NML综述 | 2D钙钛矿发光二极管的研究进展与挑战

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金属卤化物钙钛矿是一种新兴的发光材料，其具有高缺陷容限、可调谐带隙和溶液加工性。绿色和近红外钙钛矿发光二极管的外量子效率已超过20%，表明其商业化潜力巨大。然而，在典型的三维钙钛矿，低激子结合能和长载流子扩散长度使得非辐射复合优于辐射复合。与三维钙钛矿相比，准2D钙钛矿由于量子限制和介电限域效应，具有更高的激子结合能，表现出优异的发光性能。因此，本文综述了2D钙钛矿发光二极管的进展，并讨论了其在高性能LED方面面临的挑战。

Advances and Challenges in Two‑Dimensional Organic-Inorganic Hybrid Perovskites Toward High‑Performance Light‑Emitting Diodes

Miao Ren, Sheng Cao, Jialong Zhao, Bingsuo Zou, Ruosheng Zeng*

Nano-Micro Letters (2021)13: 163 

https://doi.org/10.1007/s40820-021-00685-5

本文亮点

1. 系统地阐述了2D钙钛矿薄膜的基本结构和光物理性质。2. 综述了2D钙钛矿发光二极管的研究进展。3. 讨论了实现高性能发光二极管面临的挑战。

内容简介

广西大学曾若生课题组在本文中首先系统地介绍了2D钙钛矿薄膜的基本结构和光物理性质。基于2D钙钛矿特殊的结构，其具有能量漏斗机制、超快能量转移和致密薄膜等优点，综述了2D钙钛矿结构发光二极管(PeLEDs)的显著成就。最后，探讨了高性能2D钙钛矿LEDs所面临的挑战和未来的发展前景。

图文导读

I 2D钙钛矿材料的特点

1.1 2D钙钛矿材料的结构

通过沿着3D钙钛矿的特定(hkl)平面切割，会形成具有(100)取向、(110)取向和(111)取向结构的2D钙钛矿(图1a)。研究最多的是具有K₂NiF₄或RbAlF₄晶体结构的(100)取向2D钙钛矿，通式为A'₂A_n-1B_nX_3n+1。(110)取向的2D钙钛矿的通式为A'₂A_mB_mX_3m+2。(111)取向的2D钙钛矿的通式为A'₂A_q-1B_qX_3q+3(q>1)。因为八面体通常是高度扭曲的，所以在室温下会有许多有趣的物理现象，例如自陷激子和白光发射。

1.2 2D钙钛矿中的n值

公式中的n值定义为[BX₆]^4-八面体层的数量，可通过调整前体溶液的化学计量来实现。2D钙钛矿的带隙、载流子迁移率和E_b均与n值有关。目前，在大多数报道中，研究人员假设2D钙钛矿薄膜中存在一个特定的n值。然而，根据公式制备的2D钙钛矿通常是具有不同n值的混合物。Jin等人制备了2D钙钛矿(BA)₂(MA)₃Pb₄I₁₃，值为“n=4”，但发现样品是多个钙钛矿相的混合物。如图2a所示，∼572、608、645和750 nm处的吸收峰分别归属于n=2、3、4和∞。结合吸收光谱和PL光谱(图2a, b)，可以推断底部有利于低n相的形成，高n相容易在顶部形成。对于高色纯度的显示和激光应用，需要精确控制具有特定n值的2D钙钛矿，这可以通过生长单晶获得。然而，由于钙钛矿的快速成核速率，精确制备具有特定n值的钙钛矿薄膜仍然是一个世界性的科学问题。最近，Huang等人引入乙酸丁胺取代传统的碘化丁胺，从而获得相纯薄膜。

图1. (a) 具有不同取向的2D钙钛矿系列的示意图。(b) 量子阱钙钛矿结构示意图。(c)  Dion−Jacobson相和(d) Ruddlesden–Popper相之间的比较。

