光刻机，官宣了！

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——研讯社

假期讨论最多的一个事件：9月9日，工信部发布了《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》，国产KrF氟化氪光刻机（照明波长248nm、分辨率110nm）以及ArF氟化氩光刻机（照明波长193nm、分辨率65nm）列于其中。

1. 关于事件发布时间，不是假期新发的，而是一周前发的，这是被踩得比较多的一点。但实际上，在A股市场，经常有题材不是在消息出来的第一时间炒作，而是在市场“认知到这个事件重要的时候”开始炒作，比如最近的一波“华为海思”，发布会早就预告了。增量信息时间是重要，但不是板块上涨的决定性因素，事件本身和市场的认知才是关键。

2. 这次的光刻机属于中端，在被纳入推广名单之后，将迅速开启全面国产替代。

光刻机按性能（光源波长和支持的工艺节点）分类：

一代-紫外光源UV光刻机：使用g线（436nm）和i线（365nm）光源，适用于较早期的集成电路制造。

二代-深紫外DUV光刻机：引入了KrF（248nm）和ArF（193nm）准分子激光光源，分辨率更高，支持更小的特征尺寸。

三代-浸没式DUV光刻机：在ArF光源的基础上，通过使用浸没液体（如水）来降低等效波长，提高分辨率，支持45nm及以下工艺节点。

四代-极紫外EUV光刻机：使用13.5nm波长的光源，能够实现更高的分辨率，支持7nm及以下工艺节点，是当前最先进的光刻技术。

五代-高数值孔径（High-NA）EUV光刻机：正在研发中，旨在通过提高光学系统的数值孔径（NA）来进一步提升分辨率和成像质量。

目前高端主要是指能一次曝光生产28nm以上芯片的光刻机，也就是三代、四代光刻机，生产7nm手机芯片就要用到这些光刻机，而这次进入目录的是二代光刻机，属于中端，尽管不能用来生产比如华为手机现在用的7nm芯片，但依然有较高的商业价值，二代光刻机依然占据超过一半的销量份额，并且这次的ArF光刻机能够支持更先进的工艺节点，通过多重曝光也能实现28nm。

另外最重要的是，进入推广目录就意味着国产链条已经完全打通，这一块的进口份额将迅速清零，完全实现全国产。

3. 信号意义重大，标志着国产先进光刻机进入落地阶段，提升了国产光刻机的预期。

首先，在此之前仍然有部分声音认为国内别说EUV了，连DUV光刻机都造不出来，现在推广目录的落地彻底打破“国内造不出光刻机”的刻板论调，这次的二代光刻机就是很好的开始，起步不低。

其次，国内核心项目通常都是公示一代、测试一代、预研一代，能公示二代，说明三代、四代都在规划研发中了，上周讨论的发明专利公示就是关于EUV（极紫外线）光刻机的光源的，也就是四代光刻机。

最后值得一提的是，上周刚刚解读过，近期光刻机外部事件比较多，尤其是荷兰跟进美国对光刻机出口施加进一步限制，这个时候发布推广目录可能也有其他的考虑，光刻机的国产替代更坚定了。

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