重大突破！那个被韩国垄断、价格涨上天的“东西”，将迎来中国的春天...

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就在不久前，韩国发生了一次5.5级地震，韩国自己没事，但估计很多国产手机厂商都紧张了起来，原因是什么呢？

众所周知，DRAM芯片作为电脑和手机组成的重要成分，没有它，我们这些电子设备完全无法运行。就像是人失去了中枢神经，只能眼睁睁地变成“植物人”。

事实上，广大中国手机厂商所使用的的内存：DRAM芯片，绝大多数都来自韩国，比如现在最大的几家，三星、SK Hynix和镁光。所以，不管对于什么品牌的手机，在内存这块领域，韩国厂商都具有压倒性的力量。

一旦地震致使韩国的内存等供货断掉，中国手机厂家的生产链立刻就会面对巨大的危机。这下就明白当韩国地震的时候，国产手机们为什么会紧张了。

然而，韩国内存厂家们因其在本行业掌握着绝对的垄断地位，在最近搞了一件大事情。

《朝鲜日报》11 月 4 日报道称，全球第一大、第二大DRAM内存生产商三星和 SK 海力士决定扩大DRAM的产能，以压低价格。

初看这一消息，这压低对于消费者无疑是一大利好。若仔细分析后，就会发现这是一个大大的诡计。

因为就目前而言：DRAM处于供不应求的状况，价格高涨。而在网上随便搜索一下，基本上都是DRAM价格还要涨（如下图）。

细细分析，原来是韩国内存企业利用其巨大的产量，不断打压想要进入这一行业的中国厂商，进而巩固它的垄断地位。

值得一提的是，韩国的大“诡计”只针对中国市场，因为国际市场的内存涨幅不过一倍多，而中国市场上的内存涨价幅度是三倍多，中国消费者成了这次涨价事件的最大受害者！

内存芯片作为电子设备的重要组成份，自强的民族企业怎能让韩国一直垄断我们的市场，玩弄于鼓掌之间？

就在11月14日，一条来自《科学》杂志官网的消息，瞬间打破了这种局势，国产内存芯片有了新出路，而且只会更好，更快！

这条消息称：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员饶峰和同事研发出一种全新的相变材料——钪锑碲合金，可在不到1纳秒内实现多晶态与玻璃态两种相态之间的转换。

这将突破相变存储器（PCRAM）的存储速度极限，为实现我国自主通用存储器技术奠定了基础。不久后，更有望媲美或替代传统的DRAM和SRAM存储器。

这也就意味着，未来新一代的相变存储器（PCRAM）将彻底代替传统DRAM或SRAM储存器，中国企业受制于韩国芯片的时代即将一去不复返！

那么，科学家们所提出的相变存储器（PCRAM）到底是什么呢？

早在本世纪初，科学家就已经提出相变存储器（PCRAM）是一种很有前途的新型非易失性存储器。

而通过发展，PCRAM相变存储器不仅综合了目前半导体存储器市场上主流的DRAM和SRAM等传统存储器的优良特性，而且还具有微缩性能优越、非挥发性、循环寿命长、数据稳定性强、功耗低、体积小等诸多优势，被认为是下一代非挥发存储技术的最佳解决方案之一。

但是，我国此前相变存储器（PCRAM）使用的相变材料是锗锑碲合金（GST），为符合当今计算机的高速随机存储的需求，相态转换必须在亚10纳秒内完成，而锗锑碲合金的相变速度通常需要几十至几百纳秒，这导致速度太慢导致无法媲美或替代传统的DRAM和SRAM存储器。

（模拟显示了在0.6纳秒内的晶核扩展，新相变材料迅速实现多晶态与玻璃态之间的转换）图片来自《科学》杂志官网

如今，饶峰团队通过理论计算，向锑碲合金加入过渡族金属，筛选出能在更高温度下通过形成更加稳定的钪碲化学键加速晶核形成的钪锑碲合金。

他们还合成出这另一种新型相变材料，并通过实验证明，新材料能在700皮秒（0.7纳秒）内快速完成晶体与玻璃态的相变可逆转换。

研究人员表示，这一速度提升，使得相变存储器有望替代现有高速存储器进入实用，未来将进一步助推计算机整体性能的大幅提升，向更快速、更低功耗、更长寿命方向发展。也有可能媲美或替代传统的DRAM和SRAM存储器。

可以说，饶峰团队在这一方面的突破意义重大。因为，中国在这方面突破的一小步，无疑是手机、电脑等厂商的一大步。

中国相变存储器的春天要来了

毫无疑问，中国在相变存储器（PCRAM）上的突破，对于国内手机制造商、电脑制造商、科技爱好者来说意义重大！

因为一直以来，就电子科技领域而言，韩国在OLED面板市场、半导体、DRAM 内存方面一直处于世界领先水平，甚至可以说是“垄断”。

就拿DRAM 内存方面而言，韩国三星、SK海力士主宰全球逾75%的DRAM市场。

就像前面提到的，从去年下半年起，DRAM 内存价格一路上涨，截止目前已连续六季上涨，今年涨幅更逾七成，对此有不少想换内存的网友纷纷表示：“换不起”。

三星、SK海力士从中可以说是赚的盆满钵满！就拿三星来说，三星电子半导体业务第三季度的运营利润，已占到公司整体运营利润的近69%。

由于DRAM 内存价格的上涨，电脑和部分智能手机等不堪侵蚀，售价在今年也是被迫小幅上调。

更可怕的是，业内人士表示：尽管预估明年新增DRAM供给约21~22%，需求增幅却达22~23%，所以供给仍有缺口，估计到明年首季，价格和今年初比，涨幅将达八成之高。

这个世界就是这样残酷，弱肉强食。但是，中国从不服输！

如今，终于取得大突破，更希望在今后不久取得进一步进展，从而使国产研发能媲美或替代传统的DRAM和SRAM存储器。

历时，储存器“白菜价”也不是不可能。中国“智”造的春天也真正来了，广大消费者的春天才真正来了！

近些年来，伴随着中国科技的不断进步，在各个行业，中国被国外垄断的领域正在被逐一打破，中国自主生产研发的新闻也像雨后春笋一样冒了出来，中国“智”造正在逐步走向世界。

11月24日，北京将举办“2017中国智造业年会”。一批优秀的智造企业将脱颖而出，成为所在行业的领军者，我们可以预见，一场声势浩大的中国智造业发展浪潮正扑面而来，中国智造的黄金篇章正在掀开！

展望未来，中国这个富有活力的国家，已经成为了智造业的的沃土，。

可以肯定，中国“智”造将在历史上，写下更加宏大的篇章！

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