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半导体学报2020年第8期目次

半导体学报 半导体学报

Special Issue on Monoelemental 2D Semiconducting Materials and Their Applications

J. Semicond. Volume 41, Number 8,August 2020


RESEARCH HIGHLIGHTS

High Curie temperature ferromagnetism and high hole mobility in tensile strained Mn-doped SiGe thin films

Jianhua Zhao
J. Semicond. 2020, 41(8): 080201
doi: 10.1088/1674-4926/41/8/080201

A crystal graph multilayer descriptor

Dahai Wei

J. Semicond. 2020, 41(8): 080202

doi: 10.1088/1674-4926/41/8/080202


NEWS AND VIEWS

Photodetectors based on 2D material/Si heterostructure

Jingshu Zhou, Juehan Yang, Zhongming Wei

J. Semicond. 2020, 41(8): 080401
doi: 10.1088/1674-4926/41/8/080401


A new single-element layered two-dimensional semiconductor: black arsenic

Mianzeng Zhong, Jun He

J. Semicond. 2020, 41(8): 080402
doi: 10.1088/1674-4926/41/8/080402


EDITORIAL

Preface to the Special Issue on Monoelemental 2D Semiconducting Materials and Their Applications

Han Zhang, Xiantao Jiang, Yeliang Wang, Krassimir Panajotov, Shengli Zhang

J. Semicond. 2020, 41(8): 080101
doi: 10.1088/1674-4926/41/8/080101


REVIEWS

Physical vapor deposited 2D bismuth for CMOS technology

Hanliu Zhao, Xinghao Sun, Zhengrui Zhu, Wen Zhong, Dongdong Song, Weibing Lu, Li Tao
J. Semicond. 2020, 41(8): 081001
doi: 10.1088/1674-4926/41/8/081001


Tellurene: An elemental 2D monolayer material beyond its bulk phases without van der Waals layered structures

Xiaolin Cai, Xiaoyu Han, Chunxiang Zhao, Chunyao Niu, Yu Jia
J. Semicond. 2020, 41(8): 081002
doi: 10.1088/1674-4926/41/8/081002


Recent progress in 2D group-V elemental monolayers: fabrications and properties

Peiwen Yuan, Teng Zhang, Jiatao Sun, Liwei Liu, Yugui Yao, Yeliang Wang
J. Semicond. 2020, 41(8): 081003
doi: 10.1088/1674-4926/41/8/081003


ARTICLES

Controlled growth of Mo2C pyramids on liquid Cu surface

Yixuan Fan, Le Huang, Dechao Geng, Wenping Hu

J. Semicond. 2020, 41(8): 082001
doi: 10.1088/1674-4926/41/8/082001

High-performance junction field-effect transistor based on black phosphorus/β-Ga2O3 heterostructure

Chang Li, Cheng Chen, Jie Chen, Tao He, Hongwei Li, Zeyuan Yang, Liu Xie, Zhongchang Wang, Kai Zhang

J. Semicond. 2020, 41(8): 082002
doi: 10.1088/1674-4926/41/8/082002

On the mystery of the absence of a spin-orbit gap in scanning tunneling microscopy spectra of germanene

Carolien Castenmiller, Harold J. W. Zandvliet

J. Semicond. 2020, 41(8): 082003
doi: 10.1088/1674-4926/41/8/082003

Photo-induced doping effect and dynamic process in monolayer MoSe2

Qian Yang, Yongzhou Xue, Hao Chen, Xiuming Dou, Baoquan Sun

J. Semicond. 2020, 41(8): 082004
doi: 10.1088/1674-4926/41/8/082004

Strain tunable band structure of a new 2D carbon allotrope C568

Qiang Gao, Hasan Sahin, Jun Kang

J. Semicond. 2020, 41(8): 082005
doi: 10.1088/1674-4926/41/8/082005

First-principle study of puckered arsenene MOSFET

Hengze Qu, Ziwei Lin, Ruijuan Guo, Xiyu Ming, Wenhan Zhou, Shiying Guo, Xiufeng Song, Shengli Zhang, Haibo Zeng

J. Semicond. 2020, 41(8): 082006
doi: 10.1088/1674-4926/41/8/082006




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《半导体学报》简介:

《半导体学报》是中国科学院主管、中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物,1980年创刊,首任主编是王守武院士,黄昆先生撰写了创刊号首篇论文,2009年改为全英文月刊Journal of Semiconductors(简称JOS),同年开始与IOPP英国物理学会出版社合作向全球发行。现任主编是中科院副院长、国科大校长李树深院士。

2016年,JOS被ESCI收录。

2019年,JOS入选“中国科技期刊卓越行动计划”。


“中国半导体十大研究进展”推荐与评选工作简介:

《半导体学报》在创刊四十年之际,启动实施 “中国半导体年度十大研究进展”的推荐和评选工作,记录我国半导体科学与技术研究领域的标志性成果。以我国科研院所、高校和企业等机构为第一署名单位,本年度公开发表的半导体领域研究成果均可参与评选。请推荐人或自荐人将研究成果的PDF文件发送至《半导体学报》电子邮箱:jos@semi.ac.cn,并附简要推荐理由。被推荐人须提供500字左右工作简介,阐述研究成果的学术价值和应用前景。年度十大研究进展将由评审专家委员会从候选推荐成果中投票产生,并于下一年度春节前公布。


JOSarXiv预发布平台简介:

半导体科技发展迅猛,科技论文产出数量逐年增加。JOSarXiv致力于为国内外半导体领域科研人员提供中英文科技论文免费发布和获取的平台,保障优秀科研成果首发权的认定,促进更大范围的学术交流。JOSarXiv由《半导体学报》主编李树深院士倡导建立,编辑部负责运行和管理,是国内外第一个专属半导体科技领域的论文预发布平台,提供预印本论文存缴、检索、发布和交流共享服务。

JOSarXiv于2020年1月1日正式上线(http://arxiv.jos.ac.cn/),通过《半导体学报》官网(http://www.jos.ac.cn/)亦可访问。敬请关注和投稿!




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