加速IGBT国产化！比亚迪半导体将独立上市，市值或达300亿元！

4月14日晚间，比亚迪发布公告宣布，近期已经通过下属子公司间的股权转让和业务划转，完成了对全资子公司深圳比亚迪微电子有限公司（下简称“比亚迪微电子”）的内部重组，并正式更名为比亚迪半导体有限公司（下简称“比亚迪半导体”）。比亚迪表示，拟以增资扩股等方式引入战略投资者，积极寻求于适当时机独立上市。不过，引入战略投资者完成后，比亚迪半导体将仍为比亚迪控股子公司。

资料显示，比亚迪微电子成立于2004年10月，是比亚迪的第六事业部，主要承担着公司集成电路及功率器件的开发、整合性晶圆制造服务的生产任务。事业部现有员工2300余人，在深圳、宁波拥有两大生产基地。目前产品主要覆盖功率半导体器件、IGBT功率模块、电源管理IC、CMOS图像传感器、传感及控制IC、音视频处理IC等。应用领域覆盖了对光、电、磁及声等信号的感应、处理及控制，提供IC产品及完整的解决方案。相关产品可广泛应用于汽车、能源、工业、通讯和消费类电子领域。

根据比亚迪此次公布的内部重组方案显示，比亚迪微电子将受让宁波比亚迪半导体有限公司100%股权和广东比亚迪节能科技有限公司100%股权，并收购惠州比亚迪实业有限公司智能光电、LED光源和LED应用相关业务。

重组后比亚迪将完成半导体业务的聚焦和深度整合，主要业务覆盖功率半导体、智能控制IC、智能传感器及光电半导体的研发、生产及销售，拥有包含芯片设计、晶圆制造、封装测试和下游应用在内的一体化经营全产业链。

比亚迪表示，作为国内车规级 IGBT领导厂商，未来，比亚迪半导体仍将以车规级半导体为核心，同步推动工业、消费等领域的半导体发展，致力于成长为高效、智能、集成的新型半导体供应商。

国产IGBT产业链正在崛起

资料显示，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）是由 BJT（双极型三极管）和 MOSFET（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动功率半导体器件，结合了 BJT 和 MOSFET 的优点，既有 MOSFET 的开关速度快、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有 BJT 导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，在高压、大电流、高速等方面是其他功率器件不能比拟的，因而是电力电子领域较为理想的开关器件，在逆变/变频、开关电源、电力电网、牵引传动等领域有着广泛应用。

例如，电动汽车在转换过程中，电池电压一般在200V以上，过流能力在300A以上，功率器件的击穿电压在600-1200V左右，开关频率在20KHz以内，所以需要对高压大电流进行操作，主要通过IGBT来实现，堪称称电力电子装置的“CPU”，是轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车、新能源装备等领域的核心技术。

近年来，随着电动汽车市场的快速增长以及配套的充电桩需求的快速爆发，对于IGBT的需求也呈井喷之势。资料也显示，IGBT是新能源汽车电控系统和直流充电桩的核心器件，其成本占到新能源整车成本的10%，占到充电桩成本的20%。

2018 年全球 IGBT 市场规模 50 亿美元，同比增长 11.06%。其中中国 IGBT 市场规模达 21 亿美元，约占全球 40%，是全球最大市场，远超日本 19%、欧洲的 23%、美国的 5%、其他地区的 13%。近几年，下游领域的加速发展推动国内 IGBT 需求迎来爆发，预计到 2023 年中国 IGBT 市场将达 30.1 亿美金，复合年增长率为 8％，增速远超其他，本土 IGBT 市场景气度凸显。

虽然中国市场对于IGBT的需求巨大，但由于国内相关人才缺乏，工艺基础薄弱，国内企业产业化起步较晚，多年来IGBT模块大部分仍依赖进口，IGBT核心技术也主要掌握在美国、日本、欧洲等国外厂商手中。

从IGBT技术的发展历程来看，也主要由国外厂商推动了 IGBT 从第一代升级至第七代，从早期 PT 穿通型、NPT 非穿通型，发展到最新的增强沟槽栅 FS 型，在工艺线宽、芯片面积、饱和压降、关断时间、能耗等方面显著提升。其中，芯片面积减少了 2/3，功耗降低了 80%。芯片面积缩小超过 70%，硅片厚度减少 1/3 以上，从而使得制造成本、可靠性及产品性能均得到大幅改善。目前三菱电机、瑞萨等基本处于第 7-8 代 IGBT。而以华虹、华润微电子为首的国内企业，目前还只掌握第 6 代 IGBT 技术，但这已经是代表了中国最先进的 IGBT 技术。

得益于技术上的领先性，全球IGBT 市场份额也主要集中在美日欧厂商手中。根据IHS Markit的数据显示，2017年全球前五大 IGBT 厂商分别为英飞凌、三菱、富士电机、安森美、瑞士 ABB 等，前五厂商份额超过了70%，国内企业目前的市场份额普遍偏小。数据显示，目前国内IGBT市场90%仍依赖于进口。

