内存速度再次翻倍！新型MCR内存是怎么做到的？
随着海力士等内存厂家陆续推出新型内存的新闻【1】【2】逐渐出现，MCR（Multiplexer Combined Ranks）内存开始为大众所知。它在DDR5内存的基础上，再次将传输速度提高一倍，目前已达8000MT/s（未超频）！它是怎么做到的呢？它是不是就是传说中的DDR6呢？
三剑客齐聚
要召唤神龙，必须集齐龙珠；新技术要上马，合作伙伴必须全部上船。MCR内存是一种服务器内存LRDIMM，要实现新技术，LRDIMM内存产业链上的三剑客必须紧密合作才能达成，它们就是内存控制器厂家、RCD/DB厂家和内存颗粒厂家。什么是LRDIMM，什么是RCD/DB可以参考我的这篇文章：傲腾内存预热：什么是RDIMM和LRDIMM？
在参考资料1新闻中的这三家分别是：Intel、Renesas和hynix。Intel作为MCR技术的发明者 ，在三剑客中起到主导和推动作用，它提供CPU中的内存控制器；Renesas作为RCD/DB厂家之一（国内是澜起），提供RCD和DB（Data Buffer）；海力士提供颗粒和内存条DIMM（国内是长鑫）。
MCR，Multiplexer Combined Ranks，顾名思义，是将多路Rank进行合并，提高传输速度：
来源：参考资料1
它的技术本质是：将原本CS驱动串行的Rank，借助LRDIMM中的DB，改成并发，从而直接将传输率提升一倍。它有如下特点：
两个Rank形成伪多内存通道（Pseudo Channel 【3】），形成并发。注意Pseudo Channel和DDR5中的sub-channel的区别；
LRDIMM内存条后端（back-end），也就是DB到内存颗粒，Burst Length不变，还是一次突发传输64个字节；
DB将两个Rank两组64个字节数据进行整合和缓存，形成128个字节的Burst Length；
LRDIMM内存条的前端（front-end），也就是DB到内存控制器，Burst Length加倍，而从速度加倍。
这种前端和后端不平衡的加速有什么好处呢？从原理来看，后端内存颗粒几乎不需要为此做出什么改动，时钟不变，传输速度不变，适合内存颗粒这种被动和变化缓慢的设备。提高主要体现在DB和CPU之间，传输率加倍，在数据线还是64Bit的情况下，Clock加倍。对内存控制器和DB设计提出了更高的要求。
结论
MCR实现依赖LRDIMM中的DB和RCD，所以这种技术并不能用于没有它们的UDIMM和RDIMM中，所以它仅仅是服务器内存的一种技术，普通用户并不能使用这种黑科技。这也决定了它并不是传说中的DDR6。
参考资料
[1] 海力士MCR PR1: https://www.prnewswire.com/news-releases/sk-hynix-develops-mcr-dimm---worlds-fastest-server-memory-module-301697691.html
[2]海力士MCR内存 PR2：https://www.kedglobal.com/korean-chipmakers/newsView/ked202212080014
[3]Pseudo-channel专利: https://www.freepatentsonline.com/20190043552.pdf