南京日托张凤鸣：MWT技术将是未来晶体硅产业化的重要力量之一

业内普遍认为，未来有前景的晶体硅电池、组件的发展方向必然需要：1、具有适度规模的新技术，如黑硅、PERC、MWT、N-Si等等；2、薄硅片的使用；3、少银或无银电池的生产制造；4、更低的制造成本；5、易兼容其他产业化的先进技术。同时具备以上特性的MWT无疑是未来晶体硅产业化高效技术的重要力量之一。

据南京日托光伏科技股份有限公司董事长张凤鸣博士介绍，常规电池片的正负电极分别位于电池片的正反两面，而MWT电池片的正负电极均位于电池片的背面，这一技术被称为MWT背面接触技术。这一技术的实现需要：第一，在电池片上设计贯穿电池片的孔洞；第二，利用导电浆料将这些孔洞填充从而将正面的电极引到背面；第三，将引到背面的相应区域与背面电场进行隔离。由于无主栅，电池遮光面积减少、正面银浆消耗更低、具有更高的转化效率，解决了焊带焊接的问题是MWT电池的明显优势。

据介绍，MWT焊带的厚度大约在0.22毫米，目前使用的硅片的厚度大多在0.18-0.19毫米，因为硅片没有柔性，经焊带实现的电池片之间的串联产生的应力影响了组件的可靠性，也带来了组件封装损失大、封装密度低、外观单一等问题。而MWT组件里电池片之间的串联采用的是金属导电线路，无应力，可靠性好，封装损失小，封装密度高，外观更美观，电池栅线图案可以定制化。其组件封装类似于半导体集成电路的装配技术。由于不使用焊带，更薄的硅片得以使用。

同时，MWT技术具有兼容性，可以兼容单、多晶以及P型、N型，兼容黑硅、PERC等电池技术。张凤鸣预计，在未来5-10年兼容的MWT产品将占据80%以上的市场份额。

可靠数据证实，在实际应用中，MWT产品同样表现优异。在对MWT组件与常规组件的可靠性测试对比中发现，在相同老化条件下，MWT组件的衰减较常规组件减少一半以上，并且在三倍加严的测试条件下，均表现出优异的抗老化性能。

2014年8月到2015年8月对应用在光伏系统中的10个MWT多晶组件和10个常规多晶组件进行为期一年的对比实验。一年后，实验组件重新在完全一样的测试条件下再次测试各项性能参数，结果显示：经过一年的运行，MWT背接触组件的功率衰减为1.78W，常规组件的的功率衰减为4.58W，即MWT组件因无应力导致发电能力高出1.1%，而因采用导电背板导致的较低工作温度使得MWT组件的发电能力高出1.6%。因此，MWT组件的总体发电能力比常规组件高出3%左右。张凤鸣介绍，常规组件每瓦系统年发电量一般在1-1.3度左右，考虑到衰减，采用常规组件的系统整个25年生命周期的总发电量为23-30度左右，而采用MWT组件的系统多发电量为0.69-0.9度。

MWT组件的综合优势可以归纳为：功率更高；发电能力更强；可靠性更好；稳定性更好；发电成本更低；未来具备进一步的降低成本的巨大潜力。

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