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【材科基总复习】高频简答题复习(上)
(一)
01
示意画出平衡态碳钢的强度随钢含碳量的变化曲线,并从成分—组织—性能的角度定性解释。
答:如图所示,强度随碳含量增加先增高后下降,在碳含量约1.0%时为强度极大值。当碳含量大于0.77%后,钢中的组织为二次渗碳体+珠光体,二次渗碳体以网状分割珠光体,且二次渗碳体的分数随碳含量增高而增大。渗碳体硬而脆,少量的不连续分布的二次渗碳体起强化作用,故强度随碳含量增加继续增高;但当碳含量大于1.0%后,二次渗碳体的分数增加到呈连续网状分布,则会在外力作用下首先断裂形成微裂纹,故强度下降。
02
语言的唯一标准,是准确已知727℃时,碳在奥氏体中的溶解度为WC=0.77%,而在铁素体中的极限溶解度仅为WC=0.0218%。请解释二者差别如此明显的原因。
答:奥氏体为面心立方结构,碳原子位于其八面体间隙中;铁素体为体心立方结构,碳原子也位于其八面体间隙中。面心立方的八面体间隙半径与铁原子半径之比(0.414)大于体心立方的八面体间隙半径与铁原子半径之比(0.155),而碳原子半径大于间隙半径,一个碳原子固溶于奥氏体中所引起的晶体能量增高远小于固溶于铁素体中所引起的晶体能量增高。03
①何谓金属的形变强化?
②用位错理论说明金属形变强化的原因;
③金属的形变强化在材料工程上有何利弊?如何克服所引起的弊端?
答:金属在塑性变形阶段,其流变应力随变形程度增加而增加的现象。或金属经塑性变形后,其强度、硬度升高,而塑性、韧性下降的现象。 在变形过程中,位错之间相互作用,产生交割,阻碍位错运动;反应生成固定位错,使位错难以运动;位错增殖,位错密度增大,增大了位错运动的阻力。 利:强化金属的重要手段;使金属材料压力加工得以顺利进行;使金属零构件得以抵抗偶然过载。 弊: 由于塑性变形后金属的强度、硬度升高,塑性、韧性下降,这使得进一步压力加工难以进行。 克服措施:进一步压力加工之前,对其进行再结晶退火,消除加工硬化,提高其塑性和韧性。
04
什么是低碳钢的应变时效,用位错解释。
答:低碳钢经过少量的预变形可以不出现明显的屈服现象,但如变形后在室温下放置一段较长时间或在低温经过短时加热,再进行拉伸试验,则屈服点又复出现,且屈服应力提高,这种现象叫做低碳钢的应变时效。低碳钢在第一次拉伸到塑性变形以后,位错已脱钉,此时若卸载并立即进行第二次拉伸,由于间隙原子来不及扩散到位错线上,位错处于脱钉状态,故在较低的应力下就开始滑移。但是如果卸载后放置了很长时间(即时效)在拉伸,由于间隙原子已经扩散到位错线上重新钉扎,因而在随后拉伸时又出现明显的屈服现象,屈服点升高。05
材料性能与相图的关系
答:1. 由相图判断材料的力学性能和物理性能 对于匀晶系,固溶体的强度和硬度均随溶质组元含量的增加而提高,若A,B 组元的强度大致相同,则固溶体的强度最高处应该在溶质含量Wb 等于50%附近,如果某一组元的强度明显大于另一组元,则其强度的最大值稍偏向高强度组元一侧。 对于共晶系和包晶系,若形成两项混合物,则混合物种两项的大小及分布都比较均匀时,材料的性能是两组成相的平均值,即性能与成分呈现直线关系2. 由相图判断材料的工艺性能 1) 铸造性能液/固相线垂直距离越大,则越易树枝晶长大,熔液流动性越差,分散缩孔越多,枝晶偏析倾向越大,热裂倾向越大;液/固相线水平距离越大,则枝晶偏析程度越大。2) 焊接性能液/固相线垂直距离越大,则:越易树枝晶长大,枝晶偏析倾向越大,热裂倾向越大。3) 压力加工性能单相固溶体区塑性好,易压力加工成型。4) 切削加工性能单相固溶体区硬度低,不利于切削加工。(二)
01
金属晶体
(1)三种典型金属晶体结构的特征:02
结合键种类及其特点
①离子键(极性键):正负离子通过静电引力(库仑引力)而结合成。特性:没有方向性、饱和性。03
导体的特点
外电场能改变价电子的速度分布和能量分布,造成电子的定向移动。一种情形是固体中价电子浓度比较低,没有填满价带。另一种导电情形是价带和导带交叠,因而在外电场下,电子能填入导带。04
绝缘体的特点
价带和导带间存在较大的能隙△Eg,而价带又被电子填满,因而通常情形下外电场不能改变电子的速度和能量分布。05
半导体的特点
半导体的能带结构和绝缘体类似,即价带被电子填满,它与导带间有一定的能隙△Eg,但比较△Eg小(一般小于2eV)。06
半导体的三种情形