与3D钙钛矿相比，2D钙钛矿不仅具有尺寸变化，而且具有天然的量子阱结构。如图1b所示，n表示[BX₄]^2-八面体层的数量，其可确定阱宽和带隙。n值越大，带隙越小。[BX₄]^2-可视为势阱，大的有机阳离子可作为势垒。势垒宽度由大的有机阳离子半径决定。通过自下而上的自组装，有机-无机层交替排列，自然形成多量子阱结构。此外，由于有机层和无机层之间的介电常数差异较大，2D钙钛矿的E_b比3D钙钛矿大。量子阱具有超快的能量转移过程，有效抑制激子猝灭，使量子阱薄膜在低激发下表现出高光致发光量子效率(PLQY)。

图2. (a) (BA)₂(MA)₃Pb₄I₁₃钙钛矿薄膜的紫外-可见吸收光谱。(b) 从薄膜正面和背面比较2D钙钛矿薄膜的发射光谱。(c) 纯相薄膜归一化的紫外-可见吸收光谱。(d) 纯相薄膜归一化的PL谱。(e) BABr:MABr:PbBr₂ =1.5:0.5:1和(f) BABr:MABr:PbBr₂= 1.1:0.5:1的光致发光光谱。

1.3 电荷-载流子复合动力学

从材料的角度来看，钙钛矿材料的PLQY和光激发电荷载流子寿命与实现高性能PeLEDs密切相关。自由载流子在三维钙钛矿中占主导地位，因为它们的E_b很小，接近室温热能。这表明激子在室温下会分解成自由载流子。在3D钙钛矿中，载流子复合动力学和载流子密度之间的关系是不可分割的。在低载流子密度下，单分子复合(k₁)占主导地位，自由载流子容易被缺陷捕获(图3d)。如果载流子密度较高，陷阱中充满自由载流子并达到饱和状态，这将促进双分子辐射复合并改善PLQY。遗憾的是，典型3D PeLEDs中的电荷载流子密度通常小于10¹⁵ cm⁻³，这严重限制了辐射复合的速率。减小钙钛矿晶体的尺寸或尺寸(如2D、1D)可以有效地增加电荷载流子限制。从以上观点来看，2D钙钛矿是PeLEDs的理想候选材料。与3D钙钛矿不同，2D钙钛矿的激子结合能高达几百毫电子伏，在室温下很难分离成自由载流子，这直接导致快速的辐射单分子复合速率。

图3. (a) 激子复合。(b) 陷阱辅助复合。(c) 俄歇复合。(d) 3D和(e) 2D钙钛矿中电荷载流子复合的示意图。

1.4 2D钙钛矿作为发光层的优点

1.4.1 激子特性和超快能量转移

与3D钙钛矿相比，2D钙钛矿受到量子限制和介电限域的影响。[BX₆]^4-八面体层的厚度接近玻尔半径导致量子限制效应。有机阳离子和[BX₆]^4-八面体层之间的介电常数偏移导致介电限域效应。这些效应有利于束缚激子的形成。此外，天然量子阱结构具有超快的能量转移，载流子密度增加，影响发光效率的浅层缺陷被填充。在2D钙钛矿中，陷阱辅助的单分子复合失去了竞争力，一阶激子辐射复合占主导地位，PLQY得到改善。与OLED的主客体系统类似，具有n值的不同样品之间可能发生能量传递。从宽带隙(小n值)到窄带隙(大n值)的级联能量转移可以有效避免浓度猝灭，并显著提高最大n值下的辐射复合率。不幸的是，准2D钙钛矿是许多相(尤其是大量小n相)的混合物，导致低效的能量转移。Choy等人引入了双功能有机配体(氨基和羧基)来削弱范德华能隙，这有助于钙钛矿薄膜的有效能量转移。Lee等人也观察到了类似的结果，能量转移的增强有利于降低非辐射复合的概率，从而提高器件性能。尽管光生电子和空穴转移的机制仍存在争议，但快速载流子转移过程可以与陷阱辅助的单分子非辐射复合竞争，这使得准2D钙钛矿结构有利于增强PLQY(图4)。

