8家企业已出8吋SiC！2项新技术助国产赶超

据不完全统计，目前Wolfspeed、罗姆、意法半导体、安森美、II-VI、Soitec、山西烁科以及中科院物理所等企业和机构已经成功研发出了8英寸SiC衬底，预计2022-2025年会逐步量产上市。国产SiC衬底企业如何追赶？

2022年7月，恒普科技同时推出2款8英寸双线圈感应晶体生长炉，这2款全新炉型，不仅解决了传统SiC感应晶体生长炉在8英寸或更大尺寸上的劣势，还积极对应了行业客户的使用习惯和经验延续。

碳化硅8英寸时代正在向我们走来，但由于随着坩埚的直径增长，感应线圈只能加热坩埚的表面，不同位置的径向温度梯度都会随之增大，而这样的参数变化不适合大直径的晶体生长。

今年6月，恒普科技已经推出了新一代2.0版SiC电阻晶体生长炉，以【轴径分离】+【新工艺】为核心技术，更优化解决晶体的长大、长快、长厚的行业需求，这就突显SiC感应晶体生长炉的技术落后。

而为了对应行业客户的使用惯性及Know-How的延续，恒普科技这次推出了双线圈感应晶体生长炉，并且同时推出石英管（双线圈外置）和金属壳（双线圈内置）两款全新炉型。

双线圈的技术并不是新的技术路线，但是双线圈的相互干扰，特别是在坩埚中的发热互相干扰，对工艺调整存在很大难度，物质流传输及通道沉积都存在难点，为了克服8英寸感应晶体生长炉的问题点，恒普科技解决了双线圈对石墨坩埚的温度上下无法分离，做到了【准轴径分离】，并将技术同时使用在了两种炉型上，满足更多客户的使用习惯。

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核心技术

1、坩埚区域温度分离 （相对分离）

2、采用特殊定制石墨硬毡

3、双水平式线圈

4、独特的二次发热体

5、坩埚与热场分离

6、物质流的传输导流控制

注：以上功能不是2款炉型都有。

产品&技术特点

一、SiC石英管双线圈（外置）感应晶体生长炉

技术特点：

● 坩埚区域温度分离

● 方便原工艺过渡

● 水平螺旋线圈，提高磁场平衡与双线圈匹配

二、SiC金属壳双线圈（内置）感应晶体生长炉

技术特点：

● 炉下方向出料，解决8英寸坩埚上取料的不便

● 出料时，坩埚与热场自动分离，提高炉次的重复性

● 独特的二次发热体

● 优化内置线圈绝缘

● 横向多点测温

● 采用特殊定制石墨硬毡

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