SCMs|溴掺杂生长SnS晶体，实现高的面内热电性能

硫化锡(SnS)作为一种简单的二元化合物，具有优异的电子和声子输运特性，加上其成本低、地球储量丰富、环境友好等优点，在热电材料领域显示出巨大的竞争力。

为了促进低成本热电器件的发展和应用，北京航空航天大学赵立东教授等人在SCIENCE CHINA Materials发表研究论文，采用溴(Br)掺杂生长SnS晶体实现其从本征p型向n型的转变。此外，得益于低的载流子浓度，报道了n型SnS优异的面内载流子迁移率和较大的塞贝克系数，从而导致一个高的功率因子PF ~28 μW cm⁻¹ K⁻²。弹性性能计算表明，SnS中的低晶格热导率与其强非简谐性密切相关。结合其优良的热电输运性能，在室温下ZT值达到了~0.4，823 K时其理论热电转化效率达到~5%。

图1 溴掺杂生长SnS晶体的热电性质。

文章信息

He, W., Hong, T., Wang, D. et al. Low carrier concentration leads to high in-plane thermoelectric performance in n-type SnS crystals. Sci. China Mater. (2021). https://doi.org/10.1007/s40843-021-1684-0

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