图4. (a) pristine和(b) pristine/ABA钙钛矿薄膜的TA光谱。(c) pristine和(d) pristine/ABA钙钛矿薄膜的TA动力学。

1.4.2 致密的薄膜

钙钛矿薄膜的形貌是决定PeLEDs性能的关键因素。通常，3D钙钛矿薄膜表面粗糙，容易产生大量针孔，导致漏电流增加，热效应明显，从而导致器件效率降低，器件寿命缩短。结果表明，2D钙钛矿比3D钙钛矿具有更好的薄膜形貌。有机阳离子可以改善3D钙钛矿薄膜的形态，并促进致密无针孔薄膜的形成。例如，3D FAPbI₃钙钛矿薄膜的均方根粗糙度为18.8 nm。令人惊讶的是，2D (NMA)₂PbI₄(n=1)和(NMA)₂FAPb₂I₇ (n=2)薄膜的均方根粗糙度分别为1.4和2.6 nm(图5a-c)。此外，Cao等人通过引入PEABr提高了CsPbCl_0.9Br_2.1薄膜的表面覆盖率，该薄膜只有几个小针孔(图5d-f)。更重要的是，如果PEABr被其他胺取代，将观察到类似的现象。

图5. (a) FAPbI₃，(b) (NMA)₂PbI₄和(c) (NMA)₂FAPb₂I₇薄膜的AFM图。(d) 0%PEABr、(e) 40%PEABr和(f) 60%PEABr钙钛矿薄膜的SEM图。

1.4.3 低效率滚降

目前，经典钙钛矿材料CsPbX₃的EQE已超过20%。然而，如图6a所示，随着亮度和电流密度的增加，器件的EQE趋于降低，这称为效率滚降。特别是，由于激子效应，钙钛矿量子点在高电流密度下的效率衰减非常严重。对于大多数器件，高电流密度下EQE的降低是由于电荷注入不平衡、俄歇诱导发光猝灭和焦耳加热的综合作用。钙钛矿型量子点LED由于在低电流密度下的俄歇复合而具有严重的效率滚降。然而，在准2D钙钛矿结构中，可以通过降低量子阱中的局域载流子密度来抑制俄歇复合。虽然调整肼宽可以有效地降低效率滚降，但与三维PeLEDs相比，准2D PeLEDs也存在严重的效率衰减。下一节将详细讨论减少准2D PeLEDs滚降的策略。

图6. (a) 理想和实际PeLEDs操作条件下的效率滚降。(b) Pristine和Bilateral TSPO1的EQE。(c) EQE与电流密度的关系。(d) 300 mA cm⁻²时峰值EQEs和EQEs直方图。(e) PeLEDs四种器件结构示意图。

II 提高2D PeLEDs性能的策略2.1抑制效率滚降众所周知，准2D钙钛矿材料有望成为下一代显示应用的候选材料。不幸的是，准2D钙钛矿材料存在严重的效率衰减，这主要是由电荷注入不平衡、俄歇复合和焦耳加热引起的。2.1.1 电荷注入平衡对于大多数PeLEDs，高电子注入效率和低空穴注入效率导致电荷注入不平衡，严重影响PeLEDs的性能。如图7a所示，以CsPbI₃为例，HTL和发射层之间存在高势垒，空穴需要克服它才能成功传输到发射层(红色箭头)。对于无机ETL，只需要克服很小的势垒就能到达钙钛矿层(黄色箭头)。在低电流密度下，可以用较少的载流子注入来维持更多的辐射复合。在高电流密度下，注入的载流子数量增加，并且由于能级失配，HTL和发射层之间的容易发生激子猝灭。Lin等人在HTL中建立了“能量阶梯”，以解决电荷注入不平衡的问题(图7b)。“能量阶梯”的建立有助于提高空穴注入效率，降低导通电压。令人欣慰的是，多层HTL器件的EQE也得到了极大改善(图7d)，并且在0.01–1000 mA cm⁻²的电流密度下，poly-TPD/PVK的效率滚降受到抑制。2.1.2 抑制俄歇复合与3D钙钛矿相比，准2D钙钛矿的俄歇复合非常严重。这是因为3D钙钛矿的载流子密度低于准2D钙钛矿。另一个原因是电子-空穴相互作用增强，导致载流子分布不均匀。Yuan等人增加了有机阳离子的介电常数以削弱“介电限域效应”，这不仅显著降低了E_b，而且没有改变能量传递效率。分子偶极矩增大，有利于电荷分离。如图7f所示，在光吸收光谱中发现了E_b减少的有力证据。采用多指数拟合分析了高电流密度(高达~1×10¹⁷cm^-3)下的载流子动力学。最快的衰变与俄歇复合有关(图7g, h)。

