北京交通大学邵天骢讲师：碳化硅MOSFET栅极振荡的一种负反馈抑制方法

Original 电气技术杂志社电工技术学报 2022-09-26

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2022年4月10日，中国电工技术学会第22期青年云沙龙在线上召开，本期云沙龙主题为“先进电力电子变换技术与应用”。北京交通大学邵天骢讲师应邀就“碳化硅MOSFET栅极振荡的一种负反馈抑制方法”作报告。现将邵天骢讲师的报告分享给各位读者，以期促进本领域的学术交流和技术进步。

专家简介

邵天骢，北京交通大学电气工程学院讲师。在SCI期刊和国际会议发表论文20余篇，申请授权发明专利10余项。担任IEEE TPEL, IEEE TIE等多个国际期刊审稿人。获第十四届中国高校电力电子与电力传动学术年会优秀论文奖。主要研究方向：宽禁带器件有源驱动、新型拓扑及控制方法。

报告简要

邵天骢讲师分享了碳化硅栅极振荡的负反馈抑制方法的报告，针对器件高速开关动作过程中栅极路径，分析脉冲电压、电流干扰，提出了一种基于跨导增益的栅极负反馈控制方法，有效抑制了开关过程中栅极振荡。

（1）在负反馈控制机制的基础上，提出了一种利用P沟道辅助MOSFET和一个辅助电容以及驱动电阻的负反馈有源驱动（Negative Feedback Active Gate Drive, NFAGD），用于器件快速开关过程中的串扰和栅极寄生振荡抑制；
（2）所提NFAGD通过反馈控制回路，控制栅极电压跟踪驱动参考电压，反馈机制将减弱干扰，降低感应产生的串扰和寄生振荡；
（3）与传统驱动相同，NFAGD可以控制栅压跟踪驱动参考电压，从而控制MOSFET的开通和关断；
（4）与传统驱动相同，NFAGD驱动的SiC MOSFET，开关速度可以根据设计的时间常数灵活变化；（5）与传统的栅极驱动方式(WOS、PS、AMC)相比，在测试的工况下，提出的NFAGD提高了整体开关性能，并使感应出的栅压扰动减小。