第三代半导体产业研究 | 创创锦囊

这是长江创创的第1562篇推送，

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第三代半导体是目前高科技领域最热门的话题，相较于第一代和第二代，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性，可在新能源汽车、高速轨道交通、5G、光伏并网、消费类电子等多个重点领域广泛应用。

目前国内厂商正在积极布局第三代半导体的设备、衬底、外延和器件全产业链环节，包括难度最大的衬底长晶环节，自动化程度较高的外延环节以及下游应用器件环节，基本可完全实现自主可控。未来随着下游新能源、5G、快充等场景的快速爆发，整个行业将迎来快速增长。

本期创创锦囊将从第三代半导体材料、行业概述、产业链分析及代表公司介绍等几个维度，带领您来了解这个足以影响科技产业未来的关键技术。

来源 | 湖畔宏盛

研究结论：

目前第三代半导体器件在整体半导体市场的渗透率仅2%左右，未来随着下游新能源汽车、特高压、5G基站、快充等场景的快速爆发，整个行业将迎来快速增长，预计未来5年行业平均增速将保持在30%左右。

SiC材料在导热率上的性能更好，因此在高功率领域更具优势，比如新能源汽车中的主驱逆变器、充电系统中的车载充电机和充电桩等场景。受益新能源汽车的放量，碳化硅功率器件市场将快速增长。

GaN 材料的优势在于拥有更高的电子迁移率，因此在高压、高频领域具备优势。氮化镓因缺乏大尺寸单晶，GaN器件的主要形式为碳化硅基氮化镓外延器件，该器件被大量应用在5G宏基站、快速充电、卫星通信、微波雷达、航空航天、电子对抗等国防军工领域。

国内厂商在第三代半导体进行全产业链布局，自主可控能力较强。国内厂商布局第三代半导体的设备、衬底、外延和器件全产业链环节，包括难度最大的衬底长晶环节，自动化程度较高的外延环节和应用于下游市场的器件环节，可完全自主可控。第三代半导体器件主要制造工艺阶段并非14nm以下，国产化能力较强。

内容来源： 湖畔宏盛。版权归原作者所有，转载请联系原作者并获许可。

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