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【文/观察者网 尹哲】连日来，中国企业突破芯片技术封锁的好消息应接不暇。

ASML的光刻机安全降落武汉天河机场，正在卸货中。

据“快科技”、“集微网”等媒体19日报道，当天中午，长江存储购买自荷兰ASML的光刻机运抵武汉天河机场。这是长江存储的首台光刻机，陆续还会有多台运抵。

报道称，该设备在相关的海关、商检及边防口岸的相关手续办理完成后，即可运至长江存储的工厂。据介绍，这台光刻机为ASML的193nm浸润式光刻机，售价7200万美元（约合人民币4.6亿元），可用于14-20nm工艺。这也从侧面透露了长江存储3D NAND闪存芯片的工艺制程。

值得注意的是，这是一周以来，中国企业第二起突破芯片技术封锁的事件。

此前，观察者网援引日媒消息报道，中芯国际耗资1.2亿美元从荷兰ASML购得世界上最先进的EUV（极紫外线）光刻机，未来可用于生产7nm工艺芯片。

“这仅是刚刚开始”

长江存储是以紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北国芯产业投资基金（有限合伙）、湖北省科技投资集团作为发起人，以武汉新芯为基础注册组建的国家存储器基地项目实施主体。

2016年3月，长江存储启动了位于武汉的国家存储器基地的建设，总投资240亿美元，计划2018年投产，2020年形成月产能30万片的规模。

是年12月，国家存储器基地正式动工，计划分三个阶段，共建三座3D-NAND Flash厂房。

其中，第一阶段的厂房已去年9月完成建设。

2018年4月11日，芯片生产机台正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段。

紫光集团全球执行副总裁暨长江存储执行董事长高启全更是披露：长江存储的3D NAND Flash已经获得第一笔订单，总计10776颗芯片，将用于8GB USD存储卡产品。

他在接受采访时强调：“这仅是刚刚开始”。

今年底，基地就将进行试产，初期投片量不超过1万片，用于生产32层3D-NAND Flash产品，不少产业链企业都拿到了样片测试。

明年，长江存储力争64层堆叠3D闪存实现规模量产，单颗容量128Gb(16GB)，与世界领先水平差距缩短到2年之内。

另外，紫光集团在武汉、南京、成都三地都有300mm闪存晶圆厂，这次率先启动的是武汉工厂，同时募集的800亿元资金也已经全部到位。

用不了多久，用户就能看到基于国产闪存的智能手机、SSD固态硬盘等产品。

产业研究分析机构集邦科技（TrendForce）4月19日指出，中国存储芯片产业目前以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于移动存储芯片的合肥长鑫以及致力于普通存储芯片的晋华集成三大企业为主。

以目前三家厂商的进度来看，试产时间预计将在2018年下半年，量产时间可能都在2019年上半年，这预示着2019年将成为中国存储芯片生产元年。

“比肩半导体巨头，资金投入必不可少”

据《第一财经》今年4月的报道，去年6月，合肥长鑫的厂房封顶完工，去年第三季开始搬入测试用机台。

2017年6月15日，上海宝冶江苏分公司合肥长鑫项目举行“长鑫12吋存储器晶圆制造基地项目、攻坚誓师大会”。

其计划将在今年第三季试产，量产则暂定在2019年上半年，进程比预期延后。

此外，由于合肥长鑫直接进攻三大DRAM厂（三星、SK海力士和美光）最重要产品之一的LPDDR4 8Gb，后续面临专利争议的可能性较高，为避免这一状况，除了积极积累专利之外，初期可能将锁定在中国市场销售。

与合肥长鑫进度大致相同，专注于普通存储芯片的晋华集成，在2016年7月宣布在福建省晋江市建设12英寸晶元厂，投资金额约53亿美元。

2017年11月21日，台湾联电与晋华集成合作的12吋随机存取存储器（DRAM）生产线FAB主厂房的封顶仪式。

以目前进度来看，晋华集成普通存储芯片的试产延后至今年第三季度，计划在明年上半年量产。

集邦科技指出，由于两家DRAM厂（合肥长鑫、晋华集成）预估初期量产规模并不大，短期难以撼动全球市场现有格局。

“无论是DRAM还是NAND产品，各家都是初试啼声，相比耕耘多年的存储芯片大厂面临更多挑战，因此也不排除中国存储芯片厂量产时间比预期延后的可能性”。

长期来看，随着中国存储芯片产品逐步成熟，预计2020-2021年两家DRAM厂商现有工厂将逐步满产，在最乐观的预估下，届时两家合计约有每月25万片的投片规模，可能将开始影响全球DRAM市场的供给。

