DRAM 之父去世
丹纳德于 1932 年 9 月 5 日出生于德克萨斯州特雷尔。他在一个没有电的农场长大，在一个只有一间教室的校舍里上学。他作为圆号演奏家的天赋为他赢得了南卫理公会大学（SMU）的奖学金，在那里他学习了新兴的电气工程领域。
从SMU毕业后，丹纳德继续深造，在卡内基理工学院（现称为卡内基梅隆大学）攻读电气工程博士学位。他于 1958 年获得博士学位，并开始担任 IBM 研究员。他将在那里度过他漫长而传奇的职业生涯。
当时的集成电路是一个新兴的并且令人兴奋的技术，刚刚由德州仪器的工程师杰克·基尔比发明。该研究领域和工业界的主要关注点是推进计算机存储器和逻辑，促使丹纳德深入研究金属氧化物半导体场效应晶体管 （MOSFET） 的设计和应用。
由于对当时现有的磁芯RAM的尺寸和功率要求感到沮丧，丹纳德和微电子专家团队于1964年开发了一种替代系统，该系统只需要六个MOS晶体管即可存储一位信息。他们觉得，即使是这样的设计也太复杂和缓慢了。
随后，丹纳德的脑海中灵光乍现，这将彻底改变计算技术。他开始研究如何在一个晶体管而不是六个晶体管中存储信息。这种洞察力、调查和实验最终导致了动态随机存取存储器 (DRAM) 的发明。
丹纳德并没有止步于DRAM。1972 年，丹纳德提出了一个理论，该理论帮助计算机和其他电子设备每年变得更小、更快、更高效。这个理论被称为丹纳德缩放比例，或丹纳德定律，源于摩尔定律。
尔定律指出，能够安装在给定空间中的晶体管数量大约每两年翻一番。根据 丹纳德定律，每瓦的性能以大致相同的速度增加。因此，随着晶体管尺寸的缩小，它们需要的功率也更少。
在他半个世纪的职业生涯中，丹纳德获得了许多奖项和认可。他于 1979 年被宣布为 IBM 研究员，并于 1988 年获得罗纳德·里根总统颁发的美国国家技术奖章。1997 年，丹纳德入选美国国家发明家名人堂，并于 2009 年被授予 IEEE 荣誉勋章。
这位发明家最近被授予半导体行业的最高荣誉。2019 年，半导体行业协会授予 Dennard Robert N. Noyce 奖。