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这才是学神,看两位90后国家青年千人计划入选者!

2016-01-01 有料的大学新媒体 青塔

日前,关于第十二批国家“千人计划”青年人才最终公示的名单引起了巨大的关注,而更加令人关注的是,第十二批青年千人计划入选者年轻化趋势更为明显,相比于去年年初公布的第十一批国家“千人计划”青年人才,这次不但85后的比例明显增多,而且90后也首次出现,对于这两位极其优秀的90后,学霸已经远远不足以形容她们了,学神或许才更为适合。

作为国内最顶尖的青年人才计划之一,青年千人计划入选者到底有多牛,看看东莞理工学院最近的高水平人才招聘条件就可窥见一二了,东莞理工学院在入围了广东省重点建设的三所高水平理工科大学计划后,随之启动了高水平人才招聘计划,其对于国家优青、青年千人计划入选者等顶尖青年人才,开出了基础年薪50万,住房补贴100万,科研启动经费最高可达5000万元的超高待遇,由此可见各大高校对于代表未来的顶尖青年人才的重视程度了。

对于第十二批青年千人计划入选者,作为90后入选有多难,我们先来看看这批入选者的年龄区间统计数据,从统计的结果看,1975-1979年龄段的有125人,1980-1984年龄段的有375人,1985-1990年龄段的有63人,1990年出生的有2人,从年龄分布来看,1980-1984年龄段成为青年千人计划的绝对主力军,占据了66.37%的比例,而85后的占比仅为11.15%,而两位90后在其中只是占到了0.35%的比例。


从入选者的年龄段分布就可以看出,目前青年千人计划的主力军还是以1980-1984这个年龄段为主,这批牛人目前都才30出头,未来的学术生涯还很长,可以有足够的时间做出更大的成就,但是在80后占据绝对主导的青年千人名单中,两位90后的出现就尤为难得了,而对于今年入选的两名90后青年千人,想必大家都非常感兴趣,我们来看看这两位优秀90后青年千人的优秀简历吧(部分信息来自于电子科大和港科大官网):

电子科技大学刘明侦

刘明侦,女,1990年5月17日出生,2011年本科毕业于英国布里斯托大学,2012年硕士毕业于剑桥大学,2015年博士毕业于牛津大学,现为电子科技大学教授,在入选第十二批青年千人计划之前已入选了电子科大“百人计划”。其实在今年十月份刘明侦国博士被聘为电子科大教授的时候就引起了很多媒体的极大关注。2012年,刘明侦博士在牛津大学光伏光电研发中心,以新型太阳能电池为研究核心,研究对象涉及材料学、光电学、电子器件等方面,主攻以卤化物钙钛矿(perovskite)材料为核心的太阳能器件,并取得一系列创新性研究成果。2013年9月,刘明侦博士《自然》(Nature)正刊上以第一作者发表论文,当时年仅23岁,是在Nature上第一作者发表论文的最年轻中国女学者。英国卫报、澳大利亚国家报社、美国物理协会、腾讯、新浪等媒体和机构都专门对文中提出的平板式钙钛矿太阳能电池进行了持续跟踪报道。

而在其求学经历中也多次获得诸多奖项,2011年的时候,刘明侦在剑桥大学读硕士期间就获得由英国工程技术协会颁发的“工程技术奖(IET Prize)”和布里斯托大学授予的“桑德尔奖 (Sander Prize)”,2012年获得全英高层次人才创业大赛金奖, 2013年获得欧洲材料研究协会颁发的会议特别奖,2014年获得由牛津大学Wolfson学院颁发的学院特别奖,刘明侦这几年发表的重要论文如下:

1.Liu, M., Johnston, M. B. & Snaith, H. J. Efficient planar heterojunction perovskite solar cells by vapour deposition.Nature 501, 395–8 (2013)

2.Liu, M., Ridgman, T.W. Engineering Graduate Employability – an international comparison. European Society for Engineering Education SEFI 42nd Annual Conference (2014)

3.Zhang, Y.,* Liu, M.,*Eperon, G., Leijtens, T., McMeekin, D., Saliba, M., Zhang, W., Herz, L. M., Johnston, M. B., Lin, H., & Snaith, H. J. Charge selective contacts, mobile ions and anomalous hysteresis in organic-inorganic perovskite solar cells, Mater. Horiz., DOI: 10.1039/C4MH00238E (2015). (*equal contribution in authorships)

4.Wehrenfennig, C., Liu, M., Snaith, H. J., Johnston, M. B. & Herz, L. M. Homogeneous Emission Line Broadening in the Organo Lead Halide Perovskite CH3NH3PbI3–xClx. J. Phys. Chem. Lett. 5, 1300–1306 51 29755 51 15232 0 0 2349 0 0:00:12 0:00:06 0:00:06 2945 (2014).

