其他
郑大庞新厂教授研究新成果:实现一维纳米晶的精准控制!
(a)通过纤维素基模板辅助合成纳米棒;(b)通过纤维素基模板辅助合成核-壳结构的纳米棒;(c)通过纤维素基模板辅助合成纳米管。
(a)通过纤维素基模板法辅助合成的上转换的NaYF4:Yb/Er纳米棒的透射电镜图,右下侧为晶格的高分辨像,左下侧的插图为在甲苯溶液中纳米棒的状态(左侧)以及曝光在980nm近红外下的状态。右上侧插图为干燥条件下纳米棒的状态(左侧)以及曝光在980nm近红外下的状态;(b)以一维Au纳米棒为例,上方的图表示纳米棒的长度L与纤维素模板的分子量Mn之间的关系,下方的图表示纳米棒的直径大小D与纤维素模板的分子量Mn之间的关系。
目前,一维材料的合成常用的方法包括使用多孔的矩阵材料,这些在矩阵材料中的线性孔道可以填充可溶的前驱体。但是采用此法合成出的一维纳米材料直径又因这些孔径的存在而受到限制,同时需要进一步移除这些附加的模板矩阵材料,才能得到所需要的纳米棒状纳米材料。另外还有表面模板方法(例如DNA等),但因为DNA分子在非水溶剂中有限的溶解能力,严重限制相关化学反应类型,因此所制备的材料类型和形貌类型非常有限。
(3B sample)贵金属Au纳米棒的尺寸参数分别为L=206+/-19 nm,D=21.2+/-1.5 nm;(1A sample)贵金属Pt的L=48±5 nm,D=10.2±0.6 nm;铁电体BaTiO3的L=101±8 nm,D=10.6±0.8 nm;(2A sample) 上转换的NaYF4:Yb/Er(green emitting)的L=99±10 nm,D=9.6±0.4;(2A sample)上转换的NaYF4:Yb/Tm (blue- emitting), L = 103 ± 7 nm, D = 10.4 ± 0.5 nm;(2A sample)半导体 CdSe, L = 98 ± 9 nm, D = 10.1 ± 0.7 nm;(2A sample)热电PbTe, L = 102 ± 10 nm, D = 9.9 ± 0.6 nm;(3A sample)磁性的Fe3O4, L = 203 ± 16 nm , D = 10.2 ± 0.8 nm;(5A sample)磁性的Fe3O4, L = 916 ± 87 nm, D =10.3 ± 0.5 nm。
(a)Au纳米管的透射电镜图(L = 103 ± 7 nm, D = 10.5 ± 0.6 nm),上部插图为在甲苯溶液中纳米管的照片,下面的插图为Au纳米管的高分辨图;(b)Au-Fe3O4 核-壳结构纳米棒的透射电镜图,最下面的分别为纳米棒的高分辨图以及在甲苯溶液中的电子照片,最下面右侧图说明了材料的磁性性质;(c)插图为Au纳米管在甲苯溶液中的电子照片,其它分别为在不同放大倍数条件下透射电镜图(L = 103 ± 12 nm, t = 5.1 ± 0.5 nm, hollow interior D = 5.3 ± 0.4 nm)。