倒计时1天！浙大杭州科创中心迎来诺奖讲座，诺贝尔物理学奖得主Albert Fert教授亲自揭秘自旋电子学的奥秘

你知道什么是自旋电子学吗？

到底是什么引发了21世纪初的硬盘存储容量革命？

基于自旋电子学的存储芯片，对未来智能生活将会产生什么颠覆性影响？

浙江大学微纳电子学院联合世界青年科学家峰会，北京航空航天大学微电子学院、高等理工学院，重磅推出求是芯诺奖讲座！主讲人是：2007年诺贝尔物理学奖得主、自旋电子学的创始人Albert Fert教授，他将围绕“自旋电子学将在信息时代超越传统电子学”的主题，通过线上远程的方式讲授自己最拿手的一课，为大家带来一场面向未来的奇妙科技之旅！

图片来源：剑桥大学

特别值得一提的是，届时我们还会在浙大杭州科创中心10号楼102室（浙大微纳电子学院智慧教室）内开设互动线下会场，与会师生观看远程线上讲座的同时，将有机会现场提问，通过实时线上互动的方式，与诺奖大咖进行对话交流！

说了这么多，作为科技发烧友的你，是不是迫不及待想要聆听下大师们的精彩讲座？那么本次讲座的具体时间是什么？除了智慧教室，我们还在哪里可以感受大师风采呢？别急，请听小编一一道来！

01  主讲人

Albert Fert教授（2007年诺贝尔物理学奖得主）

02  讲座时间

2020年10月13日

16:00—17:30

03  直播地址

腾讯会议ID：

754559060（密码：202010）

B站直播：

http://live.bilibili.com/4471773（与你同航）

主讲人简介

Albert Fert教授

法国科学院院士、巴黎萨克雷大学Albert Fert教授是2007年诺贝尔物理学奖得主、自旋电子学的创始人、世界级物理学家。1988年，Albert Fert教授率先发现巨磁阻（GMR）效应并探明了该效应的物理机理。该技术于21世纪初引发了硬盘存储容量的革命，推动了信息产业的快速发展。经过20多年的发展，基于自旋电子学的非易失性MRAM存储芯片，已经应用于国际知名品牌智能手表等智能电子设备领域，大幅延长了智能手表的待机时间，为未来的物联网（loT）硬件智能互联提供了基础。

在50余年的研究生涯中，Albert Fert教授在自旋电子学领域做出了诸多开创性贡献。共发表学术专著7部，论文近400篇，他引次数近2万次。其中发现巨磁阻效应的论文被国际顶级期刊《物理学评论》评为50年来他引次数最多的10篇文章之一。至今，Albert Fert教授仍辛勤工作在科研第一线，开展下一代自旋电子器件的理论和实验研究。

10月13日

Albert Fert教授诺奖讲座

与您共享科学盛宴

不见不散！

本文编辑：陈小兵 罗浩强

责任编辑：吴瑶瑶

审核：王恩禹

推荐阅读

点“在看”，送我一朵小黄花呀