SCMs|基于CsPbBr3量子点/PDVT-10共轭聚合物杂化薄膜的光突触晶体管用于高效的神经形态计算

光突触晶体管被视为有潜力的神经形态计算系统，有望克服基于冯诺依曼架构运算的固有限制。然而，具备简单制备工艺和高效信息处理能力的光突触晶体管的设计和构建面临着巨大的挑战。

近日，天津大学-新加坡国立大学福州联合学院段树铭副研究员、吴继善教授、胡文平教授和福州大学陈惠鹏教授等人在Science China Materials发表研究论文，报道了一种通过旋涂CsPbBr₃钙钛矿量子点（QDs）和PDVT-10共轭聚合物共混物来制备光突触晶体管的新方法。

本文要点：

1) 由CsPbBr₃ QDs和PDVT-10组成的杂化薄膜具有平坦的表面、优异的光吸收和良好的电荷传输性能，有助于此类钙钛矿基突触实现高效的光电转换。

2) 基于CsPbBr₃ QDs和PDVT-10杂化薄膜的光突触晶体管表现出了优异的器件性能，并具有基本的突触功能，包括兴奋性突触后电流、双脉冲促进和长程记忆。

3) 通过利用光增强和电抑制特性，基于钙钛矿的光突触晶体管被成功应用于神经形态计算，其模式识别精度高达89.98%，这是迄今为止用于模式识别的突触晶体管的最高值之一。

这项工作为制备高模式识别精度的钙钛矿基神经形态系统提供了一条有效且方便的途径。

文章信息

Wang C., Sun Q., Peng G., et al. CsPbBr3 quantum dots/PDVT-10 conjugated polymer hybrid film-based photonic synaptic transistors toward high-efficiency neuromorphic computing. Sci. China Mater. (2022).https://doi.org/10.1007/s40843-022-2200-0

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