△Eg非常小,热激活能就足以使价带中费米能级以上的电子跃迁到导带底部,同时在价带中留下“电子空穴”。于是,在外电场作用下,导带中的电子和价带中的电子空穴都可以向相邻的能级迁移,从而改变电子的速度和能量分布。这样的半导体称为本征半导体。 △Eg比较小,在能隙中存在着由高价杂质元素产生的新能级。热激活足以使电子从杂质能级跃迁到导带底部。于是在外电场作用下,通过导带中的电子的迁移而导电。这样的半导体称为N型半导体。 △Eg比较小,在能隙中存在着低价杂质元素产生的新能级。热激活足以使费米能级以上的电子跃迁到杂质能级,从而在价带中留下电子空穴。于是在外电场作用下,通过价带中的电子空穴的迁移也产生电流。由于电子空穴的行为类似于带正电荷的粒子,故这类半导体称为P型半导体。
07
影响合金相结构的主要因素
①原子半径或离子半径②负电性:表示它在和其它元素形成化合物或固溶体时吸引电子的能力的一个参数。③价电子浓度:合金中每个原子平均的价电子数。④其它因素:如对离子和共价晶体:电荷半径比之和。08
固溶体三个基本特征
①溶质和溶剂原子占据一个共同的布拉菲点阵,且此点阵类型和溶剂点阵类型相同。
②有一定的成分范围,也就是说组元的含量可在一定范围内改变而不会导致固溶体点阵类型的改变。某组元在固溶体中的最大含量例称为该组元在该固溶体中的固溶度。
③具有比较明显的金属性质。
09
固溶体分类
⑴根据固溶体在相图中的位置①端部固溶体,也称为初级固溶体。②中间固溶体,也称为二次固溶体。成分不一定的范围,但并不具有任一组元的结构。二次固溶体又叫中间相。也可以看成是以化合物为基的固溶体。如β黄铜看成是金属间化合物CuZn为基的固溶体。10
置换固溶体固溶度规则
如果形成合金的元素的原子半径之差超过14%-15%,则固溶度极为有限。 如果合金组元的负电性相差很大,固溶度就较小。(负电价效应) 两个给定元素的相互的固溶度是与它们各自的原子价有关的,且高价元素在低价元素中的固溶度大于低价元素在高价元素中的固溶度。(相对价效应) 如果用价电子浓度表示合金的成分,那么ⅡB-ⅤB族元素在ⅠB族溶剂元素中的固溶度都相同——约为e/a=1.36,而与具体的元素种类无关。 两组元形成无限固溶体的必要条件是它们具有相同的晶体结构。
11
影响置换固溶体固溶度的因素
原子尺寸、负电性、电子浓度和晶体结构。(三)
01
扩散分类
1)浓度的均匀程度分(是否发生浓度变化):①自扩散:不伴有浓度的变化,与浓度梯度无关。如纯金属和均匀固溶体中晶粒长大,驱动力为表面能的降低。原因晶界迁移时溶质和溶剂原子扩散方向相同②互扩散:有浓度差的空间扩散,伴有浓度变化,异类原子相对扩散,互相扩散。02
柯根达尔效应
1947年,克根达尔和斯密吉加斯用实验证明了在互扩散过程中组元的扩散系数不同,以及置换式扩散的空位机制。实验中,在黄铜与其镀层铜中包入钼丝,其中钼丝仅作标志物,在整个过程中不参加扩散反应。扩散组元是铜和锌,二者构成置换式固溶体。在置换式固溶体的扩散过程中,放置在原始界面上的标志物朝着低熔点的方向移动,移动距离与时间成抛物线关系。造成现象原因是:低熔点的组元扩散快,高熔点组元扩散慢,正是这种不等量的原子交换造成了柯根达尔效应。03
扩散微观机制
1)直接换位机制的否定:这种换位势必使交换原子对附近的晶格发生强烈的畸变,固此种机制存在可能性不大。04
扩散系数D与温度的关系
D=05
影响扩散的因素
1)温度的影响:由扩散系数的表达式D=D0e-Q/RT,D0和Q物质的成分和结构,与温度无关。可知扩散系数与温度呈指数关系,T对D有强烈的影响。温度越高,原子的能量越大,越容易迁移,因此扩散系数越大。许多卤化物、氧化物等离子化合物的扩散系数与离子电导在某一温度会发生突变,这反映在高于或低于这一温度受两种不同的扩散机制所控制。高温区以热缺陷引起的扩散为主,(包括弗仑克尔缺陷和肖特基缺陷)称为本征扩散;低温区一般以杂质产生或控制的缺陷所引起的扩散为主,称为非本征扩散。06
二元系中扩散区不存在双相区的相律解释
f=c-p+2式中,由于压力及扩散温度是一事实上的,故应去掉两个自由度的数目,此时f=c-p。在单相时,f =2-1=1,说明该相的浓度是可以改变的,因此,在扩散过程中可以是有浓度梯度,即扩散过程是可以发生。07
固态金属扩散的条件
1)温度足够高:固态扩散是依靠原子的热激活而进行的过程。温度越高,原子热振动越激烈,原子被热激活而进行迁移的几率就越大,低于一定温度,表面不出物质输送的宏观效果,如同扩散被“冻结”一样。08
固态烧结
热力学角度,烧结而导至材料致密化的基本驱动力是表面、界面的减少从而系统表面、界面能的下降。从动力学角度,要通过各种复杂的扩散传质过程。
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