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印度科学家将荧光金属有机框架材料MOF导电性提高十亿倍?

2016-10-18 高分子科技
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印度科学教育与研究院的科学家们,通过使用导电聚合物填充荧光金属有机框架MOF多孔材料,成功将MOF的导电性提高十亿倍,同时使其具有荧光性。这一成果使得MOF导电性能突破性提高,有助于MOF基光电设备的应用。

金属有机框架MOF是近二十年来被广泛关注的一种多孔材料。该材料是利用有机配体与金属离子间的金属-配体配位作用,自组装形成的超分子网络结构,因其多孔和海绵状结构而具有催化性和气体吸附性。

印度科学家发现,MOF的可调性和稳定性允许人为对其导电性能进行简单的控制,而这种操作在现存金属材料中难以实现,MOF这种导电可塑性将会促使新一代的电子产品的产生。研究人员最终选定具有一维纳米通道的镉基MOF,因为一旦该MOF浸入碘后,在其内部的吡咯单体可以聚合成一维聚吡咯链。这使得在封闭空间内形成一个独特的界面,该界面上发生的MOF和聚吡咯之间重要的非共价弱相互作用,使得电子可以在MOF与聚吡咯之间自由运动并且产生一个电子在材料内部流动时同时保持荧光的通道。基体和嵌入分子之间的强相互作用通常可以熄灭荧光,但是在嵌聚吡咯的MOF内,两者的相互作用较弱,所以MOF仍能保持荧光。一旦导电性和荧光这两种性能结合起来,便可制造出适合光电设备的多功能MOFs,包括太阳能电池和成像设备。

而与典型无机物半导体和聚吡咯本身较低导电性相比较,成功地将其导电性提高了十亿倍。

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