重大突破！国内首款完全自主研发的中小容量闪存芯片在高新区诞生！

近日

由高新区企业至讯创新

完全自主研发的

国内首款

中小容量高可靠性

19nm 2D NAND闪存芯片研制成功

预计将于明年年初全面投放市场

这是国内存储行业的跨越式突破

技术水平已赶超国际一流

这是国内首款全自研、运用先进工艺的中小容量高可靠性19nm 2D NAND闪存芯片，产品将覆盖512Mb、1Gb和2Gb容量，提供1.8V和3.3V电压，并采用业界主流串行接口SPI和WSON封装。
其既可满足消费级产品对可靠性的需求，还可达到工规和车规等高可靠性应用场景对擦写次数和数据保留的要求。通过技术的创新实现了芯片面积缩小40%，I/O速度提升25%，擦写周期提升70%，芯片性能超越国内同类竞品。
至讯创新联合创始人、董事长汤强博士表示，在过去的几个月里，公司的研发团队面对疫情、技术等重重考验，用最短的时间攻克了道道难关。此次19nm芯片的成功研制是至讯创新破茧成蝶的第一步，未来公司将持续加大研发投入，与更多合作伙伴展开更深度协作，保持每年两到三个先进工艺项目的开展，使更具有创新力、竞争力的产品陆续登陆市场。

至讯创新科技（无锡）有限公司旨在领导存储技术创新，成为全球存储行业的领军者。公司成立于2021年10月，总部位于江苏无锡，在上海、深圳、香港等地均已设立分支机构，完备的营销及服务网络为客户提供快捷、优质的支持。
公司汇聚海内外存储业界翘楚，凝聚了一支拥有工程院院士、国家重大人才计划专家、省级海外高层次青年人才等顶尖人才的一流研发团队。核心骨干均拥有15年以上的国际大厂研发和管理经验。公司专注于中小容量存储芯片的研发，团队可全面覆盖设计、测试、工艺提升等关键环节，且具备完全自主可控的知识产权。公司下一步将不断提升工艺的先进性、产品的竞争性和服务的全面性，力争早日跻身全球一流存储芯片公司行列，为实现我国存储芯片的国产替代提供更多助力。

编辑 | 曾丽
来源 | 至讯创新、无锡高新科技扫码关注：无锡高新区在线

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