ASML 101 | 挑战k1极限，铸就强大内“芯”

在上一期 ASML101 中，我们为大家介绍了ASML光刻机强大的产能和精度。正是由于ASML采用了先进的量测系统和软件，才能成为芯片生产中的“品控师”。

但是，芯片生产精度与良率的提升不仅仅依靠衍射的光学量测和电子束量测的先进技术，ASML正在将光与物质相互作用的基本物理概念将k1推到物理的极限。

本期 ASML101，我们将带领大家了解ASML如何通过挑战k1的极限，实现更小、更密集、功能更强的芯片。

Tips: 点击本期文末阅读原文，可报名参加ASML算“芯”分享会哦！

瑞利判据中有一个系数k1，它包含了为提高光刻过程的系统分辨率所能做的其它一切努力，ASML致力于让我们的光刻机不断逼近k1的物理极限。

第九讲

挑战k1极限，铸就强大内“芯”

控制光线

对光线照射到掩模版这一过程的控制，极大地影响了k1和分辨率。

在光刻机内部，照明模组将来自光源的光线收集并聚焦到掩模版上，并通过各种技术，让芯片制造商能在不影响系统速度的情况更好地控制光刻制程及成像表现。

例如，在离轴照明模式中，光以一定的角度照到掩模版上，以控制通过掩模版图案的衍射光。从简单的点光到复杂形状的光，通过将光束塑造为不同的"光瞳形状"，照明模组可以控制光在系统中的交互，以提高图像的对比度。

光瞳形状是如何控制的？

随着芯片线宽变得越来越小，光瞳的形状也变得越来越复杂，以获得最佳的分辨率。

在过去，工程师通过将衍射光学元件（DOE）手动插入照明模组的方式，来调整所需光瞳的形状，以获得最佳效果。

但在半导体行业中，时间就是金钱。在ASML DUV系统中，FlexRay自由照明模组拥有由4000个可单独控制的反射镜构成的阵列，可以瞬间实现你能想象的任何光瞳形状。

模拟出最优的掩模版

基于我们系统产生的海量数据，计算光刻技术可以用强大的算法模拟制造过程。这些模拟有助于我们基于要在晶圆上成像的图案，设计和优化掩模版。

这一技术被称为光学邻近校正（OPC），经常与光刻系统中特定的照明优化相结合，以减小芯片图案和掩模版图案之间的偏差。

至此，相信大家已经对ASML强大的光刻技术有了更深入的了解。ASML光刻机作为高科技硬件和先进软件的综合体，软件对于ASML的重要性不言而喻。下一期，我们也将为大家全面解析ASML的软件类型及价值。

大家也可点击文末阅读原文，参与直播，了解ASML软件超人团队，共同探索纳米世界！

推荐阅读