SCMs|用于低功率神经形态晶体管的金属氧化物半导体纳米纤维中阳离子比例的合理调整

宽带隙金属氧化物半导体（MOS）纳米纤维神经形态晶体管（NFNTs）可以潜在地用于构建低功耗的仿生人工电路。但文献中对于NFNTs所采用MOS的阳离子配比并没有给出详细的原因。

近日，青岛大学王凤云教授和刘旭海副教授等人在Science China Materials发表研究论文，首次系统地研究了用低成本静电纺丝技术结合纳米纤维转移工艺制备的氧化铟锌（InZnO）基NFNTs的阳离子比例。

本文要点：

1) 基于双阳离子InZnO纳米纤维的电驱动NFNTs可以大大简化实验过程。

2) 在In_xZn_1-xO的阳离子比（x = 0.6, 0.7, 0.8, 0.9）中，发现基于In_0.7Zn_0.3O的NFNTs表现出最低的兴奋性突触后电流，可以为低功耗操作和突触功能模拟提供电效益。

MOS纳米纤维成分的合理调整可以为高性能低功耗NFNTs提供新的思路。

文章信息

Cong H., Chang Y., Zhou R., et al. Rational tuning of the cation ratio in metal oxide semiconductor nanofibers for low-power neuromorphic transistors. Sci. China Mater. (2023).

https://doi.org/10.1007/s40843-022-2445-y

点击阅读全文，了解更多