郭伟玲 | 量子阱宽度对蓝光LED性能影响的研究

量子阱宽度对蓝光LED性能影响的研究

吴月芳，郭伟玲，陈艳芳，雷亮

北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室

摘  要：本文采用器件仿真的方法分析了量子阱宽度对于LED光电性能的影响。结果表明：随着阱宽的增加，LED的电流密度变小；在阱宽为5 nm左右时，LED的发光功率最高，但此时器件的波长位于橙色区域内，并且此时器件的发光效率较低；在阱宽为2.5 nm—3.5 nm时，发光效率最大，且波长在蓝光范围内；阱宽一定时，随着电压的增加光谱有一定的蓝移现象。深入分析了发光效率及光谱变化的原因发现，束缚态能级的不同状态是导致光谱发生蓝移的原因，而俄歇复合的增强是导致器件效率下降的主要原因。

关键词：蓝光LED；光电性能；器件仿真；量子阱

原文图1：器件结构示意图

原文图4：不同量子阱宽度下的效率图

原文图5：不同量子阱宽度下的发光光谱曲线（归一化后）

原文图7：单量子阱能带结构示意图

引用格式：吴月芳，郭伟玲，陈艳芳，等.量子阱宽度对蓝光LED性能影响的研究[J].照明工程学报，2017，28（1）：5-9.

DOI：10.3969/j.issn.1004-440X.2017.01.002

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