5.Wehrenfennig, C., Liu, M., Snaith, H. J., Johnston, M. B. & Herz, L. M. Charge-carrier dynamics in vapour-deposited films of the organolead halide perovskite CH3NH3PbI3−xClx. Energy Environ. Sci. 7, 2269 (2014).

6.Wehrenfennig, C., Liu, M., Snaith, H. J., Johnston, M. B. & Herz, L. M. Charge carrier recombination channels in the low-temperature phase of organic-inorganic lead halide perovskite thin films. APL Mater. 2, 081513 (2014)

浙江大学杨树

杨树,女,1990年6月5日出生,2010年本科毕业于复旦大学微电子学专业,2014年博士毕业于香港科技大学。杨树博士是首批香港博士奖学金获得者,香港科技大学电子与计算机工程学系访问助理教授。杨树博士目前的研究领域为下一代高效率能量转换系统中的GaN半导体器件核心技术及物理机理。杨博士已在TED、EDL、IEDM、APL等国际顶级期刊及会议发表论文40余篇。她的研究成果目前已被工业界杂志如《Compound Semiconductor》、《Semiconductor Today》等广泛引用。 通过web of science数据库进行检索, 杨树博士以第一作者发表的的论文如下:

1.S. Yang, S. Liu, Y. Lu, C. Liu, and K. J. Chen, "AC-Capacitance Techniques for Interface Trap Analysis in GaN-Based Buried-Channel MIS-HEMTs, " IEEE Trans. Electron Devices, vol. 62, No. 6, pp. 1870-1878, 2015.

2.S. Yang, S. Liu, C. Liu, Y. Lu, and K. J. Chen, "Mechanisms of thermally induced threshold voltage instability in GaN-based heterojunction transistors," Appl. Phys. Lett., 105(22), 223508, 2014.

3.S. Yang, Q. Jiang, B. Li, Z. Tang, and K. J. Chen, "GaN-to-Si vertical conduction mechanisms in AlGaN/GaN-on-Si lateral heterojunction FET structures, " Physica Status Solidi (C), vol. 11 No. 3-4, pp. 949-952, 2014.

4.S. Yang, C. Zhou, Q. Jiang, J. Lu, B. Huang, and K. J. Chen, "Investigation of buffer traps in AlGaN/GaN-on-Si devices by thermally stimulated current spectroscopy and back-gating measurement," Appl. Phys. Lett., 104(1), 013504, 2014.

5.S. Yang, Z. Tang, K. -Y. Wong, Y. -S. Lin, C. Liu, Y. Lu, S. Huang, and K. J. Chen, "High-quality interface in Al2O3/GaN/AlGaN/GaN MIS Structures with in situ pre-gate plasma nitridation," IEEE Elec. Dev. Lett., vol. 34, No. 12, pp. 1497-1499, 2013.

6.S. Yang, S. Huang, Q. Zhou, M. Schnee, Q.-T. Zhao, J. Schubert, and K. J. Chen, "Fabrication and characterization of enhancement-mode high-K LaLuO3-AlGaN/GaN MIS-HEMTs," IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 60, No. 10, pp. 3040-3046, 2013.

7.S. Yang, S. Huang, Q. Zhou, M. Schnee, Q.-T. Zhao, J. Schubert, and K. J. Chen, "Enhancement-mode LaLuO3-AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility-Transistors using fluorine plasma ion implantation," Jpn. J. Appl. Phys., 52, 08JN02, 2013.

8.S. Yang, S. Huang, H. Chen, C. Zhou, Q. Zhou, M. Schnee, Q.-T. Zhao, J. Schubert, and K. J. Chen, "AlGaN/GaN MISHEMTs with High-K LaLuO3 Gate Dielectric," IEEE Elec. Dev. Lett., 2012, vol. 33, No. 7, pp. 979-981, 2012.

9.S. Yang, S. Huang, H. Chen, M. Schnee, Q.-T. Zhao, J. Schubert, and K. J. Chen, "Characterization of high-k LaLuO3 thin film grown on AlGaN/GaN heterostructure by molecular beam deposition," Appl. Phys. Lett., 99, 182103, 2011.

这两年来,我们听到了很多关于90后的故事,他们中有很多人已经在很多领域证明了自己,而在学术领域,对于第十二批国家青年千人计划中首次出现的这两位优秀的90后,我们相信这只是开始,新的一年刚刚到来,在未来一定会有越来越多的90后登上顶尖学术的舞台,也会有越来越多的90后开始展露头角,对于未来,我们共同期待。

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