图7. (a) 典型电极、电荷传输材料和CsPbI₃的能级的示意图。(b) 准2D PeLEDs和不同HTLs的能级图。PEDOT: PSS, PEDOT: PSS/TFB/PVK, poly-TPD/PVK的(c) L-V 和(d) EQE-J。(e) 准2D钙钛矿和3D钙钛矿薄膜的实验PLQYs与载流子密度的关系。(f) PEA₂PbBr₄和p-FPEA₂PbBr₄单晶的吸收光谱。在泵注量为2.3 μJ cm⁻²的情况下，(g) PEA和(h) p-FPEA薄膜的时间-波长光致发光映射图。

2.2 表面缺陷钝化

溶剂工程是目前应用最广泛的方法，它是在一步法的基础上，加入反溶剂促进钙钛矿薄膜的结晶。然而，固溶处理钙钛矿材料遭受严重的非辐射复合(由陷阱引起)，这严重限制了PeLEDs的应用和发展。陷阱态通常被认为与离子缺陷有关，如空位、反位占据和间隙(图8b)。使用钝化剂钝化缺陷是一种非常有效的方法，已被确定可以降低钙钛矿的缺陷密度和非辐射复合。通常，钝化剂在反应开始或后处理时添加。常用的钝化剂包括路易斯酸/碱和有机卤化物盐。

图8. (a) 溶液处理的钙钛矿沉积示意图。(b) 钙钛矿的缺陷包括空位、反位、间隙和金属团簇。(c) VA和PEA₂SnI₄之间氢键和配位键相互作用。(d) (不含VA)和(e) (含VA)的原位GIWAXS。(f) 通过控制化学计量比和添加有机铵盐制备的钙钛矿前驱体溶液。

2.3 有机阳离子对PeLEDs的关键作用

2.3.1 有机阳离子的合理选择

有机阳离子的链长和π−π堆积影响2D钙钛矿的n值分布。整理了各种有机阳离子，如丁胺(BA)、苯乙胺(PEA)、1-萘甲胺(NMA)和苯并咪唑(BIZ)(表1)。不同的有机胺阳离子会影响钙钛矿量子阱的厚度、能量转移效率和复合动力学，导致PeLEDs的性能有很大差异。Nie等人发现PEA基薄膜的载流子寿命是BA基薄膜的5倍(图9a)，这大大提高了辐射复合的概率。值得注意的是，苄基环的亮度是烷基链的70倍，并且具有优异的输出亮度效率和EQE。这种差异与有机阳离子的空间位阻密切相关。与烷基链相比，苄基环的体积较大，这将影响无机层的结晶堆积。由于烷基链更灵活，钙钛矿的能带结构不会受到影响。因此，苄基环的PeLEDs具有优异的电致发光性能。此外，Wang等人通过比较各种有机阳离子的d-间距选择了不含烷基支链的有机阳离子BIZ(图9e)。因为d间距越小，势垒宽度越短，可以增加载流子迁移率。图9f显示BIZ具有优异的电子迁移率和空穴迁移率。使用相同的方法，Pullerits等人选择了d间距较小的iso-BA，这显著提高了转移速率并降低了电荷积累的可能性。选择不同的有机阳离子将改变半导体的固有电子特性，这有助于设计高效稳定的PeLEDs。到目前为止，间隔阳离子的选择并不局限于单一的有机离子。各种混合有机阳离子作为间隔物已在许多杰出的工作中报道。

