SCMs|2H α-In2Se3铁电体中极序工程控制的光电流和多态存储器

控制铁电材料的极序可以丰富其特性和功能的多样性，为设计新型电子和光电子器件提供新的机会。近日，山西师范大学许小红教授和薛武红副教授等人在SCIENCE CHINA Materials发表研究论文，报道了一种基于二维(2D)范德瓦尔斯(vdW)层状铁电材料2H α-In₂Se₃的面内多态存储器件。

通过施加面内电场调控铁电α-In₂Se₃层的极序，实现了可以相互切换的三种电阻态，其具有快的切换速度、良好的耐久性和保持性。值得注意的是，中间阻态(MRS)和低阻态(LRS)之间可以通过比其他基于2D铁电材料的存储器小1–2个数量级的超低电场来实现可逆切换。此外，还发现这三种不同的极序态表现出了特有的光响应。

以上结果表明，α-In₂Se₃在非易失性高密度存储器和新型光电器件中具有很大的应用潜力。

文章信息

Baohua Lv, Wuhong Xue, Zhi Yan, et al. Control of photocurrent and multi-state memory by polar order engineering in 2H-stacked α-In₂Se₃ ferroelectric. SCIENCE CHINA Materials, https://doi.org/10.1007/s40843-021-1920-9

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