SCMs【综述】|二维/三维硅基异质结光电应用研究进展

以硅为基础的半导体技术在过去几十年随着摩尔定律取得了很大进展，但是它也正接近自己的物理极限。近年来，二维材料因其独特的结构和优越的性能，被认为是突破传统硅基光电器件限制的契机。

图1 (a) 不同2D硅基异质结及其响应范围。(b) 2D硅基异质结的光学图片。(c) 2D硅基异质结的构造示意图。(d) 2D硅基异质结光电器件的剖视图。

近日，中科院半导体所魏钟鸣研究员等人在SCIENCE CHINA Materials发表综述文章，针对二维材料探测器与三维硅基系统混合集成的研究现状，简述了几种用于光电探测器的二维材料的基本特性。随后，总结了基于二维材料的硅光子集成光电探测器的研究进展，并对其器件结构和主要性能进行了展述。其后，又补充介绍了结合其他传统材料为衬底的二维器件。最后，对二维/三维混合硅基异质结构的发展前景进行了展望。

文章信息

Jingshu Zhou, Kaiyao Xin, Xiangkai Zhao, et al. Recent progress in optoelectronic applications of hybrid 2D/3D silicon-based heterostructures. SCIENCE CHINA Materials, https://doi.org/10.1007/s40843-021-1939-0

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