SCMs|p-n结低温退火处理 GeSe太阳能电池效率翻倍（3.1%）

GeSe作为一种新兴光伏吸收层材料，具有良好的光电性能，且原料无毒、储量丰富。然而，以往报道的GeSe太阳能电池都采用顶衬结构，并使用CdS缓冲层，性能不理想。

近日，中科院化学所薛丁江研究员等人在SCIENCE CHINA Materials发表研究论文，发现顶衬结构GeSe太阳能电池效率低下的原因是不可避免的p-n结高温热处理。这导致Cd原子从CdS层扩散到GeSe薄膜中，并在GeSe的禁带内引入有害的深缺陷态(位于导带底~0.34 eV的位置)。因此，本文首次制备了底衬结构GeSe太阳能电池。该结构可实现CdS层在多晶GeSe薄膜上的室温沉积，从而避免了有害的Cd扩散。通过进一步采用高通量的筛选方法来优化器件的退火温度，当退火温度在150°C时，器件效率达到最高的3.1%，为以前报道最佳结果的2倍。

图1 底衬结构GeSe太阳能电池的性能。

文章信息

Boosting the efficiency of GeSe solar cells by low-temperature treatment of p-n junction 

Shun-Chang Liu, Zongbao Li, Jinpeng Wu, et al. SCIENCE CHINA Materials, 2021, doi: 10.1007/s40843-020-1617-x

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