【科研方法01】XPS Peak软件拟合，仅需7步！
打开xps peak 4.1分峰软件，在XPS Peak Fit窗口中，从Data菜单中选择Import (ASCII)，即可将转换好的txt文本导入，出现谱线。
在打开的Region 1窗口中，点击 Backgrond，选择Boundary的默认值，即不改变High BE和Low BE的位置，Type一般选择Shirley类型扣背底。
选择Add Peak，选择合适的Peak Type(如s,p,d,f)，在Position处选择希望的峰位，需固定时点fix前的小方框,同时还可选半峰宽（FWHM）、峰面积等。
各项中的constaints可用来固定此峰与另一峰的关系。如W4f中同一价态的W4f7/2和W4f5/2的峰位间距可固定为2.15eV，峰面积比可固定为4:3等，对于% Lorentzian-Gaussian选项中的fix先去掉对勾，点击Accept完成对该峰的设置。
点Delete Peak可去掉此峰。再选择Add Peak可以增加新的峰，如此重复。注意：% Lorentzian-Gaussian值最后固定为20%左右。
加峰界面
举例：对峰的限制constraints，峰1的峰位=峰0峰位+1.5
选好所需拟合峰的个数及大致参数后，点XPS Peak Processing中的Optimise All进行拟合，观察拟合后总峰与原始峰的重合情况，如不好，可多次点Optimise All。
拟合完成后，分别点XPS Peak Processing窗口总的Region Peaks下方的0、1、2等，可查看每个峰的参数，此时XPS峰中变红的曲线为被选中的峰。如对拟合结果不满意，可改变这些峰的参数，然后再点击Optimise All。
点Save XPS可将谱图存为.xps格式的图，下回要打开时点Open XPS可以打开这副图，并可对图进行编辑。
a. 点击Data中的Export（spetrum），可将拟合好的数据存为.dat格式的ASCII文件（该文件可用记事本打开），然后再Origin中导入该ASCII文件，可得到一个包含多列的数据表，这里需要注意的是每列的抬头名称出错（如.dat文件中的Raw Intensity分开到两列中作为两列的抬头，即Raw、Intensity），这时需要根据做出的图与.xps原始谱图比较，更改每列的名称，即可得到正确的谱图。
b. 点击Data中的Export（Peak Parameters），即将各峰参数导出为.par格式的文件（也可用记事本打开），通过峰面积可计算某元素在不同峰位的化学态的含量比。
c. 点击Data中的Export to clipboard，即将图和数据都复制到剪贴板上，打开文档（如Word），点粘贴，即把图和数据粘贴过去，不过该图很不清晰。
d. 点击Data中的Print with peak parameters，即可打印带各峰参数的谱图。
1. 元素结合能数据可参考http://srdata.nist.gov/xps/selEnergyType.aspx；
2. 谱峰的曲线拟合应考虑：合理的化学与物理意义；合理的半高宽（一般不大于2.7eV，氧化物的半高宽应大于单质的半高宽）；合理的L/G比（XPS Peak 41分峰软件中的% Lorentzian-Gaussian）为20%左右；对双峰还应考虑两个峰的合理间距、强度比等（详见下面的3，4项）。
3. 对于p、d、f等能级的次能级（如p3/2、p1/2，光电子能谱中一般省略/2，即为p3、p1）强度比是一定的，p3:p1=2:1；d5:d3=3:2，f7:f5=4:3。在峰拟合过程中要遵循该规则。如W4f中同一价态的W4f7和W4f5峰面积比应为4:3。
4. 对于有能级分裂的能级（p、d、f），分裂的两个轨道间的距离(doublet seperation)也基本上是固定的，如同一价态的W4f7和W4f5之间的距离为2.15eV左右，Si2p3和Si2p1差值为1.1eV左右。各元素能级分裂数据可参考网上数据库http://srdata.nist.gov/xps/selEnergyType.aspx中 选择Doublet Seperation项
5. 全谱扫描((即Survey)中各峰对应的元素能级参考附件BE Lookup Table
6. 各元素不同化学状态结合能可参考附件《各元素化学状态表.pdf》，文件扫描自Phi公司出版的手册中的附录2，Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy—A Reference Book of Standard Spectra for Identification and Interpretation of XPS Data，John F. Moulder, William F. Stickle, Peter E. Sobol, Kenneth D. Bomben, Physical Electronics, Inc. ,1992
7. 有机聚合物中的C、O、N、F等的化学位移值可参考附件《有机聚合中C、O、N、F等的化学位移(chemical shift)值.pdf》，文件扫描自John Willey & Sons出版的有机聚合物高分辨XPS谱图中的附录，High Resolution XPS of Organic Polymers-The Scienta ESCA300 Database, G. Beamson, D. Briggs,John Wiley &Sons, 1992
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