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碳基半导体、弯道超车与楚王失弓 | 袁岚峰

袁岚峰 风云之声 2021-01-27

      


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导读


大格局的看法是,这是全人类的重要进展。所谓中国芯的说法,听着似乎是别人已经有了,然后有人来填补国内空白,这就拉低了自己的层次。


大家都知道,当代的信息技术是建立在硅(Si)材料上的。所以很多人脑洞大开地设想将来会出现“硅基生命”,也就是有自我意识的机器人,或者人把意识上传到网络。或许,高等级的外星文明已经是硅基生命了。

 

终结者

跟硅基生命相对,地球上现有的以碳(C)元素为基础的生命就被称为“碳基生命”,包括人类在内。所以经常见到这样玩笑的说法:在硅基生命看来,你们这些碳基生命都是渣渣!


 碳基生命

然而,硅基真的比碳基高级吗?其实完全不见得。现在一个很重要的研究方向,就是基于碳材料的信息技术。


最近,北京大学彭练矛院士和张志勇教授等人的研究组,在顶尖学术期刊《科学》(Science)上发表了一篇论文(https://science.sciencemag.org/content/368/6493/850.full),就是这个领域的重要成果。许多媒体报道,这有望为碳基半导体进入规模工业化奠定基础,也为我国芯片业弯道超车提供巨大潜力(为“中国芯”弯道超车加速!北大研究团队突破碳基半导体制备瓶颈)。


彭练矛与张志勇等人在Science的论文

我来向大家解读一下这项工作。


历史上,半导体材料的变迁其实已经发生过一次了,就是从锗(Ge)到硅(Si)。1947年,贝尔实验室的巴丁(John Bardeen,1908 - 1991)和布拉顿(Walter Houser Brattain,1902 - 1987)发明了晶体管,当时他们用的就是锗。在半导体产业的最初几年,大家用的都是锗。


世界上第一支晶体管与晶体管的三位发明人(左:巴丁,中:肖克利,右:布拉顿)

但有些人敏锐地看到,硅的前景比锗广阔得多。锗在地壳中的含量在百万分之一的量级,而且是地壳中最分散的元素之一,没有可供工业开采的矿石,只能从其他矿物的处理中回收。而硅占地壳质量的26.4%,随便抓一把沙子就是二氧化硅。锗难以提炼到很高的纯度,而提纯硅要容易得多。锗半导体的热稳定性也不如硅。


 元素周期表,注意C、Si、Ge都在第四主族


所以到了六十年代,主流已经完全变成了硅,早期的锗晶体管、锗集成电路都进了博物馆。锗半导体并没有完全被淘汰,但只用在极少数地方,如高频大功率器件。


 图左为基尔比与他的锗基集成电路,图右为诺伊斯与他的硅基集成电路

现在大家听到的28纳米、14纳米、7纳米之类的数据,指的就是在硅材料上一个晶体管的特征尺度。1纳米等于10的-9次方米,一根头发丝的直径就有几万纳米。在一根头发的宽度就能放下几千个晶体管,这是多么了不起的技术!


但是,当人们继续往下走,就快hold不住了。晶体管之间离得太近,就会漏电,导致无法使用,这是物理规律决定的。


怎么办呢?


一条路是修修补补,改变晶体管的构型之类,想尽一切办法给硅材料续命。


 从平面场效应管到FinFET再到GAAFET的演变

另一条路是从底层开始革命,把硅材料换掉。


以前既然可以从锗换成硅,现在当然也可以换成其他材料,用硅并不是天经地义的。换成什么呢?最有希望的选择之一就是碳纳米管(carbon nanotube),还有一种值得考虑的是石墨烯(graphene)。两者都是碳材料,所以统称碳基半导体。


学过初中化学的,都知道石墨的结构,它是由一层层的平面堆叠而成的。石墨的一个单层,就是石墨烯,其中每一个碳原子周围连着三个碳原子。石墨烯好比一张纸,石墨好比很多张纸摞起来。拿着一张纸,你还可以把它卷成一个管子,这就是碳纳米管,简称碳管。你看,这些碳材料的结构都很容易理解。


四种碳材料:石墨烯、石墨、碳纳米管与富勒烯


在原理上,碳纳米管跟硅相比,晶体管的功耗更小,效率更高,所以被公认为下一代集成电路的理想材料。但这只是理论上限,真要实现这样的潜力,有很多先决条件。


 碳纳米管晶体管具有超越硅的潜力

首先,这些管子不能横七竖八躺一地,而是要顺着同一方向排列起来。一家人,最重要是齐齐整整!


