SCMs|超薄金属性MoO2纳米片可控合成及其范德华接触应用

在二维半导体与金属材料间引入范德华接触构建器件被认为是解决二维材料电接触问题的有效途径之一。然而，迄今为止，研究主要集中在半导体材料合成与改性上，而对金属材料的制备和性能的研究较少。

近日，湖南大学潘安练教授和李东教授等人在Science China Materials发表研究论文，报道了利用化学气相沉积法可控合成厚度从3.5到106 nm的层状MoO₂金属二维纳米片。

本文要点：

1) 利用X射线衍射、扫描隧道显微镜和透射电子显微镜对制备的MoO₂纳米片进行了系统表征，结果表明，制备的MoO₂为单斜晶型、晶质质量高、稳定性好。

2) 电学表征表明，MoO₂具有优良的导电性能，其导电率超过106 S m^-1，可与石墨烯和某些金属相媲美。

3) 此外，还通过引入MoO₂薄片作为范德华接触材料，探索了其在MoS₂场效应晶体管中的接触应用。所获得的MoS₂场效应晶体管表现出低肖特基势垒（36 meV）和高载流子迁移率（210 cm² V^-1 s^-1，10 K）。

这项工作为金属二维材料的可控制备和应用提供了新思路，并有望促进二维材料电子器件的发展。

文章信息

Fang L., Liu H., Guan W., et al. Controlled synthesis of ultrathin metallic MoO₂ nanosheets for van der Waals contact. Sci. China Mater. (2022).

https://doi.org/10.1007/s40843-022-2260-6

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