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【前沿动态】俄罗斯开发新型超导存储器 读写速度提升100倍
[美国科学促进会旗下科学新闻网站eurekalert 2016年3月15日报道] 俄罗斯科学家开发出一种超导存储单元的控制系统，只需不到1纳秒的时间，就能实现读取与写入速度，较当今所用的类似存储更快几百倍。
来自莫斯科物理技术学院(MIPT)与莫斯科国立大学的科学家在最近一期的《应用物理快报》中发表这项研究成果。
这项理论性的研究成果预测在复杂的约瑟夫森结超导元件中存在双稳态状态。建置这种元件可能需要进行超冷却作业，使其无法真正落实于某些应用。
由莫斯科物理技术学院超导系统量子拓扑现象实验室主任亚历山大为首的一支研究团队，提出了一种在约瑟夫森结类型元件中基于量子效应的存储单元，这是一种“超导体—电介质—超导体”结构的夹层，在接合点的一侧包括了铁磁体和一般金属的组合。这应该是一种可透过横向注入电流于结构中，从而实现在2种状态(1与0)之间切换的双稳态。透过电流流经该接合点，该系统的状态能够因此实现非破坏性读取。
取决于所使用的材料以及特定系统的几何结构，所需的读写作业速度预计约几百皮秒(ps)。
葛鲁伯维奇表示，此外，我们的方法只需要一种磁性层，这表示它可能适应所谓的单通量量子逻辑电路，也就是说不必再为处理器建立一种全新的架构。基于单通量量子逻辑的电脑可实现高达几百兆赫的时脉速度，而且功耗更降低了几十倍。
（来源：中国国防科技信息中心，作者：吴海）
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