图9. (a) PEABr和BABr薄膜的时间分辨PL衰减曲线。(b) 溴(Br)K近边跃迁的示意图。(c) PEABr和(d) BABr薄膜的X射线吸收光谱随能量的变化和100ps激光激发后X射线吸收的变化。(e)  (PBA)₂PbBr₄，(NMA)₂PbBr₄，(PEA)₂PbBr₄，(PA)₂PbBr₄和(BIZ)₂PbBr₄钙钛矿薄膜势垒宽度的示意图。(f) 不同有机阳离子钙钛矿薄膜的电子和空穴迁移率与d间距值的关系。

2.3.2 量子阱宽度的调整

有效能量转移对2D钙钛矿的光致发光效率起着决定性的作用。合理的量子阱宽度分布可以减少不必要的能量损失，促进载流子传输。为了获得高性能的PeLEDs，有必要研究量子阱宽度分布对器件的影响。Zhong等人通过调节DPPABr与PEABr的比率来控制钙钛矿薄膜的n值。同样，Sargent等人使用IPA和PEA通过结合各种阳离子来控制量子阱宽度的分布。

图10. (a) 稳态光致发光和吸收光谱。在不同曝光时间的连续激光辐射下，(b) 含40% IPABr的PEA₂A_1.5Pb_2.5Br_8.5和(c) MAPbCl_1.5Br_1.5的荧光光谱。从样品D0P8、D4P4和D8P0的宽漂白峰(425–470 nm)中提取(d) 峰和(e) 半高宽的演变。(f) 激励后载流子行为示意图。(g) 含有0-60%IPABr的PEA₂A_1.5Pb_2.5Br_8.5的吸收光谱。(h) 含有0%和40%IPABr的PEA₂A_1.5Pb_2.5Br_8.5的TA光谱。

2.3.3 单重态和三重态激子的管理

三重态激子的管理在设计高效稳定的有机OLEDs中起着关键作用。尽管激子对PeLEDs性能的影响尚不清楚，Adachi等人使用三重态激子的管理策略，并选择有机阳离子NMA⁺作为PEA⁺的比较，这证明了三重态激子对2D PeLEDs的重要性。

图11. (a) N2F8和(b) P2F8的光致发光衰减曲线。(c) 光激发下准2D钙钛矿的能量转移机制。其中S是单线态，是三线态。

2.4 增强能量转移

由于2D钙钛矿的随机堆积，n畴的分布不均匀，出现多个发射峰。此外，由于小n相的形成能较低，在2D钙钛矿中首先形成小n相。所有这些都对从小n畴到大n畴的能量转移产生负面影响。特别是n=1相的辐射属于非辐射复合，严重影响了PeLEDs的性能。Yang等人引入甲烷磺酸盐(MES)来重建钙钛矿的相分布，并促进从小n相到大n相的能量转移。Zeng等人使用2D/3D钙钛矿结构来连接能级并增强能量转移。能级联通道的形成使得能量从宽带隙转移到窄带隙(图12g)，从而提高辐射复合效率。虽然2D钙钛矿的有机配体对电荷转移没有贡献，但3D钙钛矿的自由电荷扩散受到抑制，只能与相反的电荷结合。

图12. (a) BABr和BAMeS的差分电荷密度图。在选定时间标度下，(b) control和(c) 8%-MES钙钛矿薄膜的TA光谱。(d) BAB33和(e) BAB25钙钛矿薄膜的能量转移过程。(f) 3D和(g) 2D/3D钙钛矿薄膜载流子复合的比较。(h) P2和P2m2薄膜的畴分布、激子转移和发射特性。

