ASML CEO：High-NA EUV将于2024年出货，每台价格至少3亿欧元！

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11月15日消息，综合韩联社、koreatimes报道显示，全球光刻机龙头大厂ASML首席执行官温宁克（Peter Wennink）于今日在韩国首尔召开的一场新闻发布会上表示，ASML新一代的High-NA EUV光刻机将于2024年开始发货，每台设备的价格将在3亿至3.5亿欧元之间。

持续扩大在韩国投资

去年11月，ASML与韩国华城市签署了一份备忘录，宣布投资2400亿韩元（2.12亿美元），于2024年前在当地打造一座16,000平方公尺的维修中心和工程师培训中心，可容纳多达1500名员工。

根据计划，ASML韩国维修中心和工程师培训中心项目将于明日（2022年11月16日）举行开工仪式。为此，ASML CEO温宁克也亲自来到韩国，明日将与韩国政府官员及半导体行业人士共同参与开工仪式。在此之前，温宁克出席了ASML于今日在韩国首尔举行了一场新闻发布会，介绍了ASML在韩国的发展愿景。

在“技术复杂性（芯片制造）上升”之际，与韩国当地客户密切合作“至关重要”。ASML CEO 温宁克补充说，“在这里设立一个培训中心也非常重要，因为这将有助于让技术更贴近客户。”

ASML正在持续增加在韩国的研发投资，目标是在未来 10 年内在韩国再雇用1400 名员工。同时，ASML有望在未来几年在韩国建设研发中心和制造工厂。温宁克表示，建立韩国供应基地是ASML进一步发展的“重要机会”。

持续扩大产能

虽然自今年以来，由于全球经济衰退，使得全球半导体产业也受到较大影响，再加上中美之间的贸易摩擦，也给全球半导体产业的发展带来了不利的影响。

在今天的新闻发布会上，温宁克也表示，明年半导体也仍将面临全球经济衰退风险所带来的困难。但是，他仍非常有信心的预测，全球半导体市场在未来十年内仍将保持平均每年9%的增长。预计到2030年，全球半导体市场将达到1万亿至1.3万亿美元。

温宁克还以汽车市场为例介绍到，越来越多的汽车正在实现数字化，这将导致40nm至5nm芯片在汽车中的应用。尽管汽车行业主要使用传统工艺节点制造的芯片，但预计未来也将转向使用更先进制程的芯片。

“市场对于我们产品的需求仍然高于我们的生产能力”，温宁克说：“我们的客户必须相信经济衰退的持续时间比我们机器的平均交货时间短。”

不久前，ASML公布了2022年第三季度财报，销售额和利润均超出市场预期，新的净预订额也创下了纪录。当时，温宁克也强调，“由于包括通货膨胀、消费者信心在内的一系列全球宏观经济问题，市场存在不确定性和衰退的风险。虽然我们开始看到每个细分市场的需求动态不同，但对我们系统的整体需求仍然强劲。”

为了提升ASML的交付能力，近日，ASML也宣布了其扩产计划，即在2025-2026年，将EUV光刻系统和DUV光刻系统的产能分别提升到90个和600个；2027-2028年将High-NA系统的产能提高到20个。

High-NA EUV预计2024年出货，每台价格至少3亿欧元

在今天的新闻发布会上，温宁克还介绍了ASML新一代High-NA EUV光刻机的进展，预计将于2024年开始发货，每台设备的价格在3亿至3.5亿欧元之间。

众所周知，目前ASML是全球最大的光刻机供应商，同时也是唯一的EUV光刻机的供应商。

由于EUV光刻系统中使用的极紫外光波长（13.5nm）相比DUV 浸入式光刻系统（193 nm）有着显着降低，多图案 DUV 步骤可以用单次曝光 EUV 步骤代替。可以帮助芯片制造商继续向7nm及以下更先进制程工艺推进的同时，进一步提升效率和降低曝光成本。

目前，EUV光刻机可以支持芯片制造商将芯片制程推进到3nm制程左右，但是如果要继续推进到2nm制程甚至更小的尺寸，就需要更高数值孔径（NA）的High-NA光刻机。

相比目前的0.33数值孔径的EUV光刻机，High-NA EUV光刻机将数值孔径提升到0.55，可以进一步提升分辨率（根据瑞利公式，NA越大，分辨率越高），从0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到0.55 NA EUV的低至8nm分辨率（通过多重曝光可支持2nm及以下制程工艺芯片的制造）。

目前，台积电、三星、英特尔等头部的晶圆制造厂商也正在大力投资更先进的3nm、2nm技术，以满足高性能计算等先进芯片需求。而ASML新一代的高数值孔径 High-NA EUV光刻机也就成为了争夺的关键。

在2021年7月底的“英特尔加速创新：制程工艺和封装技术线上发布会”上，英特尔已宣布将在2024年量产Intel 20A工艺（相当于台积电2nm工艺），并透露其将率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。根据英特尔披露的信息显示，其还将于2024年量产更先进的Intel 18A工艺。

ASML总裁兼首席技术官Martin van den当时就表示，英特尔对ASML在High-NA EUV技术的远见和早期承诺证明了对摩尔定律的不懈追求。

今年9月，台积电研究发展资深副总经理米玉杰也对外表示，台积电将在2024年取得ASML新一代High-NA EUV光刻机，为客户发展相关的基础设施与架构解决方案。台积电业务开发资深副总经理张晓强则表示，2024年取得设备后，初期主要用于与合作伙伴共同研究，尚不会量产。具体的量产将会是在2025年。

而根据ASML今年4月披露的信息显示，目前ASML在位于 Veldhoven 的新洁净室中已经开始集成第一个High-NA EUV光刻系统（EXE:5000）。今年第一季度收到了多个EXE:5200系统（量产版High-NA EUV光刻系统）的订单，今年4月还收到了额外的EXE:5200 订单。目前，ASML收到了来自三个逻辑厂商和两个存储厂商的 High-NA EUV订单。显然，这里提到的三个逻辑晶圆厂应该是英特尔、台积电和三星，两个存储晶圆厂应该是三星和SK海力士。

△ASML首个High-NA EUV光刻系统