130亿元投资相变存储，国产内存要弯道超车？
来源 |OFweek电子工程网
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最近几年，随着相关政策的全面落地推广执行，在国家的大力支持下，我国芯片产业发展取得了重大突破，芯片产业也不断迎来成长的新拐点！
但不得不面对的现实是，我国的芯片产业还处在起步阶段，尤其在DRAM领域中，巨大的市场被国外的巨头瓜分，仅仅是三星、SK海力士和镁光三家公司就占据了全球内存市场95%的份额。中国要想在内存市场突破封锁并不容易，尽管有紫光、长鑫、兆易创新等公司投身存储芯片市场，但国内现有的DDR内存技术还仅仅是入门而已！
相变存储（Phase Change Memory，PCM）是诸多号称能“改变未来”的新内存技术之一，拥有接近DRAM的速度、远超过快闪内存的使用寿命，以及不供电也能保存资料的特性。通常被成为PCM或相变RAM的这种技术，是通过加热的方法改变硫属化物玻璃（chalcogenide glass）的晶体状态，从而实现信息的存储。
在某些方面来说，它和忆阻体有点像，都是利用物质的电阻高低值来存储信息，只是真正的忆阻体是用电压来控制物质的电阻，而相变内存用的却是温度。
研究结果显示，在0.5THz强度的电脉冲情况下，仅需几皮秒(1秒等于1012皮秒)相变内存就能产生用于存储数据的结晶纤维，尽管其他大部分依旧呈无定形状态，但基于以上实验结果，可以认为相变内存的相变过程基本在皮秒级别，而现在的DRAM(1秒等于109皮秒)内存是用纳秒来衡量的，如此一来便是1000倍的差距(1纳秒等于103皮秒)。
于是，相变存储芯片被称为21世纪的存储芯片标准，与传统存储芯片（比如内存）相比，它是一种非易失性存储芯片，但是速度达到了传统存储芯片的1000倍，同时可靠性是后者的1000倍——当然这些指标都是理论上的，不过丝毫不妨碍各大内存巨头投身相变存储的开发和布局当中！
3月22日淮安市集成电路产业现场推进暨江苏时代芯存半导体有限公司相变存储器工厂竣工运营启动仪式在淮安高新技术产业开发区顺利举行，此举标志着130亿元投资的相变存储项目开始进入运营阶段。这个项目去年11月份完成了厂房封顶，并完成了设备采购，从开工到封顶不到9个月时间，今年3月底开始运营。
江苏时代芯存半导体有限公司由宁波时代全芯科技有限公司和淮安园兴投资有限公司共同出资成立，正式成立于2016年10月。公司致力于开发及生产搭载最新PCM技术的存储产品。江苏淮安PCM生产项目总投资130亿元，一期投资43亿元，淮安园兴投资有限公司出资16亿元人民币占股44%。宁波时代全芯科技有限公司以自有的知识产权和现金出资，占股56%，其中知识产权主要包括公司的专有技术及专利。
根据了解，该项目建成后将年产10万片12英寸PCM相变存储芯片，占地276亩。上周已经开始正式运营，预计年产值45亿元，利税3亿元。项目的成功建设，将填补中国在存储器方面研发和生产的空白，也将加快淮安打造新一代存储器产业基地的步伐。
就目前技术来上看，虽然PCM相变存储器跟闪存相比在成本和容量上没有什么优势，并且他的可靠性有效性还很多的停留在理论值上。同时，通过温度变化来存储的原理，也可能使高密度下功耗和温度上升太多，存在散热不良的隐患。但第四代存储时代已经到来，无论从经济上还是战略上，发展PCM是中国存储弯道超车的最佳机会。
我们能看到中国半导体企业的积极投入，同时也希望在技术上取得关键突破，在内存上大有作为，实现弯道超车，打破行业垄断，展现出我们自己的风采。
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