III 2DPeLEDs面临的挑战

3.1 提高蓝光2D PeLEDs的效率

自2014年以来，绿光和红光PeLEDs的EQEs已超过20%，并取得了巨大成就。然而，作为高清显示器的主要颜色之一，蓝光PeLEDs的发展相当缓慢。如图13a所示。制备蓝色发射的通用策略是控制混合卤素阴离子(图13b，c)。然而，在不同的工作电压下，混合钙钛矿的光谱容易发生位移，这是由于混合卤化物的迁移和分离。此外，不同的金属离子，如Mn²⁺、Al³⁺、Cu²⁺和Zn²⁺被掺杂到B位以调整导带。不幸的是，由金属离子引起的杂质能级不利于辐射复合。目前，在三维钙钛矿中插入大量有机阳离子来实现蓝光发射也是一种重要的策略。虽然2D钙钛矿蓝光LED已经取得了很大的进展，但其在全彩显示和白光照明方面的应用还很遥远，这是一个巨大的挑战。

图13. (a) 2D蓝光PeLEsD的EQE值与EL峰值的比较。不同摩尔比CsCl和CsBr的(b) 归一化吸收光谱和(c) 光致发光光谱。经EA处理的(d) 不含和(e) 含钙钛矿薄膜的高分辨率N 1s XPS光谱。(f) 不同成分薄膜功率相关的PLQE。(g) 在紫外线灯下钙钛矿薄膜的照片。(h) EA⁺插入Pb 6p和(Pb 6s+Br 4p)轨道中准2D钙钛矿能级变化的图。

3.2 增强2D PeLEDs的稳定性

与钙钛矿型太阳能电池相比，PeLEDs需要在更高的外加电场下工作。离子迁移是导致2D钙钛矿稳定性差的主要因素。为了提高PeLEDs的稳定性，必须有效地抑制离子迁移。此外，在RP相，相邻的无机八面体板具有固有的解离倾向，并且有机阳离子通过弱范德华力连接。因此，增强大分子有机阳离子与八面体平板之间的相互作用有利于提高2D PeLEDs的稳定性。DJ相的八面体平板由二铵阳离子桥接，相互作用力比RP相的单胺阳离子更强。PeLEDs的稳定性还与材料的热稳定性有关。在连续工作电压下，焦耳热使钙钛矿界面受热，导致降解。大多数2D钙钛矿薄膜在加热时容易转变为2D/3D混合相。

3.3 降低2D PeLEDs的毒性

目前对2D钙钛矿光电器件的研究主要是基于铅基钙钛矿。虽然铅含量符合商业产品的标准，但铅基钙钛矿易于溶于水。如果封装材料损坏，会发生铅泄漏并渗入水中，对环境造成严重污染。近年来，无铅锡基钙钛矿引起了人们的关注。不幸的是，Sn²⁺很容易被氧化成Sn⁴⁺。此外，Sn基钙钛矿的结晶速率快于Pb基钙钛矿，导致更多的缺陷。薄膜容易因缺陷引起非辐射复合，严重影响器件的性能。

