天天都在说MPPC(硅光电倍增管),那就来讲一下好啦!【上】
MPPC是什么?
如果小编说“硅光电倍增管”,你应该就会露出“哦,原来是它呀”的表情吧!
来源:haha.mx
硅光电倍增管(Silicon Photomultiplier,SiPM/SSPM)可谓是当下光探测器届的新晋明星,根据其工作原理,也被称为多像素光子计数器(Multi-Pixel Photon Counter),即MPPC。
MPPC由多个工作在盖革模式下的APD组成,虽然本质上是一个光半导体,但它具有优良的光子计数能力,适用于监测在光子计数水平下极弱光的场合,具备着低电压工作、高光子探测效率、快速响应、以及优良的时间分辨率和宽光谱响应范围等特点,并可在抗磁场干扰、耐机械冲击中发挥出固态器件的优势。
滨松MPPC产品
不过,各项优点的核心部分,还是它可以进行“光子计数水平下极弱光的探测”,这也是MPPC得以名声大燥的地方。因为在20世纪90年代前,只有光电倍增管(PMT)能在极弱光精密探测中有所建树。而现在,这位“新选手”已在诸多该类应用中(PET、高能物理、辐射测量等),从传统的PMT领地里开辟出了属于自己的新天地。
MPPC可进行光子计数水平下极弱光的探测
这次,小编为大家准备了一篇滨松牌诚意干货,来深入解读一下这一个被认为潜力无限大的光半导体器件——MPPC。
Part 1
·什么是盖革模式APD
·MPPC的工作原理
·MPPC的8个重要性能参数讨论
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注意了,不光是APD,还是盖革模式的APD!
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在上面的定义中说到了,MPPC由多个工作在盖革模式下的APD组成。首先,APD(Avalanche Photo Diode,雪崩光电二极管)是一种具有高速度、高灵敏度的光电二极管,当加有一定的反向偏压后,它就能够对光电流进行雪崩放大。
而当APD的反向偏压被设定为高于击穿电压时,内部电场更强,光电流则会获得105~106的增益,这种工作模式就叫APD的“盖革模式”。
工作电压(盖革区)
在盖革模式下,光生载流子通过倍增就会产生一个大的光脉冲,而通过对这个脉冲的检测,就可以检测到单光子。将盖革模式下的APD上连接一个淬灭电阻作为1个像素,就构成了MPPC的基本单元,而它输出的总和也构成了MPPC的输出,后则可根据该输出进行光子计数或者信号强度的测量。
MPPC(多像素光子计数器)
MPPC输出的示波器采样图和脉冲分析
所示为MPPC输出在示波器上多次采样的输出叠加,可以看出信号输出明显的分立性,通过脉冲高度分析,可以很清晰的看到,脉冲高度成一定的比例,这个现象表明MPPC可以清晰的分辨出光子的每个脉冲中所含有的光子个数。
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MPPC原来是这样工作的!
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“MPPC”——Multi Pixel Photon Counter(多像素光子计数器),这个命名是从工作原理角度出发得来的。
MPPC的工作原理:
结构图(左)和电场分布图(右)
MPPC由多个工作在盖革模式下的APD并列组成。在盖革模式下,其实每个APD像素输出脉冲高度与进入像素的光子数无关。这意味着,每个APD像素只会对收到或未收光子做出反应并提供信息。
而每个APD像素都连接有一个淬灭电阻,由于所有的APD像素都连接到一个读出电路上,所以每个像素的输出脉冲就会相互叠加形成一个大脉冲。通过测量脉冲的高度或电荷,就可以估计MPPC检测的光子数了。
MPPC输出电荷量计算公式
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关于8个MPPC重要性能参数的 Q&A
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有一些重要的MPPC性能参数项是我们必须要了解的,深入理解它们,可以明确其中相互影响的关系,帮助我们在选择或使用MPPC时更加得心应手。这里,我们提出了关于8个重要性能参数项的常见问题,来为大家一一解读。
1.影响MPPC探测效率的因素有哪些?
MPPC的探测效率=
量子效率×填充因子×雪崩概率
其中填充因子和像素尺寸有关,雪崩概率与工作电压有关。像素尺寸越大,MPPC的探测效率越高;工作电压越高,MPPC的探测效率也越高。
2、MPPC的增益可调吗?
