台积电领先三星和格罗方德？将首揭 7 纳米 FinFET 技术

台积电、三星、格罗方德等半导体大厂开启在 7 纳米制程争战，而现在台积电有望领先群雄在 2017 年国际固态电路研讨会（International Solid-State Circuits Conference，ISSCC）率先发布 7 纳米 FinFET 技术！

全球 IC 设计领域论文发布最高指标国际固态电路研讨会（ISSCC）下届确定于 2017 年 2 月 5~9 日在美国加州登场，台积电设计暨技术平台组织副总侯永清将担任特邀报告（Plenary Talks）讲者。

来源：科技新报摄

这次台积电 5 篇论文获选（美国台积电 1 篇），2 篇论文为类比电路领域，内存电路设计则有 3 篇。

值得关注的是，此次台积电将领先业界在大会上发布 7 纳米 FinFET 技术。揭示迄今最小位数 SRAM 在 7 纳米 FinFET 的应用，验证 0.027μm2 256 Mbit SRAM 测试芯片在 7 纳米制程下，能大幅提升手机、平板电脑中央处理芯片运算速度，同时满足低功率需求。

台积电、三星通常以 SRAM、DRAM 来练兵，先从内存下手，当良率提升到一定程度再导入逻辑产品。台积电先前预估 10 纳米年底量产、7 纳米最快 2018 年第一季生产，然在英特尔宣布放缓 10 纳米以下制程投入进度后，台积电与三星在 10 纳米、7 纳米先进制程展开激烈缠斗。

三星在 10 月初抢先台积电宣布 10 纳米量产，市场近期传出台积电 7 纳米最快在明年 2017 就可试产、4 月接单，拉升 7 纳米制程战火。三星在 7 纳米就引进极紫外光（EUV）微影设备，力拼 2017 年年底 7 纳米量产。

而格罗方德则宣布跳过 10 纳米，直接转进 7 纳米，预估 2017 年下半可进行产品设计定案（tape out），2018 年初开始风险生产（risk production）。

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