石墨烯/ITO复合导电电极:提高透光率和电导率
内容简介
韩国国立顺天大学Ji-Myon Lee等人开发了一种简便环保的液相化学沉积+后续真空退火的方法:首先,以廉价的In(NO3)3H2O和SnCl4为原料制备了不含有机物的ITO分散液,然后,在石墨烯表面均匀沉积一层10wt% ITO纳米颗粒。所制备ITO-石墨烯复合材料具有优异的可重复的可见光透光率(85%),相对CVD制备的石墨烯,电导率提高28.2%。
文章发表于Nano-Micro Letters期刊2018年第10卷第1期,详情请阅读全文,可免费获取。本文也在微信(nanomicroletters)、微博(纳微快报NML)、科学网博客、Facebook、Twitter等期刊新媒体推出,请大家多关注和阅读。早期的微信推文请关注网站(http://nmsci.cn)。
文章题目:Synthesis and Characterization of Graphene/ITO Nanoparticle Hybrid Transparent Conducting Electrode
关键词:石墨烯,ITO纳米粒子,化学沉积,晶体,拉曼光谱
引用信息:Bastian Waduge Naveen Harindu Hemasiri, Jae-Kwan Kim, Ji-Myon Lee. Nano-Micro Lett. (2018) 10: 18.
https://doi.org/10.1007/s40820-017-0174-0
图文导读
图1:a)CVD石墨烯生长过程示意图。b)ITO纳米粒子/石墨烯杂化材料的合成工艺流程。c)SiO2/Si衬底上石墨烯的光学显微图像。d)SiO2/Si基底上的CVD石墨烯的拉曼光谱和洛伦兹拟合曲线。
图2:a)铜片上CVD石墨烯的FE-SEM图。b)在铜上沉积ITO纳米颗粒且在空气干燥后的石墨烯FE-SEM图。c)退火前ITO纳米粒子在SiO2/Si衬底上沉积石墨烯的FE-SEM图。d)真空下450℃退火1小时后,ITO纳米粒子在SiO2/Si衬底上沉积石墨烯的FE-SEM图。e)在SiO2/Si衬底上ITO纳米粒子修饰的石墨烯的光学显微图像。
图3:a)真空下450℃退火1小时后ITO纳米粒子沉积的石墨烯的XRD图和洛伦兹拟合曲线。 b) 真空下450℃退火1小时后沉积在石墨烯上的ITO纳米颗粒的EDX光谱。
图4:真空下450℃退火1小时后沉积在石墨烯上的ITO纳米粒子的光电子能谱:a)宽扫描光谱,b) In3d的窄扫描光谱,c)Sn3d的窄扫描光谱,d) C1 s的窄扫描光谱。
图5:真空下450℃退火1小时后,转移到SiO2 /Si上的CVD石墨烯和ITO纳米颗粒修饰石墨烯的拉曼光谱,放大的洛伦兹拟合图:b) G峰,c) 2D 峰,d) D峰,e)不同情况下的石墨烯ID/IG与 I2D/IG的比率。
图6:a) 石墨烯和ITO纳米颗粒沉积石墨烯的电压-电流(V - I)特性(插入图像显示了所制备样品的示意图)。b) 石墨烯和ITO纳米颗粒沉积的石墨烯的紫外-可见光谱。c) 电阻和透光率随光密度的变化图。
通讯作者简介
Ji-Myon Lee, 韩国顺天国立大学(Sunchon National Univeristy)纳米材料与器件实验室,教授。E-mail: jimlee@sunchon.ac.kr
研究方向
光学器件的制备及表征,如LED 、LDs
半导体等离子体刻蚀
等离子损伤的表征和恢复
DBR/DFB激光二极管的制备及表征
宽范围可调谐SG-DBR激光器
半导体纳米结构的制备及表征,如光子晶体
半导体表面改性
半导体的光学性质
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期刊简介
Nano-Micro Letters 是上海交通大学主办的英文学术期刊,主要报道纳米/微米尺度相关的最新高水平科研成果与评论文章及快讯,在 Springer 平台开放获取(open-access)出版。已被 SCI、Ei、SCOPUS、DOAJ、知网、万方等数据库收录,影响因子4.849。JCR学科分区在材料学科和物理学科均居Q1区。近年来,该刊入选“中国科技期刊国际影响力提升计划”和“上海市高水平高校学术期刊支持计划”项目资助,多次获得“中国最具国际影响力学术期刊”、 “高校百佳科技期刊奖”、“上海市高校精品期刊奖”、“优秀期刊网站奖”等荣誉。
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