另一方面，长江存储计划设有三座厂房，总产能可能高达每月30万片，不排除长江存储完成64层产品开发后，可能将进行大规模的投产，进而在未来三到五年对NAND Flash的供给产生重大影响。

而该企业也被视为中国在存储领域赶超并挑战诸如三星电子、东芝、SK海力士、镁光和英特尔等市场领导者的希望。这些市场领导者垄断了2017年全球NAND闪存市场。

微信公众号“科工力量”此前报道，三星，东芝，镁光和SK海力士等境外存储芯片大厂近期都在大肆扩建工厂。

2018年3月28日，三星存储芯片二期项目开工奠基仪式在西安举行。预计整个工厂的扩建工作要到 2019 年结束。

2018年3月，三星在西安举行了存储芯片二期项目开工奠基仪式，未来三年将投资70亿美元，把晶圆的月产量提升至22万片；

东芝被贝恩资本收购后，也表示将投资70亿美元开建存储芯片工厂，并计划在2019年量产96层的3D NAND Flash芯片。

另外，镁光在新加坡的3座存储芯片工厂也于最近动工，并计划在2019年底商业化量产64层或96层3D NAND芯片；

SK海力士新建的工厂计划在2019年投入运营。

值得注意的是，从上述情况可以看出，前述国外大厂新建的产能纷纷将实现商业化量产目标聚焦于2019年，这也恰好是长江存储开始商业化量产的时间点。

在全球NAND Flash产能大幅提升的情况下，存储芯片的价格有可能会逐渐走低，这对于刚刚开始与国际大厂竞争的长江存储来说，着实不是一个好消息。

由于没有赶上前一轮存储芯片大涨价之后，又即将与国际大厂开启白刃战，长江存储在未来几年可能会遭遇类似京东方早年的长期亏损的局面。

不过，令人欣慰的是，紫光集团董事长赵伟国不仅有着“紫光芯强国梦”，还有“十年砸1000亿美元”的底气。

赵伟国在中国电子信息博览会数字经济前沿论坛上作主题演讲。

4月9日，赵伟国在第六届中国电子信息博览会论坛上，先澄清了关于其辞职的传闻。

随后，他透露，目前武汉基地长江存储800亿元人民币投资基本到位，32层64G的3D-NAND Flash将于今年小规模量产。明年量产64层128G的3D NAND Flash。

他补充道，“接下来，将在武汉和南京复制同等规模工厂，各投资500亿元人民币。总共1800亿元”。

除此以外，紫光集团正在和重庆政府、国家大基金发起紫光国芯集成电路股份有限公司，注册资本1000亿人民币。希望再筹资900亿，达1900亿元。

“加上之前的1800亿，总共3700亿元，足够紫光五年的弹药”。

而在谈到为何每年要保持100亿美元的投资强度时，赵伟国坦言，三星去年半导体技改和研发投入超过260亿美元，英特尔、台积电每年也都超过100亿美元。比肩国际半导体巨头，资金投入必不可少。

苹果正与长江存储谈合作

据日经亚洲评论（Nikkei Asian Review）2月14日报道，苹果正在与长江存储进行谈判，以购买其生产的NAND闪存芯片。

报道截图

对于长江存储来说，如果能够和苹果这样的巨头签订大单，将是一个巨大的好消息，即便最初的订单不多。

对中国而言，长江存储与苹果的交易将有助于减少对外国芯片供应的依赖，因而愿意大举投资。

如果交易达成，这意味着苹果首次从中国内存芯片制造商进行采购，将大幅度提升当地产业。

但业内人士表示，长江储存或许在2020年后才能够达到苹果所要求的标准进行生产。

据两位知情人士透露，苹果将在新款iPhone机型和一些在专供中国市场的产品上使用这些芯片。

目前，苹果主要从东芝、西部数据（Western Digital）、SK海力士和三星电子等企业手中购买NAND闪存芯片。

目前，武汉新芯是长江存储全资子公司。

据该公司官网介绍，其成立于2006年，2008年开始正式量产。主要面向全球客户提供专业的12英寸晶圆代工服务，专注闪存和特种工艺产品的研发和制造。

武汉新芯是业界领先的NOR Flash供应商，产品覆盖主消费类、工业物联网、汽车电子等各类终端市场。

武汉新芯生产的图像传感器（CIS）芯片兼备高性能和低功耗的优势，已成功打入国内主流智能手机品牌供应链。

截至2017年年底，武汉新芯NOR Flash晶圆出货量已经超过75 万片，覆盖从消费类到工业级，乃至汽车规范的全部NOR Flash 市场。

看看国外黑科技，惊到了……

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