IV 结论与展望

本文综述了近年来2D钙钛矿在LEDs中的应用，主要是RP相钙钛矿。我们分析和比较了不同取向的2D钙钛矿结构。在这个方向上，发现了越来越多的新物质，扩展了卤化物钙钛矿族家族。此外，2D钙钛矿还具有许多优异的性质，如量子阱宽度的调控、致密薄膜的形成和超快的能量转移等，在光电子器件领域显示出巨大的潜力。然而，有机间隔物种类繁多，如何正确选择有机阳离子是促进PeLEDs发展的关键。另外，我们还简述了空间位阻和烷基链长度对器件性能的影响。虽然许多烷基胺或芳香胺已作为有机分子来调控钙钛矿的结构和性能，但扩展2D钙钛矿家族仍有很大的空间，这有助于全面理解2D钙钛矿，从根本上把握钙钛矿结构和性能对器件性能的影响。不幸的是，有机阳离子的引入也有负面影响，由于快速成核，2D钙钛矿通常包含许多不同的n值，导致多峰发射，这对于高色纯度显示器是致命的。因此，纯相的精确控制是高效稳定PeLEDs设计的关键因素之一。虽然已经取得了一些有希望的成果，但大面积制作还有很长的路要走。有必要进一步研究2D钙钛矿的成核和生长机理。此外，作为一项新兴技术，2D PeLEDs的稳定性也是其实际应用的一大障碍。在2D钙钛矿材料中，虽然大的有机阳离子可以提高薄膜的耐湿性，但离子迁移、热不稳定性和界面不稳定性仍然威胁着器件的稳定性。目前，常用表面缺陷钝化和晶体生长速率控制来缓解钙钛矿相的不稳定性。如何获得长期稳定、高效的2D PeLEDs需要进一步研究。总之，由于准2D的独特光电性能，PeLEDs在短短七年内经历了井喷式的发展。它有可能超越OLEDs和QD LEDs，并有望用于下一代显示器和照明设备。虽然取得了显著的成绩，但仍有许多问题没有解决。我们希望本篇综述能为读者提供一个全面的总结，以加深对2D PeLEDs的理解。

作者简介

曾若生

本文通讯作者

广西大学 教授▍主要研究领域

卤化物钙钛矿材料的设计、结构调控、激发态动力学研究及其在传感、光电等领域的应用。

▍主要研究成果

2014年入选贵州省高层次创新型人才，2017年入选桂林电子科技大学首届英才计划，国家自然科学基金委和广西科技厅函评专家，广西财政厅采购评审专家，任Nano Research青年编委，曾获贵州省自然科学优秀论文奖(排名第一)。主持国家自然科学基金6项，广西自然科学基金创新研究团队项目1项，国际科技合作计划项目1项，贵州省自然科学基金1项，留学回国人员科技活动项目1项。至今在Chem. Mater.、Adv. Opt. Mater.、J. Phys. Chem. Lett.、Nano Res.、J. Phys. Chem. C、Nanotechnology、CrystEngComm、Chem. Phys. Lett.、J. Alloy Compd.、Sci. Adv. Mater.、RSC Adv.等国际知名刊物上发表了60多篇研究论文(ESI高被引论文1篇，Highlight论文1篇)。

▍Email: [e-mail]

任淼

本文第一作者

广西大学 博士研究生▍主要研究领域

二维钙钛矿材料制备及LED应用、原位喷墨打印薄膜材料制备及应用。

▍主要研究成果

发表论文3篇，其中以第一作者在Nano-Micro Lett.等杂志发表论文2篇，申请发明专利2项。

撰稿：原文作者

编辑：《纳微快报(英文)》编辑部

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Nano-Micro Letters《纳微快报(英文)》是上海交通大学主办、Springer Nature合作开放获取(open-access)出版的英文学术期刊，主要报道纳米/微米尺度相关的高水平文章(research article, review, communication, commentary, perspective, letter, highlight, news, etc)，包括微纳米材料的合成表征与性能及其在能源、催化、环境、传感、吸波、生物医学等领域的应用研究。已被SCI、EI、SCOPUS、PubMed Central、DOAJ、CSCD、知网、万方、维普、超星等数据库收录。2020 JCR影响因子IF=16.419，在物理、材料、纳米三个领域均居Q1区(前10%)。2020 CiteScore=15.9，材料学科领域排名第4 (4/123)。中科院期刊分区：材料科学1区TOP期刊。全文免费下载阅读(http://springer.com/40820)，欢迎关注和投稿。E-mail：[e-mail]：021-34207624扫描上方二维码关注我们点击阅读原文在Springer免费获取全文