其他
应用副边谐振技术的单端反激式变换器,可有效降低电磁干扰
阅读征文通知,请戳上面标题 ▲
联合主办
中国电工技术学会
北京交通大学轨道交通控制与安全国家重点实验室
联合承办
中国电工技术学会轨道交通电气设备技术专委会
国家高速列车技术创新中心
《电气技术》杂志社
会议日期/地点
2019年10月25-27日/山东青岛
当前,随着对开关电源高频化、小型化、模块化的研究不断深入,电磁干扰(Electromagnetic Interference, EMI)问题成为不可忽视的一个重要方面。解决EMI的方法有很多,最常用可靠的方法是在系统输入端加入EMI滤波器,可以阻断EMI传播路径,甚至消除EMI噪声,但EMI滤波器存在体积大、成本高等缺点,设计时须考虑阻抗失配原则,增加了其设计难度。
有一种技术是通过随机调制脉宽调制(Pulse Width Modulation, PWM)的频率,如混沌调制技术、双频率控制技术等方法,可以根本性地降低EMI水平。文献[8]就采用了频率调制的方法,发现该技术能均匀分散噪声频谱的峰值能量,但传导干扰的总量不变。这种拓展频带的技术可以将噪声的峰值能量均匀分散,对EMI的优化效果显著,不过容易造成系统的不稳定,频率抖动范围较大时反而会造成EMI噪声升高。
软开关技术通过降低系统产生的du/dt和di/dt改善EMI噪声。这类技术设计初期的目的是降低开关损耗,提高电源效率,顺带着降低EMI水平。文献[14]提出了一种移相软开关变换器,不仅实现了零电压开通(Zero Voltage Switching, ZVS),共模干扰还降低了10~20dB V。不过软开关技术根据应用拓扑的不同,实现方案多种多样,是否可以降低EMI水平不能一概而论,需要对特定拓扑和特定软开关方案做进一步研究。
文献[15,16]提出了副边谐振思想,但仅是研究其软开关特性,并未研究其EMI水平。本文在反激变换器中引入副边谐振技术研究其EMI水平的变化。只需在反激拓扑的副边增加一只小电容和一只二极管,利用副边漏感即可构造谐振支路。
在分析了副边谐振变换器的工作模态、EMI的噪声源及耦合路径的基础上,推导出EMI优化理论。搭建一组仿真模型和60W实物样机,采集功率器件的电压/电流波形并计算频谱与传统反激变换器做对比分析,实验结果发现该技术有效降低了EMI水平。
联系我们
《电工技术学报》:010-63256949/6981
邮箱:dgjsxb@vip.126.com
《电气技术》:010-63256943
邮箱:dianqijishu@126.com
编务:010-63256994;订阅:010-63256817