芯榜消息：日本佳能（7751）发布财务业绩简报。佳能下一财年用于功率半导体的i-line的预测显着增加。
芯榜分析全球对功率半导体的资本投资可能会继续。
从安全的角度来看，每个国家都在重复进行资本投资。产能将过剩，但对设备制造商来说将是顺风车。
光刻机最核心的技术就是光源，光刻机按光源技术先进次序可分为 紫外光UV，深紫外光DUV、极紫外光EUV三大类。DUV、EUV最为市场紧缺，目前EUV被禁运风险下，DUV也面临卡脖子风险。
DUV光刻机也包括两个大类，分为浸入式和干燥式，浸入式为ARFi光刻机；干燥式分为三种，分别是i-line、KRF和ARF三种光刻机。按照光刻机的发展先后顺序，分别是i-line、KRF、ARF、ARFi。一个主要区别在于光源的波长，分别是365纳米、248纳米、193纳米、等效134纳米和13.5纳米。这些光源的最大分辨率分别是90nm，60nm，38nm，28nm。在2021年史无前例大缺芯中，一台三十年前佳能的二手光刻机身价暴涨17倍，2014年售价不到10万美元，却足足被炒作卖到了170万美元。尽管这台光刻机仅适用于4至8英寸的晶圆，只能用于350nm的技术。2022年初，佳能表示要投入500亿日元（约合25亿元人民币）新建半导体设备工厂，主要增产光刻设备，而建成后预计产能将提高2倍。
当前，全球的光刻机主要可以分为两类，EUV与DUV。简单来说，EUV主要用于7nm及更先进的制程，在这个市场中，来自荷兰的阿斯麦一家独大。而在14nm以及更成熟的制程中，则主要使用的是DUV设备，这一市场则由阿斯麦以及来自日本的佳能、尼康三分天下。由于历史的原因，在光刻机的生产中，阿斯麦采用全球分工，尤其是光刻机的核心零部件光源主要来自美国，因此会受到更多的美国长臂管辖，而日本企业更多采用垂直一体化的生产模式，相对来说受限较小。政治原因之外，于佳能而言，借助中国市场，实现光刻机产业的“弯道超车”，则是另一重它的隐秘“芯事”。日本光刻机，卷土重来？
懂行的可能知道，日本的佳能、尼康的光刻机市场份额曾遥遥领先荷兰ASML，在上次佳能扩产光刻设备的2000年左右，ASML因为和台积电的一次触电式合作，从无名小卒一骑绝尘，反观佳能、尼康已经逐渐走下坡路。2000年初，因为一场光刻机干湿路线之争，光刻机市场格局被ASML打破。2004年，ASML和台积电共同研发出全球首台浸润式微影机，凭借优秀的性能和稳定的技术，ASML一举碾压走“干法”路线的佳能和尼康，尼康、佳能从此沦为二三线半导体设备厂商。佳能目前出售的光刻机涉及i-line到KrF级别，没有浸入式光刻机，在EUV领域几乎不可能赶超ASML，正在研究“纳米压印光刻（NIL）”，尝试以低成本来制造尖端半导体。2021年佳能的i-line、KrF两类光刻机出货量达140台，较2020年出货增加18台，增幅15%，其中出货主力i-line机台出货了102台。佳能预测2022年半导体光刻设备的销量比上年增长29％，增至180台，最近10年内激增至4倍。建设新工厂后，2个基地的总产能将增至约2倍，以此满足暴增的半导体设备需求。虽然高端光刻机攻不下，但中低端光刻机还有市场。比如佳能在2021年出货的新式i线步进式光刻机“FPA-3030i5a”，可以制造硅基以及SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）等化合物半导体晶圆。佳能还联合铠侠开发NIL工艺，号称可以不使用EUV光刻机将芯片制程提升到5纳米水平。所谓NIL技术，是将三维结构的掩膜压在晶圆的感光材料上，同时照射光线完成一次性转印，被称为是最有前景的光刻技术之一。相比EUV，NIL主要有两大优势。第一，NIL更省钱。第二，技术更加独立自主。第三，可以做5纳米。中国半导体面临美国联合围堵的境况下，日本光刻机能否卷土重来？欢迎留言发表看法。
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