最近几年，随着国家的重视与扶持，中国半导体产业的发展迅速，我国IGBT产业化水平有了一定提升，部分企业已经实现量产，本土 IGBT 产业链已经初步完善。

目前，国内的华虹、华润微、中芯国际、中车、斯达半导、士兰微、比亚迪等在 IGBT 上进步较快，其中华虹成功量产 600V-1700V 基于沟槽结构的 NPT 和 FS（晶圆减薄）型 IGBT，华润微则开发了 600V-1200V 平面与 Trench NPT 型 IGBT，而株洲中车则突破了 1700V-6500V 沟槽栅 IGBT 全套工艺，斯达也突破了 600V-3300V 平面与 Trench NPT 型 IGBT。而比亚迪也依靠自身下游新能源整车厂的带动，将自研自产的IGBT 导入，目前 IGBT 芯片产能约在 10 万片/月。

需要指出的是，比亚迪是目前国内唯一一家拥有IGBT完整产业链的车企，掌握了从IGBT芯片设计和制造、模组设计和制造、大功率器件测试应用平台、到电源模块及电控等关键环节。

比亚迪的IGBT自研之路

早在2005年之时，比亚迪就成立了IGBT研发团队。那么比亚迪为何要自研IGBT呢？

当时任深圳比亚迪微电子有限公司高级研发经理的吴海平就曾在一个论坛上表示，“因为我们做电动车做的比较早，当时在市面上几乎找不到针对电动车的IGBT，基本上都是工业级的IGBT。我们也找过一些厂家去谈定制，基本上都不理，所以当时也是被逼的没有办法才做这个事情。”

随后在2008年收购了宁波中玮，2009年比亚迪推出IGBT 1.0技术，模块厂正式投产（采用的是外购芯片），2011年实现比亚迪e6的批量装车。2012年比亚迪自研的IGBT开始大规模量产。数据显示2015年，比亚迪IGBT模块销售额超过3个亿，2017年底在汽车上累计出货超过50万支。

2018年12月，比亚迪全资子公司比亚迪微电子发布了全新一代车规级IGBT标杆性产品——比亚迪IGBT 4.0。打破了从前被欧美和日本公司垄断的现状，甚至在电流输出、综合损耗及温度循环寿命等许多关键指标上超越了像德国半导体巨头英飞凌等主流企业的产品。

据介绍，比亚迪IGBT 4.0相比当时市场上的主流的IGBT在电流输出能力上要高出15%，同等工况下，综合损耗较当前市场主流的IGBT降低了约20%。温度循环寿命可以做到当前市场主流IGBT的10倍以上。

目前，比亚迪已经拥有国内首个车用IGBT产业链条，包括IGBT芯片设计、晶圆制造、模块封装等部分，还有仿真测试以及整车测试。目前比亚迪IGBT芯片晶圆的产能为10万片/月，年供应新能源汽车或达120万辆。

经过十余年的研发积累和于新能源汽车领域的规模化应用， 比亚迪半导体目前已成为国内车规级 IGBT领导厂商。

此前集邦咨询的分析报告也指出，比亚迪微电子凭借拥有终端的优势，在车用IGBT市场快速崛起，取得中国车用IGBT市场超过两成的市占率，一跃成为中国销售额前三的IGBT供应商。这样的成绩得益于比亚迪一直以来在IGBT领域的大力研发投入，根据统计数据显示，截至2018年11月，比亚迪累计申请IGBT相关专利175件，其中授权专利114件。

需要指出的是，虽然此前比亚迪的IGBT主要是自用，但是 IGBT 4.0推出之时就已经实现对外供应。今年1月，长沙比亚迪半导体有限公司也正式成立，随后长沙比亚迪IGBT项目正式启动建设，这些都是为进一步加强IGBT产业相关布局。

而随着此次比亚迪半导体的独立，无疑将有利于其IGBT客户的扩展，进一步推动其IGBT业务的增长，加速IGBT的国产化进程。

安信证券也指出，引入战略投资者、独立上市一方面可以减轻上市公司融资压力，为比亚迪半导体的持续研发提供资金支持；另一方面，更高的独立性有利于比亚迪半导体拓展更多客户，实现更快发展。

另据中金公司预计，比亚迪半导体拆分上市后可达300亿市值。花旗发表的研究报告也表示，比亚迪半导体业务若独立上市将大力提高现在上市公司的现金状况，同时为后续电池业务的IPO奠定基础。

另外值得一提的是，比亚迪还发布公告称，宣布陈刚已辞任公司副总裁职务，自公告日生效。辞任后，陈刚将专职担任比亚迪半导体董事长及总经理职务，专注于比亚迪半导体的经营发展。

编辑：芯智讯-林子

注：部分资料来源中信建投、兴业证券、海通证券

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