 一家人最要紧是齐齐整整

然后,管子的密度要足够高,稀稀拉拉排几根是没用的。要达到好的性能,需要在1微米里放下100至200根碳纳米管。


这两个条件都很容易理解,还有一个条件比较高端,就是要达到很高的半导体纯度。这话是什么意思呢?


我们需要注意到,把一张纸卷成一个管子,有很多种卷法。可以粗,也可以细。可以平着卷,也可以斜着卷。不同的卷法,得到的碳纳米管性质是不一样的。其中有些是半导体,有些是导体,或者说是金属。


碳纳米管的不同卷法

半导体是我们需要的,而导体是有害的。要达到好的性能,导体管子的比例要在百万分之一以下,也就是说半导体管子的比例要达到99.9999%,小数点后4个9。这就是所谓半导体纯度的要求。


 论文图1,左边是碳纳米管晶体管的示意图,右边纵轴是金属性碳纳米管比例,横轴是碳纳米管密度,注意这项工作第一次落在了金属性碳纳米管比例小于百万分之一、碳纳米管密度在100至200根每微米的有用范围内

在此之前,顺排、高密度和高纯度这三个要求,没有能同时做到的。有些实验能实现高密度,但没有高纯度。有些实验是有了高纯度,而没有高密度。所以,碳纳米管晶体管的性能,总是比硅差至少一个量级。


 在此之前,碳纳米管晶体管的性能总是比硅差至少一个量级

知道了这些背景,彭练矛和张志勇等人的新成果就容易理解了。他们提出了一种新的制备方法,第一次把这三个条件同时实现了。从而有史以来第一次,造出了性能超越硅的碳纳米管晶体管。


 Science杂志对这项工作的介绍(https://science.sciencemag.org/content/368/6493/twis


如果你想了解细节,那么可以稍微解释一下。他们的制备方法是,先用多次的聚合物分散和提纯,得到超高纯度的碳管溶液,然后对这个溶液用维度限制自排列(dimension-limited self-alignment,简称DLSA)。最终在4英寸的基底上,制备出了密度在100至200根每微米范围内可调、半导体纯度高达99.9999%、直径在1.45 ± 0.23 纳米范围内的碳管阵列。经过实测,性能确实超过了相同尺寸的硅晶体管。


 论文图2,顺排碳纳米管阵列的制备与表征

这是一个里程碑式的成就,正如北大官方的微信文章评论的(为“中国芯”弯道超车加速!北大研究团队突破碳基半导体制备瓶颈),将为碳基半导体进入规模工业化奠定基础。


不过,这种方法目前还不能工业化。他们必须用到一种叫做“离子液体栅极”(ionic liquid gate)的部件,才能使碳纳米管晶体管的性能超过硅,而离子液体栅极目前是不能大规模制备的。所以,在工业化的路上还有许多障碍要克服。好消息在于,这些障碍越来越少了,而且第一次显露出了超越硅的曙光。


论文图4,使用离子液体栅极后,碳纳米管晶体管超越了硅


离子液体栅极不适合大规模集成


最后,有一点值得讨论的是,媒体在报道这项成就时,往往用“中国芯”这样的词,例如深科技的文章(北大教授突破碳基半导体技术,在《科学》发表三篇论文!“中国芯”梦想更进一步)。


北大教授突破碳基半导体技术,在《科学》发表三篇论文!“中国芯”梦想更进一步

就连北大自己的宣传,都用这样的标题(为“中国芯”弯道超车加速!北大研究团队突破碳基半导体制备瓶颈)。


为“中国芯”弯道超车加速!北大研究团队突破碳基半导体制备瓶颈


这其实格局有点小了。大格局的看法是,这是全人类的重要进展。所谓中国芯的说法,听着似乎是别人已经有了,然后有人来填补国内空白,这就拉低了自己的层次。


《孔子家语》里有一个故事:楚王出游的时候,丢失了一张弓。左右要去找弓,楚王说:“不用了。楚王失弓,楚人得之,又何求之!”


《孔子家语》

你觉得楚王的胸怀很开阔吗?然而孔子听到,却说:“可惜楚王的胸怀不够大啊!为什么不说人失弓,人得之,就够了呢?何必一定要楚人呢?”


楚王失弓
http://www.quanxue.cn/CT_RuJia/KongZiJY/KongZiJY10.html

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背景简介:本文作者袁岚峰,中国科学技术大学化学博士,中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心副研究员,科技与战略风云学会会长,“科技袁人”节目主讲人,安徽省科学技术协会常务委员,入选“典赞·2018科普中国”十大科学传播人物,微博@中科大胡不归,知乎@袁岚峰(https://www.zhihu.com/people/yuan-lan-feng-8)。
责任编辑孙远

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