的自主知识产权，晶湛半导体目前已在国内外累计申请近 400 项专利，其中已获得超 100 项专利授权。

公司还先后荣获苏州市技术发明一等奖、苏州工业园区专利授权十佳企业、苏州工业园区知识产权高质量创造奖、江苏省百件优质发明专利、江苏省高质量发明专利、苏州市优秀专利奖、国家高新技术企业、苏州市独角兽培育企业、苏州市企业工程技术研究中心等一系列资质和荣誉。

近年来，在国家“十四五”规划、“碳达峰碳中和”等重磅利好政策的指导下，在移动手机快充、新能源汽车、下一代移动通信、“元宇宙”和新型显示等市场创新应用的持续推动下，氮化镓迎来了高速发展的历史机遇期，已成为半导体产业的明日之星。

本次 B+ 轮战略融资将主要用于晶湛半导体总部和研发中心建设，项目达产后晶湛半导体将建成国际一流、国内首屈一指的氮化镓电力电子、射频电子以及微显示材料研发生产基地，推动晶湛半导体进入新的发展阶段。

“晶湛半导体拥有全球领先的学术和产业化经验，是全球最早，也是最头部的氮化镓外延技术公司之一。我们相信，在程凯博士的带领下，晶湛半导体将持续引领技术的进步，通过整合上下游的资源，在功率、射频和微显示等终端应用爆发增长的浪潮中，成为产业链上核心的氮化镓器件和材料供应商。”创新工场执行董事熊昊表示。

---

 推荐阅读