SCMs|高长宽比横向结构的设计提升相变存储器的多值存储能力

如何进一步提高存储密度是相变存储(PCM)应用于存储级内存(SCM)的关键挑战。然而，相变存储器主要通过尺寸微缩和多值操作来提高存储密度，往往面临严重的热串扰和相分离问题。

近日，华中科技大学童浩教授等人在SCIENCE CHINA Materials发表研究论文，提出了一种高长宽比(25:1)的横向纳米线器件，该器件采用传统的硫系化合物Ge₂Sb₂Te₅就可以实现稳定的多值操作，并且器件具有较好的一致性以及较低的电阻漂移系数(0.009)，其优异的多值性能主要是由于在设计的高长宽比结构中，绝缘层侧壁的限制使得相变材料的非晶区域可以精确控制，这也被透射电子显微镜分析证实。

图1 高长宽比的横向纳米线器件的设计与表征。

本文设计的纳米线器件为提升高深宽比三维相变存储器的多值存储能力提供了重要指导。

文章信息

Zhao, R., He, M., Wang, L. et al. Improved multilevel storage capacity in Ge₂Sb₂Te₅-based phase-change memory using a high-aspect-ratio lateral structure. Sci. China Mater. (2022). https://doi.org/10.1007/s40843-022-2028-7

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