单个客户需求40万片？一SiC企业要扩产
为此，英飞凌花费近十亿收购了激光切割相关企业。近日，据外媒报道，Wolfspeed也在跟激光切割企业合作，未来年切割量或将达到40万片。
据悉，这家美国激光切割企业正在扩产，计划将产能提到1.2万片/年，其技术不仅可以减少浪费，还大幅提高了良率和效率，“几乎无缺陷”。
客户是Wolfspeed？
年需求量超40万片SiC晶圆
据外媒3月29日报道，美国Halo Industries公司计划于今年年底在圣克拉拉工厂将碳化硅晶圆切割产能提高到6000片/年，2023年底产能将达到1.2万片/年。据介绍，Halo在美国东海岸有一个碳化硅大客户，后者对SiC晶圆切割的年需求量超过40万片。Halo未透露该客户身份，但外界猜测，很有可能是Wolfspeed，而且，其目标是到2025年底每年生产40万至50万片晶圆。
面对该客户的巨大产量需求，Halo首席执行官兼创始人 Andrei Iancu怀疑这些数字被夸大了，但他认为客户对激光技术的技术需求太高了。
但是，如果 SiC 市场真的像预期的那样在2025-2026年起飞，Halo表示将扩大规模，并使其远远超过目前规模。
Halo表示，他们的碳化硅激光切割项目团队位于美国圣克拉拉，该试点设施正在为研发机构和小型客户提供支持。同时，他们正在不断改进技术，将把技术和设备转移到客户工厂。
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采用激光切割
几乎实现零缺陷
碳化硅晶圆成本高大约比硅高20-50倍。那么，导致这一成本差异的因素有哪些？其中一个重要原因是，当用金刚石线锯切割碳化硅晶锭时，多达40%的晶锭以SiC粉尘的形式成为废料，直接导致碳化硅晶圆产量不理想，其中，每个晶圆的切割过程也需要数小时才能完成。
据介绍，Halo自2014年从斯坦福大学分拆出来后，起初是为太阳能做硅晶锭切割，并开发了一种涉及硅晶片的激光分裂方法。
而且，Halo旨在用激光系统取代金刚石锯，该技术几乎不产生浪费，并可提高产量和质量。
通常，SiC晶圆生产商只能从单个晶锭中获得约40至50个高质量晶圆，这对SiC成本和可用性产生重大的影响。
据悉，Halo的激光技术可从晶锭上切下的 SiC 晶片，几乎实现了零缺陷或损坏，并对几何规格（例如厚度、总厚度变化、弓形、翘曲和局部厚度变化）有更严格的控制。
Iancu坚持认为，Halo 的激光方法比金刚石锯方法更环保——不仅仅可以消除切口，激光分裂还不需要水来保持晶圆的凉爽和清洁，速度更快，而且激光的能量非常低。
Disco、英飞凌及Soitec的激光切割技术
但其实，Halo并不是第一个提出激光想法的人。Iancu 表示，他唯一真正的竞争对手是Disco。
据了解，Disco是一家价值17.4亿美元（约111亿元人民币）的半导体设备供应商，以切割后端而闻名。2017 年，Disco 推出了一种名为Kabra的激光晶圆切割系统，目前尚不清楚该系统的销售情况。
据“三代半风向”此前报道，2018年11月，英飞凌耗资约10亿人民币，收购了晶圆切割公司Siltectra及其Cold Split技术（.点这里.）。英飞凌表示，使用 Cold Split 技术切割 SiC 晶圆，旨在将每个晶圆获得的芯片数量增加一倍。
今年3月，Soitec宣布将投资约23亿人民币，新建一个碳化硅晶圆厂，以量产多晶碳化硅衬底（3C-SiC）技术。而且，使用Smart Cut技术可以生产500个晶圆，使产量增加10倍（.点这里.）。
而国内方面，也有多家企业在涉足碳化硅激光切割。
比如，晟光硅研公司推出微射流激光切割设备，据悉，今年2月，晟光硅研第一批微射流激光技术设备顺利入场。最近，晟光硅研进行了客户样品试加工，完成6吋SiC晶锭滚圆测试。
2021年11月，杭州乾晶半导体宣布，他们的碳化硅晶片激光剥离技术已经实现了10*10实验样品Demo。
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