SCMs|二维钙钛矿可控外离子输运实现高重复性、低电压阻变

有机-无机卤化物钙钛矿作为阻变介质材料在阻变存储器领域引起了极大的兴趣。其离子空间分布和离子输运决定了导电细丝的形成，但目前对这二者的了解有限，且存在随机性与动力学之间的本征矛盾。

近日，华东理工大学杨双教授等人在Science China Materials发表研究论文，通过原位及非原位研究，系统地证明了二维钙钛矿薄膜晶界内存在具有空间限域效应的快速外部离子输运通道。

本文要点：

1) 通过调控介电层中阳离子输运通道，即晶界的几何形貌特征及结构，可以有效控制导电细丝的生长行为，最终制备出具有0.09 V（1.8 kV cm^-1）的超低阈值电压和低离散性（<10%）的免电激励阻变存储器件。

2) 该器件可柔性制备并具有多功能应用集成，如多值写入和光擦除功能。

该工作可为阻变存储器中导电细丝形成动力学的调控开辟新的思路，并为存储器未来在电子和光子电路中的应用提供可靠的单元原件。

文章信息

Zheng Y., Yu D., Lian H., et al. Controllable extrinsic ion transport in two-dimensional perovskite films for reproducible, low-voltage resistive switching. Sci. China Mater. (2023).

https://doi.org/10.1007/s40843-022-2367-0

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