SCMs|类液晶作为高性能有机场效应晶体管的有源层

高载流子迁移率和器件性能的一致性对于有机场效应晶体管在阵列和集成电路上的应用至关重要。然而，同时具备高性能和批间差小的方法当前仍然是个挑战。

近日，苏州大学迟力峰教授、德国明斯特大学王文冲研究员和材料科学姑苏实验室王滋研究员等人在Science China Materials发表研究论文，在原子力显微镜和偏振荧光显微镜表征的基础上，报道了在PTCDI-C₁₃分子模板上生长具有大晶畴的dif-TES-ADT类液晶状薄膜的方法。

本文要点：

1) 将所获得的薄膜用作有机场效应晶体管的载流子传输通道，其饱和载流子迁移率高达1.62 ± 0.26 cm² V^-1 s^-1。

2) 在重复三个批次之间，每次50个器件的迁移率批间差仅为16%。

这一发现为设计材料和器件结构以同时实现高载流子迁移率和器件均匀性提供了一种新思路。

文章信息

Wang Z., Martin-Jimenez D., Zhang Y., et al. Liquid crystal-like active layer for high-performance organic field-effect transistors. Sci. China Mater. (2022).

https://doi.org/10.1007/s40843-022-22763-3

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