可调但范围有限,因此不建议用户调节MPPC的增益,容易造成暗电流和后脉冲增大。以下图为例,在推荐的工作电压附近,MPPC的增益(黑色实线)具有优良的线性。
滨松MPPC产品S13360的增益与偏压关系曲线
MPPC动态范围和探测器像素多少以及MPPC中像素大小有关系,像素数越多动态范围越大,像素面积越小动态范围越大。
· MPPC的动态范围与其像素总数有关,如下图所示,单位面积内像素越多,多光子同时进入一个像素的概率越小,动态范围越大,单个像素尺寸越小,结电容越小,脉冲越窄,动态范围越大;当像素尺寸相同时,感光面积越大,动态范围越大。
像素尺寸与恢复时间的对比
· 可通过减小像素尺寸,增加探测面积,实现动态范围的改进。
像素大小主要影响增益、光子探测效率、动态范围、重复频率。像素越大,增益越大,光子探测效率增强,动态范围变小,重复频率降低。
· 一个雪崩倍增过程中产生的电子可能没有进入初始的APD像素,而被其他APD像素探测到,使得MPPC的输出脉冲高于本来应有的输出脉冲幅度,产生串扰现象;
· MPPC在雪崩过程中会产生次级光子,次级光子可能会被周围的像素探测到,这也是MPPC串扰的重要来源;
· 串扰与反向偏压有关,反向偏压越大,串扰越严重。串扰也会影响MPPC的光子数分辨能力。
MPPC串扰对比图(所示为串扰改进前后的产品对比)
当一个光子引发雪崩效应后,雪崩电流流经APD,其中的晶格缺陷会捕获载流子,这些载流子如果在本次释放中没有耗尽的话,会引起二次雪崩——后脉冲。引起后脉冲的载流子数量与两次雪崩间隔时间或恢复时间有关。
MPPC后脉冲对比图
MPPC出厂参数提供每一个MPPC芯片的击穿电压,同一批次MPPC的操作电压离散性非常小,MPPC阵列内芯片间的离散性更小。在这方面,滨松可以根据使用者的需要,对于击穿电压提供挑选,还可以根据增益离散性要求为客户提供不同增益范围内的产品提供分别包装。
MPPC的增益与温度有关。当温度升高时,晶体内部的点阵振动加剧。在加速的载流子能量变到足够大之前,增加了载流子撞击晶体的可能性,并且使离子化很难发生。所以,随着温度的升高,反向偏压不变时,增益下降。为了得到稳定的输出,根据温度,改变反向偏压或保持温度恒定是很有必要的。
· 滨松MPPC的温度系数是用来维持增益不变的,增益系数用每摄氏度改变偏压量来表示,以S13360系列为例,温度系数是54mV/℃。
· 温度升高,暗计数变大。温度降低,载流子因晶体缺陷被截留的概率也越高,后脉冲增加。此外,MPPC增益与温度有关,温度升高且反向偏压不变时,增益下降。
· 为了得到稳定的输出,根据温度改变反向偏压或保持设备的温度恒定是很有必要的。因此,可以通过温度补偿电路或制冷的方式实现电压控制或温度控制,以满足增益、暗计数等的要求。
最后展现的以下表格,是滨松MPPC产品相关的重要性能参数一览,而在接下来的Part 2中,小编将更多从滨松自身MPPC技术的角度,以Q&A的形式,继续为大家进行MPPC基础知识的解析。
点开图片可查看大图
Part 2看点
噪声、探测率、串扰、后脉冲、增益和偏压之间的变化关系是什么?
MPPC和APD有什么区别和联系?
MPPC的增益来源和PMT的增益来源有什么区别?MPPC和PMT相比有哪些方面的优劣势?
TSV技术有什么优势?
MPPC工作电压选择原则?
模拟输出型MPPC模块与数字输出型MPPC模块主要有哪些区别?
MPPC的脉冲测试原理是什么?
MPPC能否用于单光子计数?能否用于化学发光免疫分析?
MPPC能否用于单光子事件、双光子事件的分辨?
制约MPPC应用的主要因素有哪些?
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